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公开(公告)号：CN104040039A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201380005328.6
申请日：2013-01-10
Applicant: 国立大学法人大阪大学
IPC: C30B19/02 , C30B29/38 , H01L21/208
CPC classification number: C30B19/02 , C30B19/12 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02625 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02647 , H01L29/2003 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供可以制造大尺寸、且缺陷少并且高品质的III族氮化物结晶的III族氮化物结晶的制造方法。III族氮化物结晶(13)的制造方法包括：晶种选择步骤，选择III族氮化物结晶层(11)的多个部分，作为用于III族氮化物结晶(13)的生成及生长的晶种；接触步骤，使所述晶种的表面与碱金属熔液接触；和结晶生长步骤，在含氮的气氛下，使III族元素与所述氮在所述碱金属熔液中反应，生成III族氮化物结晶(13)并生长；所述晶种为六方晶，在所述晶种选择步骤中，以由相互邻接的所述晶种生长的各结晶的m面彼此基本不重合的方式配置所述晶种，在所述结晶生长步骤中，通过III族氮化物结晶(13)的生长，使由所述多个晶种生长的多个III族氮化物结晶(13)结合。
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公开(公告)号：CN101586253B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN200910143035.X
申请日：2009-05-22
Applicant: 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B9/12 , C30B9/10 , C30B29/403
Abstract: 本发明涉及N型Ⅲ族氮化物基化合物半导体及其制造方法。本发明的一个目的是通过熔剂工艺来实现具有高电子浓度的高品质n型半导体晶体的制造。本发明的通过熔剂工艺制造n型Ⅲ族氮化物基化合物半导体的方法包括：利用熔剂来熔化至少Ⅲ族元素以制备熔体；对该熔体供给含氮气体；以及由该熔体在籽晶上生长n型Ⅲ族氮化物基化合物半导体晶体。在该方法中，将碳和锗溶于该熔体中，并且将锗作为施主引入该半导体晶体，由此制造n型半导体晶体。该熔体中锗对镓的摩尔百分比是0.05mol％至0.5mol％，并且碳对钠的摩尔百分比是0.1mol％至3.0mol％。
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公开(公告)号：CN101405440B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200780010241.2
申请日：2007-02-22
Applicant: 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B9/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/10 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明使用了一种生长装置，它包括用于容纳溶液的多个坩埚(10)，用于加热坩埚(10)的发热体，用于容纳至少多个坩埚以及上述发热体并填充有至少包含氮气的气氛气体的压力容器(1)。分别在每个坩埚(10)内设置一个种晶，由该种晶生长氮化物单晶。
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公开(公告)号：CN101558187A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200780046465.9
申请日：2007-12-10
Applicant: 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
IPC: C30B29/38 , H01L21/208 , C30B9/10
CPC classification number: C30B19/02 , C30B9/10 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02625
Abstract: 在3.7MPa和870℃的氮气(N2)气氛中，使用在约870℃下的包含Ga、Na和Li的熔剂混合物，通过熔剂法在籽晶(GaN层13)的晶体生长表面上生长GaN单晶20。因为模板10的背面是蓝宝石衬底11的R晶面，所以模板10可以容易地从其背面侵蚀或溶解于熔剂混合物中。因此，模板10从其背面逐步侵蚀或溶解，导致从半导体分离或溶解于熔剂中。当GaN单晶20成长至例如约500μm或更大的足够厚度时，保持坩锅的温度为850℃至880℃，由此整个蓝宝石衬底11溶解于熔剂混合物中。
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公开(公告)号：CN111575796B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202010094897.4
申请日：2020-02-14
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下控股株式会社
Abstract: 本发明提供一种制造高品质的III族氮化物结晶的方法。III族氮化物结晶的制造方法包括：晶种准备工序，在基板上准备多个点状的III族氮化物作为用于生长III族氮化物结晶的多个晶种；以及结晶生长工序，在包含氮的气氛下，使上述晶种的表面接触包含选自镓、铝和铟中的至少1种III族元素以及碱金属的熔液，由此使III族元素与氮在熔液中发生反应而使III族氮化物结晶生长，结晶生长工序包括：成核工序，由多个晶种形成晶核；棱锥生长工序，使棱锥形状的第一III族氮化物结晶由多个晶核生长；以及横向生长工序，使第二III族氮化物结晶以填埋多个棱锥形状的第一III族氮化物结晶的间隙而使表面平坦的方式生长。
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公开(公告)号：CN107338477A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710222410.4
申请日：2017-04-06
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 株式会社赛奧科思 , 住友化学株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/20 , C30B29/406 , C30B29/40 , C30B19/12 , C30B25/18 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0075
Abstract: 本发明的课题在于使用经大直径化的结晶生长用基板制造优质的氮化物结晶基板。解决方法具有：准备结晶生长用基板的第1工序，所述结晶生长用基板具备按照主面相互平行、侧面相互抵接的方式配置成平面状的包含氮化物结晶的多个晶种基板，从多个晶种基板之中任意选择的邻接的晶种基板间的晶格常数之差为 以内；和在结晶生长用基板所具有的基底面上使结晶膜生长的第2工序。
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公开(公告)号：CN101558187B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN200780046465.9
申请日：2007-12-10
Applicant: 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
IPC: C30B29/38 , H01L21/208 , C30B9/10
CPC classification number: C30B19/02 , C30B9/10 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02625
Abstract: 在3.7MPa和870℃的氮气(N2)气氛中，使用在约870℃下的包含Ga、Na和Li的熔剂混合物，通过熔剂法在籽晶(GaN层13)的晶体生长表面上生长GaN单晶20。因为模板10的背面是蓝宝石衬底11的R晶面，所以模板10可以容易地从其背面侵蚀或溶解于熔剂混合物中。因此，模板10从其背面逐步侵蚀或溶解，导致从半导体分离或溶解于熔剂中。当GaN单晶20成长至例如约500μm或更大的足够厚度时，保持坩锅的温度为850℃至880℃，由此整个蓝宝石衬底11溶解于熔剂混合物中。
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公开(公告)号：CN101384953B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200780006027.X
申请日：2007-03-14
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/37
CPC classification number: G02F1/37 , G02F1/3551 , G02F2001/3505 , G02F2001/354
Abstract: 本发明提供一种输出特性能够与入射强度相应地增加且能够在室温下使用的波长转换光学元件。本发明的波长转换光学元件是包含硼酸铯锂系列结晶的波长转换光学元件，其特征在于，上述结晶中的水杂质的含有量是如下这样的含有量，即在将上述结晶加工为Nd:YAG激光的4倍高次谐波发生方位的光学元件且长度为10mm的光学元件时，将上述光学元件的红外透射频谱中的3589cm-1的透射率(Ta)作为指标，透射率(Ta)与偏振光方向无关且不考虑在光学研磨表面上的损失时的实测值为1％以上的含有量。
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公开(公告)号：CN101395305B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200780007680.8
申请日：2007-03-05
Applicant: 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 丰田合成株式会社
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/10 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B19/063
Abstract: 单晶的生长方法是，在含氮非氧化性气氛下，通过使原料在容器1内熔融而生长单晶时，在使搅拌介质12与混合熔液10接触的状态下，一边摇动容器1，一边生长单晶，其中所述搅拌介质12由和该混合熔液10为非反应性的材质所形成的固形物形成。
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公开(公告)号：CN101583745A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200780042434.6
申请日：2007-11-14
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 财团法人大阪产业振兴机构
CPC classification number: C30B29/406 , C30B19/02 , Y10T117/1024
Abstract: 提供一种GaN晶体的制造方法，其可以实现防止成核和高品质非极性面生长中的至少一个方面。本发明的制造方法是在至少含有碱金属和镓的熔体中制造GaN晶体的方法，所述GaN晶体的制造方法包含调整前述熔体中的碳的含量的调整工序和前述镓与氮反应的反应工序。通过本发明的制造方法可以防止成核，另外，如图4所示，能够使非极性面生长。
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