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公开(公告)号：CN104060117A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410322428.8
申请日：2014-07-08
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及金刚石/铜基复合材料及其制备技术领域，具体公开了金刚石/铜基复合材料及其制备方法，该复合材料中金刚石的质量分数为20％～50％，金刚石颗粒在基体中均匀分布。其具体制备方法为先制备铜包钛包金刚石复合粉末，然后将铜包钛包金刚石复合粉末与铜粉混合，形成混合粉末，最后通过表面活化和等离子活化烧结，制备出致密度高的烧结试样。等离子活化烧结工艺为：升温速率50～200℃/min，真空度≤10Pa，烧结时施加压力30～40MPa，烧结温度800℃～900℃，保温时间5～7min。本发明制备金刚石/铜基复合材料烧结温度低，致密度高，晶粒细小，并且操作简单，可控性好。
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公开(公告)号：CN103589884A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310602223.0
申请日：2013-11-25
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供一种高性能钨铜复合材料的低温制备方法，该方法是：根据所需制备的钨铜复合材料的钨铜组分比例称量对应质量的铜包覆钨复合粉体和铜粉进行混料得到混合粉体，或直接用对应组分的铜包覆钨粉为烧结原料，将混合粉体或对应组分的铜包覆钨复合粉体装入模具中进行低温热压烧结即得到高性能的钨铜复合材料。本发明工艺简单、可靠，流程短，生产成本低、效率高；所制备出的钨铜复合材料钨含量分布宽、致密度高、具有铜网络结构、组分和结构均一、钨铜界面润湿性得到改善，并且具有优异的热、电、力学性能，因此在电子封装、电触头、电极加工材料等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102925727A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210454292.7
申请日：2012-11-14
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明是一种Zn@W-Cu热用复合材料的制备方法，其特征是采用磁控溅射的方法，以Zn块为靶材或者采用真空热镀工艺，以纯度为99.9%的Zn粉在W粉表面包覆一层高纯Zn膜，得到Zn@W粉，再将Zn@W粉、Cu粉按照体积百分比为W=70.0%~90.0%，Cu=10.0%~30.0%进行球磨混合均匀，然后将混合均匀粉末在100-400MPa下进行冷等静压获得坯体，最后将坯体放入氢气炉中进行气氛烧结，得到Zn@W-Cu热用复合材料。本发明可以在较低的烧结温度下获得致密度高、W-Cu之间结合力强、导热、导电性好的W-Cu复合材料，具有W-Cu复合材料结构可控，Zn的添加量极少且实现定向包覆等优点。
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公开(公告)号：CN102732849A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210219356.5
申请日：2012-06-29
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明镁合金与铝合金表面改性处理及高强连接的方法是：利用磁控溅射技术对镁合金和铝合金进行表面改性处理，沉积微米级厚度的银薄层作为阻隔层和活性层；利用真空扩散焊接工艺在较低温度下实现了镁合金与铝合金的高强连接。本发明的优点在于：镀膜改性处理提高了易氧化的铝合金和镁合金的表面抗氧化性；首次利用高活性银薄层在较低温度下实现了镁合金与铝合金的扩散连接；银薄层改变了镁/铝连接界面物相组成和显微结构，阻止了界面高硬度脆性镁铝金属间化合物的生成，形成了高强度的Mg-Ag和Ag-Al金属间过渡层，剪切强度达到20~30MPa，较镁铝直接焊接提高了近4倍；工艺简单，控制精度高；连接件变形小、残余应力小。
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公开(公告)号：CN102031411B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010566861.8
申请日：2010-12-01
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供一种致密W-Cu复合材料的低温制备方法，该方法是；采用Zn粉作为添加剂，将W粉、Cu粉按照体积分数比为W=10.0%~75.0%，Cu=25.0%~90.0%，Zn占W-Cu总质量分的0.5%~2.0%进行三维混料，然后放入真空热压炉中，按指定真空热压烧结工艺进行真空热压烧结得到致密的W-Cu复合材料，所述真空热压烧结工艺为：真空度为1×10-3~1×10-4Pa，烧结温度为700℃~900℃，保温时间为1~4h，施加压力大小为80~200MPa。本发明可以在较低的烧结温度下获得致密度高的W-Cu复合材料，具有明显的工艺简单、成本低、成分调控范围广且精确等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101920393A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010289606.3
申请日：2010-09-25
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明是一种镁合金与铝合金的低温扩散焊接方法，该方法包括如下步骤：(1)工件表面清理步骤：将镁合金片、铝合金片加工到规定尺寸，除去它们待焊面的氧化层；（2）工件组装步骤：将中间层——锡锌合金箔置于铝合金片与镁合金片之间，上下各置一层阻焊层，构造被焊接工件；（3）工件装卡入炉焊接步骤：将被焊接工件放入真空扩散焊接炉内，加热、保温，当保温开始时对被焊接工件施加轴向压力，保温结束后卸除压力。本发明能够克服现有技术无法实现Mg合金与Al合金的高质量焊接，适合不同种类的镁合金和铝合金之间的可靠焊接，特别适用于镁合金薄板与铝合金薄板的焊接，并且焊件平面性好，平行精度高，整体致密。
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公开(公告)号：CN114772926A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210105327.X
申请日：2022-01-28
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及稀土Ce/Eu离子掺杂的硅酸盐发光玻璃领域，旨在通过Ce3+和Eu3+离子共掺MO‑SiO2(M＝Sr，Ca，Ba)玻璃来实现白色发光。实现方式：以MCO3(M＝Sr，Ca，Ba)，SiO2为玻璃基质原料，CeO2，Eu2O3为发光中心离子来源掺杂在玻璃基质中。步骤为(a)原料的称量混合，(b)高温熔融，(c)浇铸成型退火，(d)打磨抛光。Ce3+离子在此硅酸盐体系中发射峰值在440nm的蓝光，Eu3+离子在此体系中发射峰值在610nm的红光，在紫外激发光360nm‑400nm下通过调节Ce/Eu比例可以实现色温从冷白光(≥7000K)到暖白光(≤4000K)可调谐的复合白光。
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公开(公告)号：CN111294996B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010013827.1
申请日：2020-01-07
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H05B6/02
Abstract: 本发明提供一种梯度银基感应导磁膜及其制备方法，该梯度银基感应导磁膜，包括基体、底层银膜、外层银膜；所述底层银膜丝印在所述基体上，所述外层银膜丝印在所述底层银膜上；所述外层银膜中银粉含量高于所述底层银膜中银粉含量，且所述外层银膜中玻璃粉含量低于所述底层银膜中玻璃粉含量。本发明的梯度银基感应导磁膜创新性地采用梯度结构，在保证导磁膜良好导电、导热性能的前提下，通过缓和界面热应力，避免了因热膨胀系数差异悬殊、界面热应力大而带来的开裂、脱落风险，解决了传统银基感应导磁膜加热功率不稳定、使用寿命短等问题，制备的梯度结构导磁膜兼具良好的结合强度和产热导热效果，具有优良的综合性能。
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公开(公告)号：CN112680225A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011603155.6
申请日：2020-12-30
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明是一种提高氮化物红色荧光粉发光强度与热稳定性能的方法，其是一种利用六方氮化硼(h‑BN)作为硼源掺杂剂提高氮化物红色荧光粉CaAlSiN3：Eu2+发光强度和热稳定性的方法，即：在EuN，Ca3N2,AlN,Si3N4作为原料粉体的基础上，添加一定比例h‑BN超细粉体在手套箱中进行称量、研磨、装料入石墨模具等步骤，将装有混合原料粉体的石墨模具置于等离子场助烧结装置中，将其在1400～1450℃，腔体压强小于50Pa的条件下进行烧结，控制反应升温速率为180～200℃/分钟和保温时间为3～5分钟，烧结之后取出块体进行研磨，即得到一种具有高发光强度、高热稳定性的Ca0.99(Al1‑xBx)SiN3:0.01Eu2+硼掺杂氮化物红色荧光粉体。本发明工艺简单、可重复性高，所制备的产品较之未掺硼粉体，发光强度提升了30％～40％，热稳定性能明显改善。
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公开(公告)号：CN105837224B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201610374803.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/63
Abstract: 本发明公开的氮化铝陶瓷的制备方法，是一种以氟化铵为添加剂的氮化铝陶瓷的制备方法，具体是：将氟化铵粉体和氮化铝粉体按质量配比(0.24～0.36):1分别称量，然后在刚玉研钵中充分研磨均匀，得到混合粉料；将制得的混合粉料装入模具中，再将模具置于等离子活化烧结炉中，在烧结温度1600～1800℃、保温时间3～5min、烧结压力30～40MPa和氮气气氛下进行致密化，最后得到氮化铝陶瓷。本发明采用氟化铵作为添加剂，克服了现有氧化物添加剂在氮化铝陶瓷烧结过程中引入新杂质的技术难题，在烧结过程中可有效减少AlON等杂相的生成，而又不引入其它杂质，同时也能促进陶瓷致密化，因而能够获得具有较高纯度和高致密度的氮化铝陶瓷。
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