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公开(公告)号：CN108091614A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201611044047.3
申请日：2016-11-23
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件封装结构及其封装方法，涉及微电子技术领域，能够降低半导体器件的封装复杂度，同时降低半导体器件的热阻和导通压降。所述半导体器件封装结构包括管盖和管座，管盖盖于管座上，管盖的下表面焊接有多个第一电极钼片，管座的上表面焊接有多个第二电极钼片，多个第二电极钼片与多个第一电极钼片一一对应；还包括多个芯片和多个定位框架，定位框架用于对芯片进行定位；多个芯片与多个第一电极钼片一一对应；芯片位于第一电极钼片和第二电极钼片之间，且芯片与第一电极钼片和第二电极钼片均贴合。本发明用于半导体器件封装。
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公开(公告)号：CN206931600U
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201720774531.5
申请日：2017-06-29
Applicant: 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L29/739 , H01L23/49
Abstract: 本实用新型公开一种压接式IGBT模块，涉及电力电子技术领域，用于提高压接式IGBT模块的生产效率。所述压接式IGBT模块包括壳体，壳体上设有发射极和集电极；发射极和集电极之间设有至少一个IGBT子单元，且发射极面向IGBT子单元的表面设置PCB板，PCB板与IGBT子单元的栅极连接；发射极开设有引线柱容置通孔，引线柱容置通孔内设置栅极引线柱，且引线柱容置通孔与栅极引线柱绝缘；栅极引线柱靠近PCB板的一端与PCB板连接，栅极引线柱远离PCB板的一端悬空在引线柱容置通孔内。本实用新型提供的压接式IGBT模块用于半导体集成。
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公开(公告)号：CN210964089U
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201920969685.9
申请日：2019-06-26
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种卷闸式的过滤网装置，该装置包括安装主体和相对安装主体移动的过滤网组件，多个过滤网组件依次连接形成过滤网组件链，相邻的过滤网组件通过各自的卷绕件相互绕接。当过滤网组件链从安装主体上拆下时，先行移出安装主体的过滤网组件不需要沿其移出方向完全展开，相邻的过滤网组件通过卷绕件相互绕接使得移出安装主体的各过滤网组件能够卷成滚筒并继续拉动尚未移出的过滤网组件，从而节省了过滤网装置拆卸的操作空间，很好地解决了现有技术中由于车体底部安装空间受限过滤网装置拆卸困难的技术问题。
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公开(公告)号：CN211666948U
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201922066331.6
申请日：2019-11-26
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种风道消声结构及电气柜，涉及降噪技术领域，用于风机叶片通过频率处峰值噪声的降噪。本实用新型的一种风道消声结构，包括垂直进风流道和承载有风机的风机室，风机室中设置有消声空腔，消声空腔的其中一个侧壁构造为所述垂直进风流道和所述风机室之间的隔板，所述隔板上设置有贯穿所述隔板的消声孔，消声孔和消声空腔形成具有一定质量和弹性的共振系统，因此当入射声波的频率和共振系统的共振频率一致时，消声孔处的空气产生激烈摩擦从而加强了吸收效应，形成吸收峰，使声能显著衰减，因而特别适用于风机叶片通过频率处峰值噪声的降噪。
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公开(公告)号：CN210964337U
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201920970512.9
申请日：2019-06-26
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种过滤网装置，该装置包括安装主体和相对安装主体移动的过滤网组件，多个过滤网组件连接成过滤网组件链，由于相邻过滤网组件能够相对旋转，当过滤网组件链从安装主体上拆下时，先行移出安装主体的过滤网组件不需要沿其移出方向完全展开，而是能够旋转一定的角度，这样在对过滤网组件链进行拆装时，能够节省过滤网组件链在移入或移出方向所占据的空间，很好地解决了现有技术中由于车体底部安装空间受限过滤网装置拆卸困难的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN206163475U
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201621265537.1
申请日：2016-11-23
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型实施例提供一种半导体器件封装结构，涉及微电子技术领域，能够降低半导体器件的封装复杂度，同时降低半导体器件的热阻和导通压降。所述半导体器件封装结构包括管盖和管座，管盖盖于管座上，管盖的下表面焊接有多个第一电极钼片，管座的上表面焊接有多个第二电极钼片，多个第二电极钼片与多个第一电极钼片一一对应；还包括多个芯片和多个定位框架，定位框架用于对芯片进行定位；多个芯片与多个第一电极钼片一一对应；芯片位于第一电极钼片和第二电极钼片之间，且芯片与第一电极钼片和第二电极钼片均贴合。本实用新型用于半导体器件封装。
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公开(公告)号：CN205752165U
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201620659669.6
申请日：2016-06-24
Applicant: 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/04 , H01L23/488
Abstract: 本实用新型的实施例提供一种芯片模块封装结构，涉及电力技术领域，能够简化工艺过程，可缩短封装时间，降低生产成本。芯片模块封装结构，包括：多个芯片；定位件，所述定位件上设置有阵列分布的孔洞单元，每个所述孔洞单元用于固定一个所述芯片；壳体，所述壳体包括顶壳、中环和底壳，所述顶壳和底壳的边缘分别与所述中环的上下开口接合，所述顶壳上固定设置有多个第一钼片，所述第一钼片与孔洞单元的位置对应，所述第一钼片的一面与所述芯片的第一极接触；多个凸台，所述凸台设置于所述壳体的底壳上，所述凸台上固定设置有所述第二钼片，所述第二钼片的一面与所述芯片的第二极接触。
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公开(公告)号：CN210986781U
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201921182179.1
申请日：2019-07-25
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种强迫风冷系统，该强迫风冷系统包括布置有发热器件的热源区以及用于提供流入所述热源区的气流并接收从所述热源区流出的气流的循环风道，循环风道包括用于提供流入所述热源区的气流的第一风道和用于接收从所述热源区流出的气流的第二风道，热源区位于第一风道和第二风道之间。不断流入和流出热源区的气流将热源区的发热器件的热量循环带走，从而使得柜体内各腔热量分布均匀，避免热量集中造成的影响功率器件的使用寿命以及热应力过大而引起柜体的变形甚至开裂。且在气流流经热源区的过程中，气流还能够将热源区的各器件表面积累的灰尘带走，防止各器件表面积灰。
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公开(公告)号：CN206863077U
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201720791326.X
申请日：2017-06-30
Applicant: 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: G01R1/04
Abstract: 本实用新型公开了一种压接式IGBT子模组电气特性测试夹具，涉及电力电子器件测量领域，解决了现有的IGBT电气特性测试设备无法直接应用到对压接式IGBT的子模组的电气特性的测试中的技术问题。该压接式IGBT子模组电气特性测试夹具包括：绝缘腔室，绝缘腔室的内设置有栅极引出端、发射极引出端，以及集电极引出端；集电极引出端上设置有安装底座；绝缘腔室的顶部与安装底座对应的位置开设有开口；压接式IGBT子模组电气特性测试夹具还包括压杆以及与压杆连接的压头，压杆的一端与绝缘腔室的顶部铰接，压头通过开口压在IGBT子模组上。本实用新型应用于压接式IGBT子模组的电气特性测试。
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公开(公告)号：CN205723548U
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201620667076.4
申请日：2016-06-27
Applicant: 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L23/488
Abstract: 本实用新型的实施例提供一种压接式IGBT子模组和IGBT模块封装结构，涉及电力技术领域，能够降低因IGBT子模组个数较多时因弹簧针接触不良而造成的失效概率。IGBT子模组，包括：IGBT芯片；发射极钼片，所述发射极钼片的一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，所述集电极钼片的一面与所述IGBT芯片的集电极接触；栅极连接件，所述栅极连接件的一端为自由端，并与所述IGBT芯片的栅极接触；定位件，用于固定所述IGBT芯片、所述发射极钼片、所述集电极钼片和所述栅极连接件；所述栅极连接件的另一端固定连接于所述IGBT模块封装结构的PCB电路板上。
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