齐纳二极管的制作方法和LED封装器件

    公开(公告)号:CN105390395B

    公开(公告)日:2018-08-31

    申请号:CN201510875472.6

    申请日:2015-12-02

    Abstract: 本发明公开了齐纳二极管的制作方法和LED封装器件,包括在一基板上载设一临时载体,所述临时载体包括有与所述基板接触的第一接触层、与齐纳二极管接触的第二接触层;将齐纳二极管均匀排布在该临时载体的第二接触层;在均匀排布有齐纳二极管的临时载体上涂覆白色反光胶并固化,使齐纳二极管表面形成一白色反光胶层;研磨去掉齐纳二极管的电极表面的白色反光胶层;去掉所述临时载体和基板;切割得到四周带有反光胶层的齐纳二极管单体。所述LED封装器件包括通过该方法制作的齐纳二极管。通过方法制作的齐纳二极管不仅可以有效地避免吸光效应,而且制作过程不需要增加现有封装设备和工序,同时该方法制作的齐纳二极管良品率高。

    一种转向灯故障侦测系统
    52.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108082041A

    公开(公告)日:2018-05-29

    申请号:CN201711432097.3

    申请日:2017-12-26

    CPC classification number: B60Q11/007

    Abstract: 本发明公开了一种转向灯故障侦测系统,包括:开路侦测电路,输入端与转向灯的第一输出端连接,用于侦测转向灯的开路信息;短路侦测电路,输入端与转向灯的第二输出端连接,用于侦测转向灯的短路信息;车身控制器,分别与开路侦测电路的输出端和短路侦测电路的输出端连接,用于根据开路信息或短路信息输出故障指示信息。采用本发明的转向灯故障侦测系统能够及时侦测故障信息,并将故障信息提供给驾驶员,可有效增加形成的安全性。

    一种倒装LED发光器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN107819065A

    公开(公告)日:2018-03-20

    申请号:CN201711024187.9

    申请日:2017-10-27

    CPC classification number: H01L33/62 H01L33/54 H01L33/641

    Abstract: 本发明涉及发光二极管的LED芯片领域,具体地涉及一种倒装LED芯片发光器件及其制备方法。所述倒装LED发光器件包括支架、倒装LED芯片,所述倒装LED芯片通过锡膏固定在所述支架上,所述支架的正极固晶区和负极固晶区的外部各设置有一绝缘围坝隔离带。一方面,通过在支架正、负极固晶区间外部各增加一围坝绝缘带,防止锡膏流动导致的正负极连通造成漏电现象;另一方面,在所述正、负极固晶区间涂覆一层绝缘导热胶,能够增加散热的同时也可有效防止漏电,增加良品率。

    一种LED支架及其发光器件
    56.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107768500A

    公开(公告)日:2018-03-06

    申请号:CN201710889073.4

    申请日:2017-09-27

    Abstract: 本发明提供一种用于封装倒装芯片的LED支架,包括导电导热基层,所述导电导热基层分隔为正极板块及负极板块;所述导电导热基层的用于与所述封装芯片相连接的芯片连接表面暴露在外界,其它的表面上设置有非金属不导电反光层;所述正极板块与负极板块之间设置有非金属不导电反光材料块。通过上述结构,避免了助焊剂与金属反光层的接触,从而极大改善助焊剂残留镀银层带来的可靠性及亮度下降的问题;而通过非金属不导电反光块的顶面与倒装芯片1的底面之间的距离大于非金属不导电反光材料块32在25℃~300℃膨胀的厚度,改善了因非金属不导电反光层的热膨胀导致的芯片漏电问题。

    一种LED封装结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN106505138A

    公开(公告)日:2017-03-15

    申请号:CN201611083244.6

    申请日:2016-11-30

    Abstract: 本发明公开一种LED封装结构,包括LED芯片、LED载体、光转换层和外保护层,所述LED芯片设于LED载体上;还包括有透明硅胶层,透明硅胶层被包覆于光转换层和所述LED芯片之间;位于透明硅胶层上方的光转换层的厚度从中心区到四周逐渐减小,位于透明硅胶层侧壁的光转换层的厚度从上往下逐渐增大;外保护层包覆光转换层。本发明还公开了一种LED封装结构的制备方法。本发明所述的LED封装结构,改进了LED芯片外围的光转换层的分布,提高了LED器件的空间色温均匀性,且解决了光转换层受热失效的问题;对于其制备方法,实现了机械化生产,封装步骤简单,可实现批量化生产。

    一种集成式LED芯片的制作方法及集成式LED芯片

    公开(公告)号:CN119836077A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202411987282.9

    申请日:2024-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种集成式LED芯片的制作方法及集成式LED芯片,制作方法包括步骤:在LED外延片的上表面蒸镀一层透明导电层;在透明导电层的一面进行刻蚀处理,得到若干发光单元以及隔离槽、负极平台;在发光单元蒸镀正极焊盘,在负极平台蒸镀负极焊盘;在透明导电层的一面蒸镀钝化层;对覆盖在隔离槽、负极平台上覆盖的钝化层进行刻蚀处理,得到负极凹槽;在负极凹槽内蒸镀负极导电金属得到负极。通过本发明制作方法得到的集成式LED芯片,是一个整的模块,相当于现有技术中的“单颗芯片+电路”,结构更为简单,工艺流程更少,不需要额外增加电路板,并且能够直接贴在散热器上使用。

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