-
公开(公告)号：CN108453618A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810151773.8
申请日：2018-02-14
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/07 , B24B37/20 , B24B37/005 , B24B37/34
CPC classification number: B24B37/013 , B24B21/12 , B24B27/0084 , B24B37/105 , B24B37/107 , B24B53/017 , B24B37/07 , B24B37/005 , B24B37/20 , B24B37/34
Abstract: 本发明提供基板的研磨装置和基板处理系统，能够降低单位加工痕迹形状相对于规定的形状的偏差。根据一个实施方式，提供对基板进行局部研磨的研磨装置，具有：与基板接触的加工面比基板小的研磨部件；将研磨部件向基板按压的按压机构；在与基板的表面平行的第一运动方向上对研磨部件施加运动的第一驱动机构；在与第一运动方向垂直且沿与基板的表面平行的方向具有成分的第二运动方向上对研磨部件施加运动的第二驱动机构；以及用于控制研磨装置的动作的控制装置，在研磨基板时，研磨部件构成为与基板接触的区域上的任意点在相同的第一运动方向上运动，控制装置构成为对第一驱动机构和第二驱动机构的动作进行控制以使用研磨部件对基板进行局部研磨。
-
公开(公告)号：CN104552008B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201410566888.5
申请日：2014-10-22
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 一种研磨方法以及研磨装置。在该研磨方法中一边将通过过滤器(14)的研磨液供给到研磨垫(1)上、一边使基板(W)与研磨垫(1)滑动接触而对该基板(W)进行研磨，一边增加作为研磨液的物理量的研磨液的流量及压力中的某一方直至所述物理量达到规定的设定值、一边使研磨液通过过滤器(14)，一边将通过过滤器(14)的研磨液供给到研磨垫(1)上、一边在研磨垫(1)上对基板(W)进行研磨。采用本发明，可防止粗大粒子被排出到研磨垫上的现象，同时可对基板进行研磨。
-
公开(公告)号：CN105479324A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510640665.3
申请日：2015-09-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种研磨装置及处理方法，抛光处理装置及方法，能够使处理对象物的处理速度提高且使处理对象物的面内均一性提高。抛光处理构件(350)具备：头，安装有用于通过与晶片(W)接触并进行相对运动从而对晶片(W)进行规定的处理的抛光垫；以及抛光臂(600-1、600-2)，用于对头进行保持。头包含：安装有比晶片(W)直径小的第1抛光垫(502-1)的第1抛光头(500-1)；以及安装有比第1抛光垫(502-1)直径小的第2抛光垫(502-2)的与第1抛光头(500-1)不同的第2抛光头(500-2)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100405555C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200480020146.7
申请日：2004-07-14
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/3063 , H01L21/304 , C25F3/16
Abstract: 本发明提供一种电解处理装置和电解处理方法，能够有效地避免形成会对影响处理产品的质量的凹坑。该电解处理装置包括：用于处理工件的处理电极(210)；用于给工件供电的供电电极(212)；用于向处理电极(210)和供电电极(212)之间施加电压的电源(232)；在其中容纳处理电极(210)和供电电极(212)的压力密闭容器(200)；和用于将高压液体供应到压力密闭容器(210)内的高压液体供应系统(204)。
-
公开(公告)号：CN100334691C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN03811301.5
申请日：2003-05-16
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/3063 , H01L21/304 , H01L21/3205 , C25F3/00 , C25F7/00 , B23H3/02
CPC classification number: H01L21/02087 , B23H5/04 , B23H5/08 , B24B37/345 , C25F3/00 , C25F7/00 , H01L21/0209 , H01L21/32115 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/67173 , H01L21/67219 , H01L21/6723 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76849 , H01L21/76873
Abstract: 本发明提供了一种衬底加工设备，该设备可通过利用电解加工方法加工衬底，同时把在CMP加工上的负载降低到最小可能的程度。本发明的衬底加工设备包括：电解加工单元(36)，该单元对具有形成在所述表面上的待加工膜的衬底表面电解地去除，所述单元包括接触该衬底W所述表面的馈电区段(373)；倾斜-刻蚀单元(48)，该单元用于刻蚀掉这样的部分，该部分为该衬底的在已经与在该电解加工单元(36)中馈电区段(373)接触部分上的保持未加工的待加工膜；用于化学和机械地对衬底表面进行抛光的化学机械抛光单元(34)。
-
公开(公告)号：CN1656257A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN03811966.8
申请日：2003-03-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C25F3/00 , C25F7/00 , H01L21/3063
CPC classification number: C25F3/00 , C25F7/00 , H01L21/32115
Abstract: 提供一种例如能省略CMP处理本身，或者既能尽量减小CMP处理的负荷、又能把设置在基片表面上的导电性材料加工成平整状态，并且还能除去(清洗)附着在基片等被加工物的表面上的附着物的电解加工装置，其特征在于具有：电极部，并列地布置了多个电极部件，电极部件包括电极和对电极的表面进行覆盖的离子交换体；保持部，保持被加工物，使被加工物与电极部件的离子交换体自如接触或接近；以及电源，连接到电极部的各电极部件的电极，电极部件的离子交换体具有：表面平滑性良好的离子交换体、以及离子交换容量大的离子交换体。
-
公开(公告)号：CN1653597A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN03811301.5
申请日：2003-05-16
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/3063 , H01L21/304 , H01L21/3205 , C25F3/00 , C25F7/00 , B23H3/02
CPC classification number: H01L21/02087 , B23H5/04 , B23H5/08 , B24B37/345 , C25F3/00 , C25F7/00 , H01L21/0209 , H01L21/32115 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/67173 , H01L21/67219 , H01L21/6723 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76849 , H01L21/76873
Abstract: 本发明提供了一种衬底加工设备，该设备可通过利用电解加工方法加工衬底，同时把在CMP加工上的负载降低到最小可能的程度。本发明的衬底加工设备包括：电解加工单元(36)，该单元对具有形成在所述表面上的待加工膜的衬底表面电解地去除，所述单元包括接触该衬底W所述表面的进给区段(373)；倾斜－刻蚀单元(48)，该单元用于刻蚀掉这样的部分，该部分为该衬底的在已经与在该电解加工单元(36)中进给区段(373)接触部分上的保持未加工的待加工膜；用于化学和机械地对衬底表面进行抛光的化学机械抛光单元(34)。
-
公开(公告)号：CN203305047U
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201320224010.4
申请日：2013-04-27
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本实用新型提供的研磨装置，能够均匀且高效地对研磨对象物的被研磨面供给研磨液。研磨装置具备：具有研磨面（52）的研磨工作台（22）；保持半导体晶片（W）并将半导体晶片（W）按压于研磨面（52）的顶环（24）。另外，研磨装置还具备：对研磨面（52）供给研磨液（Q）的研磨液供给口（57）；以及移动机构，该移动机构使研磨液供给口（57）移动，以使研磨液（Q）因半导体晶片（W）与研磨面（52）之间的相对移动而均匀地遍布半导体晶片（W）的整个面。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
58
records
(took 0.044 seconds)
