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公开(公告)号：CN208063178U
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201821352823.0
申请日：2018-08-22
Applicant: 成都信息工程大学 , 成都英世博睿科技有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种面向锁相环的NBTI老化延迟监测系统，其包括PLL反馈控制回路、分频比寄存器、低功耗NBTI老化延迟监测器和分频比产生电路；PLL反馈控制回路包括晶振、鉴相器、滤波器、压控振荡器和分频电路；低功耗NBTI老化延迟监测器的信号输入端接入睡眠控制信号，低功耗NBTI老化延迟监测器的信号输出端连接分频比产生电路的信号输入端；分频比产生电路的信号输出端连接分频比寄存器的信号输入端；分频比寄存器的信号输出端连接分频电路的另一个信号输入端。本实用新型能监测PMOS NBTI老化程度，调整锁相环的分频比，从而产生出频率与电路老化程度相适应的时钟信号提供给外部同步时序逻辑电路，避免时序错误。
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公开(公告)号：CN210201547U
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201921211434.0
申请日：2019-07-30
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本实用新型涉及一种能量转换装置。所述装置包括储能控制模块、充能模块、储能模块、恒流限压模块以及基准模块。本实用新型通过温差发电的方式，将电器所产生的热能进行利用，当需要充电时连通充电线路，充满后则断开充电线路，能有效利用电器所散发的热能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207896957U
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201820243607.6
申请日：2018-02-11
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H03K23/50
Abstract: 本实用新型公开了一种高速分频器，包括减法电路、反相电路和加法电路。减法电路接收N位分频比信号和输入时钟信号并提供减法信号；反相电路接收所述减法信号并提供减反信号；加法电路接收所述减反信号和分频比信号的高(N-1)位，其提供进位信号。在偶数分频情况下，该高速分频器可以获得占空比为50％的进位信号作为分频信号，避免了频率抖动；在奇数分频情况下，将进位信号进行补偿或调节，同样可以获得占空比为50％的分频信号。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN207611302U
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201721919010.0
申请日：2017-12-29
Applicant: 成都信息工程大学 , 四川海创天芯科技有限公司 , 四川悠服科技有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 公开了一种模拟集成电路领域的高电源抑制比基准电压源，该基准电压源具有启动电路、基准单元和反馈电路，包括控制端、电源端、偏置端、基准提供端和接地端，其控制端接收控制信号VCON，其电源端耦接至外部电源VCC，其偏置端提供偏置电压VBA，其基准提供端提供一基准电压VREF。该基准电压源具有很高的电源抑制比。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207586786U
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201721894819.2
申请日：2017-12-29
Applicant: 成都信息工程大学 , 四川海创天芯科技有限公司 , 四川悠服科技有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 公开了一种模拟集成电路领域的高电源抑制比基准电流源，该基准电流源具有启动电路、基准单元和反馈电路，包括控制端、电源端、基准提供端和接地端，其控制端接收控制信号VCON，其电源端耦接至外部电源VCC，其基准提供端提供一与绝对温度成正比的PTAT电流。该基准电流源具有很高的电源抑制比。
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公开(公告)号：CN207460103U
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201720384297.5
申请日：2017-04-13
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 公开了一种高效率放大器，包括功率放大器和电源提供装置。功率放大器具有第一输入端、第二输入端、输出端、第一电源端和第二电源端，其第一电源端接收正电源，其第二电源端接收负电源，其输出端提供驱动信号。电源提供装置具有采样端、提供正电源的第一输出端和提供负电源的第二输出端，其第一输出端耦接至所述功率放大器第一电源端，其第二输出端耦接至所述功率放大器第二电源端。高效率放大器的正电源和负电源可以随着驱动信号而变化，减小了输出晶体管的功率损耗，从而提高该放大器的效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207882791U
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201820191341.5
申请日：2018-02-05
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 公开了一种无运放高阶低温漂带隙基准电路，包括启动电路、偏置电路、正温度系数电路、负温度系数电路、正温度系数补偿电路、负温度系数补偿电路，该无运放高阶低温漂带隙基准电路采用无运放电路结构，采用BJT电流镜提高了输出基准电压的电源抑制比(PSRR)。本实用新型提供的电路具有12V～36V的宽电压输入、0～7V的可调宽输出电压、在-75℃～125℃的温度范围内产生温度系数为5ppm/℃的基准电压，功耗极低35mW和高阶温度补偿的特征。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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