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公开(公告)号:CN101046976A
公开(公告)日:2007-10-03
申请号:CN200710091357.5
申请日:2007-03-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/59655 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B5/855
Abstract: 一种磁记录介质包括:数据区域,其中将要记录数据;伺服区域,其中记录了用于定位记录/再现磁头的位置信号,该伺服区域设有地址部分,其中记录了地址信息,其中该地址部分具有由多列记录部分和设置在所述多个列之间的非记录部分配置的磁图案,所述多个列设置为在与记录磁道方向相交的方向上相互平行。
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公开(公告)号:CN101034579A
公开(公告)日:2007-09-12
申请号:CN200710086188.6
申请日:2007-03-06
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/59683 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B5/855 , G11B20/1217 , G11B20/1426 , G11B2020/1259 , G11B2220/211 , G11B2220/2516
Abstract: 在磁记录装置中,磁记录介质具有可重写信息磁性地记录于其上的RAM区域。所述磁记录介质还具有ROM区域,所述ROM区域具有磁性可重写磁性片段和磁性不可重写磁性片段的第一类片段序列作为第一类调制信息(1,0),(0,1)固定记录于其中的图案区域。在所述第一类片段序列中的特定片段可以磁化和改变成磁化片段。沿一个和相反方向磁化的第一和第二片段的片段序列用于将第二类调制信息[0,0],[1,0],[0,1]磁性地记录在所述图案区域中。
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公开(公告)号:CN1941092A
公开(公告)日:2007-04-04
申请号:CN200610139388.9
申请日:2006-09-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/82 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B5/855 , Y10S425/81
Abstract: 一种用于磁记录介质的压模(100,400,500,800),包括:凸起和凹陷的图形,用于制造出离散磁道记录型磁记录介质,该离散磁道记录型磁记录介质包括伺服区和数据区,其中伺服区包括地址部分、前导部分和突发部分,而数据区包括记录磁道部分,凸起和凹陷的图形以小于等于400nm的间距形成,其中对应于地址部分(401,501)、前导部分(401,501)、突发部分(402,501)和记录磁道部分(403,502)的凹陷深度的大小关系与地址部分(401,501)、前导部分(401,501)、突发部分(402,501)和记录磁道部分(403,502)的凹陷与凸起的面积比的大小关系相反。
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公开(公告)号:CN1841514A
公开(公告)日:2006-10-04
申请号:CN200610074110.8
申请日:2006-03-28
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种离散磁道介质,其具有非磁性基板,和设置在非磁性基板上并包括含记录磁道的数据区域和含前导区、地址区和分帧区的伺服区域的磁性记录层,该数据区域和伺服区域包括形成突起的铁磁性层图案和填充在铁磁性层图案之间的凹口中的非磁性材料,其中填充在数据区域的凹口中的非磁性材料的高度低于填充到分帧区凹口中的非磁性材料的高度。
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公开(公告)号:CN1822110A
公开(公告)日:2006-08-23
申请号:CN200610003707.3
申请日:2006-02-05
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/65
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 一种磁记录设备具有磁记录介质,该磁记录介质包括基板和包含基板上的磁性图形的磁性层,所述磁性层包括构成记录磁道和伺服区的数据区,所述伺服区的磁性图形被用作地址位,以及构造成在磁记录介质上飞行时从磁记录介质读取信号的磁头,其中,在相应于两个相邻记录磁道的伺服区上的两个用作地址位的磁性图形以一个磁性图形的一角最接近于另一个磁性图形的一角这样的方式排列的情况下,两个磁性图形的角基本彼此分离。
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公开(公告)号:CN1741135A
公开(公告)日:2006-03-01
申请号:CN200510087678.9
申请日:2005-07-29
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种磁记录装置,包括磁记录介质、旋转磁记录介质的主轴马达、包括使用巨磁阻元件的读头的浮动头滑动块、在磁记录介质上移动头滑动块的致动器、容纳上述构件的底盘和在50nm或更小的距离内交替地面向读头通过金属部分和介电部分的放电机构。
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公开(公告)号:CN1713276A
公开(公告)日:2005-12-28
申请号:CN200510074222.9
申请日:2005-05-31
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/72 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/855 , G11B2005/0029 , Y10T428/1164
Abstract: 通过在不恶化其电磁变换特性的情况下,容易地图形化磁记录层,通过在磁记录层(2)与光致抗蚀剂(3)之间形成基于硅的保护膜以及通过进行干蚀刻和氧等离子处理,获得磁记录介质。
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