公开(公告)号：CN211528736U

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN202020391152.X

申请日：2020-03-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 郭玲 ,  郭梦冉 ,  银珊 ,  陈寿宏 ,  马峻

IPC: G02B5/00

Abstract: 本实用新型公开了一种基于多波长超窄带共振的金属微纳光学器件，当光入射到金属微纳器件时，抑制模式和透射模式会被激发，产生带宽只有几纳米的多透射峰。抑制模式能够抑制光的透射，是所述周期性薄金属光栅与所述高折射率介质层和所述低折射率介质层所形成的多阶杂化波导模式，透射模式能够增强光的透射，是所述高折射率介质层和所述低折射率介质层产生的多阶腔模式。当抑制模式和透射模式相互作用时，就能够产生超窄带多透射峰，得到可见光谱中两个或两个以上不同中心波长的透射峰。所提出的金属微纳器件在滤波、传感和检测方面具有广阔的应用前景。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN216901000U

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202220083750.X

申请日：2022-01-13

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 郭玲 ,  郭梦冉 ,  银珊 ,  陈寿宏 ,  马峻

IPC: G02B5/00

Abstract: 本实用新型公开了一种基于膜堆结构的高Q三维金属微纳光学器件，包括低折射率介质层衬底、三个高‑低折射率混合介质膜堆结构和周期性金属微纳结构，其中每一个高‑低折射率混合介质膜堆结构都由一层高折射率介质层和一层低折射率介质层构成。周期性金属微纳结构与高‑低折射率混合介质膜堆结构形成了表面等离激元多阶杂化波导模式，抑制光的透射；同时高‑低折射率混合介质膜堆结构的形成了多阶腔模式，增强光的透射。通过调谐多阶杂化波导模式与多阶腔模式，从而获得多个光学品质因数极高的谐振峰。所提出的金属微纳光学器件在滤波、传感和检测方面具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN216248792U

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202121761328.7

申请日：2021-07-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈寿宏 ,  易木兰 ,  马峻 ,  侯杏娜 ,  郭玲

IPC: G05B15/02 ,  G05B19/418

Abstract: 本实用新型涉及控制系统领域，具体涉及一种智能家居控制器，包括烟雾传感器、光强传感器、温湿度传感器和控制器，所述烟雾传感器、所述光强传感器、所述温湿度传感器和所述控制器连接。通过设置温湿度传感器、光强传感器和烟雾传感器可以对整个家居环境进行检测和监控，并通过ZigBee协议进行无线传输，通过PC端对数据进行接收处理，另外还可以设置摄像头对整个房子进行监控，哪里出现问题可以通过移动终端控制摄像头移动进行查看，从而可以满足现有智能家居的使用要求。

公开(公告)号：CN214067422U

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202023328365.7

申请日：2020-12-31

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 郭玲 ,  叶帆风 ,  郭梦冉 ,  银珊 ,  马峻

IPC: G02B5/00

Abstract: 本实用新型公开了一种吸收光谱的吸收效果较高的基于金属微纳结构的双通道全光吸收器。该基于金属微纳结构的双通道全光吸收器，包括金属衬底；所述金属衬底上方设置有三层混合介质结构；所述混合介质结构包括高折射率介质层和低折射率介质层；所述低折射率介质层位于高折射率介质层上方；最顶层的混合介质结构上的低折射率介质层上设置有阵列分布的十字臂结构；且所述十字臂结构与低折射率介质层固定连接；最底层的混合介质结构上的高折射率介质层与金属衬底固定连接。采用该基于金属微纳结构的双通道全光吸收器，在950nm和1130nm左右时，吸收率达到99.99％以上；以达到完美吸收的效果；并且在滤波与光谱传感方面具有更广泛的应用。

公开(公告)号：CN210274096U

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201921402002.8

申请日：2019-08-27

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 银珊 ,  石欣桐 ,  黄巍 ,  张文涛 ,  郭玲 ,  胡放荣 ,  熊显名

IPC: H04B10/90 ,  H04B10/516

Abstract: 本实用新型提出一种电压控制的太赫兹2位编码器件及系统，包括：分别设置于所述方形衬底两侧的呈周期性排列的方形结构单元；所述方形结构单元包括金属结构和半导体结构；半导体结构包括呈圆柱体的P型半导体和呈圆柱体的N型半导体，N型半导体的底面与方形衬底贴合，P型半导体设置于所述N型半导体上，形成一呈圆形区域的PN结；金属结构包括贴合于方形衬底上的环形金属层、第一金属电极和第二金属电极，每个金属结构的第一金属电极相连，每个金属结构的第二金属电极相连。所述编码器与控制端组成编码系统，通过对每个金属电极进行独立的电压控制实现太赫兹波的两位编码功能。本实用新型可以具有编码速度快，操作简便和实用性强等优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN209416278U

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201822212588.3

申请日：2018-12-27

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 马峻 ,  毛露露 ,  陈寿宏 ,  徐翠锋 ,  尚玉玲 ,  郭玲

IPC: G01B11/02 ,  G01B11/16

Abstract: 本实用新型提出一种实时云纹干涉图高速相位测量及提取系统，该测量系统包括激光器、分光耦合器、相移器、隔振平台、底座、平移台、多维调节加载架、试件放置台、云纹干涉光路结构、可调节支杆、图像采集模块和控制模块；所述激光器、分光耦合器、相移器、底座设置于所述隔振平台上，所述平移台设置于底座上，所述多维调节加载架设置于平移台上，所述试件放置台设置于多维调节加载架上，所述激光器通过所述分光耦合器与所述云纹干涉光路结构连接，所述云纹干涉光路结构设置于所述试件放置台的上方空间；所述相移器与所述试件放置台连接；激光器发出的光经过云纹干涉光路结构后照射到待测试件表面，由待测试件反射至图像采集模块中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利