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公开(公告)号：CN108321291A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810084086.9
申请日：2018-01-29
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种具有二维电子气沟道势垒层局部凹槽结构的霍尔传感器及其制作方法，属于半导体传感器领域。在半导体衬底上依次生长缓冲层、外延层和势垒层，势垒层表面设有3个主电极C0、C1和C2，主电极C1和C2关于主电极C0中心对称，主电极C0和C1之间、C0和C2之间设置有凹槽结构，两边凹槽结构关于主电极C0中心对称，并且凹槽结构的宽度小于C0和C1或者C0和C2之间电极间距，主电极C0和C1之间的凹槽结构上设置有感测电极S1，主电极C0和C2之间的凹槽结构上设置有感测电极S2。本发明通过选区浅刻蚀形成凹槽，保留凹槽下方完好的异质结界面,能利用二维电子气的高迁移率优势，又能保证在弱磁场信号下运动中的载流子能发生有效偏移，从而提高器件探测敏感度。
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公开(公告)号：CN108170910A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711344193.2
申请日：2017-12-15
Applicant: 大连理工大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种半导体电极欧姆接触电阻参数提取方法，本发明采用半导体欧姆接触各电极间距相同，而电极宽度不同的方案，由此带来了新的更加准确的欧姆接触电阻计算模型。方案简单、易用、准确，由于在该方案中考虑到实际情况中金‑半接触下方材料本身的方块电阻变化，相对于传统方案，获得的实验数据更加准确，能够满足实际工艺变化的要求，因此是一种更加有效的评估欧姆接触特性的技术方案。本技术方案模型能够对欧姆接触电极进行全面评估，同时准确提取电极间材料的方块电阻、接触电极下方材料的方块电阻以及比接触电阻率等参数，对半导体器件的设计参考具有积极的指导性意义。
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公开(公告)号：CN119675444A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411799301.5
申请日：2024-12-09
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种隔离型高频DC/DC变换器系统及其启动控制方法，属于电力电子技术领域，该系统包括前级四象限换流器、LLC谐振变换器以及负载；在启动时，四象限换流器带充电电阻启动，限制启动电流的冲击，与此同时触发LLC谐振变换器启动；LLC谐振变换器变压器原边H桥开关管S1、S4脉冲信号相同，S2、S3脉冲信号相同，且启动过程中脉冲信号占空比由0逐渐增加至50％并保持不变，此时四象限换流器切除充电电阻，进入电压电流闭环控制；随后，LLC谐振变换器由开环控制切换为闭环控制，通过变频控制调节输出电压；该方法在四象限换流器尚未达到高压时即启动LLC谐振变换器，避免了LLC启动的冲击电流，确保系统启动过程平稳过渡至稳态，有效提升了系统运行的可靠性。
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公开(公告)号：CN119420166A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411315040.5
申请日：2024-09-20
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种基于神经网络的模块化多电平铁路功率调节器主动热控制策略，属于调节器以及控制技术领域，模块化多电平变换器具有有功、无功灵活调节，在高压直流输电领域得到了广泛应用。在三相系统中，利用环流的控制自由度可以实现电容电压波动及损耗最优。而针对铁路牵引的单相系统，环流的特性具有很大不同。本发明针对模块化多电平铁路功率调节器运行具有间歇工作制的特点，频繁启停导致结温波动带来的可靠性问题，提出了一种结合神经网络的二倍频环流注入的主动热控制策略，分析了改善前后器件的可靠性；本发明有效延缓器件老化，从而延长功率器件使用寿命；减少散热器或其他冷却装置的体积和重量，降低总体成本，便于散热系统的设计。
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公开(公告)号：CN115128133B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202210600355.9
申请日：2022-05-30
Applicant: 大连理工大学 , 沈阳仪表科学研究院有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种可视化湿敏元件及其制备方法，属于湿度传感器领域。所述制备方法包括如下步骤：步骤一：利用混合溶剂，配置酚酞和不同碱源的混合溶液；步骤二：将含有巯基的笼状单体以及含有烯键的单体作为骨架材料，加入溶剂和步骤一中配置好的均一溶液；步骤三：在光催化剂的作用下，步骤二中得到的均一溶液，通过紫外光的照射进行光聚合反应；步骤四：通过步骤三的聚合反应得到的凝胶状固体至于真空烘箱中进行溶剂的挥发；步骤五：对步骤四中得到的无溶剂固体进行研磨，即得到具有湿度指示功能的聚电解质湿敏材料。该湿敏材料兼具光学和电学双模信号输出，可以适用于不同要求的应用场景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117761126A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311804631.4
申请日：2023-12-25
Applicant: 润新微电子(大连)有限公司 , 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓气体传感器及其制备方法、应用，制备方法包括：对衬底进行镀膜形成非晶氮化镓薄膜，得到含有非晶氮化镓薄膜的衬底；对含有非晶氮化镓薄膜的衬底进行热退火，使非晶氮化镓薄膜转变为多晶氮化镓薄膜，得到含有多晶氮化镓薄膜的衬底；对含有多晶氮化镓薄膜的衬底进行湿法腐蚀，在非晶氮化镓薄膜的表面形成多孔结构，得到具有多孔结构的衬底；对具有多孔结构的衬底涂覆光刻胶后进行图案化光刻，得到具有叉指电极图形的衬底；目标图形为叉指电极图形；在具有目标图形的衬底上生长电极后，去除剩余光刻胶得到氮化镓气体传感器。本发明的氮化镓气体传感器符合用于检测或监测氨气的高灵敏度、低检测限和高敏选择性需求。
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公开(公告)号：CN117723472A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311821060.5
申请日：2023-12-27
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01N15/1434 , G01N15/149 , G01N15/14
Abstract: 一种低背景噪声颗粒物检测仪，包括光源、光电探测器、光学透镜、外加磁场和黑色样品池。黑色样品池的内表面呈黑色用以吸收激发光，其材质为不透光且不产生荧光的材料；黑色样品池的侧壁具有多个相互垂直的小孔通道，分别与光源和光电探测器相连；光源发射的激发光通过其中一小孔通道进入黑色样品池，照射待测样品；待测样品中的颗粒物在激发光的照射下发出信号光，信号光通过其余小孔通道进入光电探测器；颗粒物利用重力和外加磁场实现对气泡颗粒、铁磁颗粒和非铁磁颗粒的在线成像与识别；光学透镜位于小孔通道内，用于聚焦激发光或信号光；通过测试信号光的强度分布和光谱等信息可以获知待测样品中颗粒物的尺寸、组分与含量。
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公开(公告)号：CN117279480A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311222833.8
申请日：2023-09-21
Applicant: 大连理工大学
IPC: H10N50/20 , H10N50/10 , H10N50/01 , C30B25/02 , C30B29/40 , C30B33/12 , C23C14/35 , C23C14/16 , C23C16/34 , C23C16/50 , C23C28/00
Abstract: 本发明公开了一种二维电子气侧壁注入型自旋信息器件结构及制备方法，属于半导体信息器件技术领域。其结构包括衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层、铁磁层、C1电极层、C2电极层、钝化层和电极窗口。其制备方法包括：衬底准备；外延生长；刻蚀；电极生长；铁磁生长；电极生长；表面钝化；开窗引线。本发明提供的一种二维电子气侧壁注入型自旋信息器件结构及制备方法，二维电子气的高迁移率，可使得器件实现超高速传输和超快速响应，提高信息的传输和存储效率；对二维电子气进行自旋注入，可同时控制电子的电荷属性和自旋属性，增加信息处理自由度，降低功耗，增加集成度。
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公开(公告)号：CN116828973A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202211557296.8
申请日：2022-12-06
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 基于HEMT结构的镓系半导体忆阻器及其制备方法，属于半导体器件技术领域。在衬底上依次生长缓冲层、GaN层、AlGaN层，AlGaN层上方设有下电极，AlGaN层上方还设有器件区域或者器件区域阵列，器件区域或者器件区域阵列中，由上至下依次设置上电极、缓冲层和功能层，上电极位于AlGaN层上方，缓冲层和功能层设置于AlGaN层中。有益效果：本发明将忆阻器件与HEMT结构融合，利用二维电子气进行导电；可以对器件的侧壁进行保护，对刻蚀工艺的要求较低，四种实现方法可对中间功能层以及缓冲层进行调整，器件制备灵活性较高，缓冲层提供了氧空位以及和电极的欧姆接触，大大增加了器件的可调控性；本结构为未来忆阻器神经网络与功率器件、开关器件的集成提供了一种前瞻性方案。
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公开(公告)号：CN115692510A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211113647.6
申请日：2022-09-14
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L29/82
Abstract: 基于二维电子气沟道结构的二维磁敏传感器及其制备方法，属于半导体传感器技术领域。技术方案：在衬底上依次生长缓冲层、沟道层、势垒层，沟道层和势垒层形成异质结结构层，二者接触界面由极化电荷诱导产生二维电子气，势垒层上方设置磁致伸缩层，磁致伸缩层上方设置电极Sx1、电极Sx2、电极Sy1、电极Sy2，电极Sx1、电极Sx2、电极Sy1、电极Sy2均从磁致伸缩层上方延伸至异质结结构层，电极Sx1和电极Sx2对称设置，电极Sy1和电极Sy2对称设置。有益效果：本发明所述基于二维电子气沟道结构的二维磁敏传感器调控了单一Ⅲ‑Ⅴ族半导体异质结磁传感器的极化效应，在对恶劣环境下平行于器件方向的磁场测量时可以实现较高的灵敏度，并且简单的结构减小了器件体积，易于集成。
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