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公开(公告)号：CN108461404A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810532221.1
申请日：2018-05-23
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/443 , H01L29/45
Abstract: 本发明属于半导体器件欧姆接触电极制作技术领域，提供了一种氧化镓欧姆接触电极的制备方法，步骤如下：步骤1、在氧化镓层上依次预沉积镁层和金层，镁层的厚度为1nm～1mm，金层的厚度为1nm～1mm；步骤2、将上述样品进行热处理，热处理的条件如下：热处理温度为100℃～800℃；热处理时间为30s～3600s；热处理压强为1×10-6Pa～1×106Pa；热处理气氛为真空或惰性气体；步骤3、温度降到室温后，取出，即为氧化镓欧姆接触电极。本发明创新在于设计了一种基于镁金合金的新型氧化镓欧姆接触电极，其制备工艺简单，对氧化镓材料无损伤，特别适用于研制电子浓度较低的氧化镓基器件。
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公开(公告)号：CN105576020B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201610109041.3
申请日：2016-02-26
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，提供一种具有纵向栅极结构的常关型HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件包括：层叠设置的衬底、缓冲层、i‑GaN层、栅介质层和钝化层，i‑GaN层一端、且背离缓冲层的一侧为阶梯形；包覆在阶梯形下层和栅介质层之间的源电极；包覆在阶梯形上层和栅介质层之间的势垒层和漏电极；包覆在栅介质层和钝化层之间的栅电极，栅电极的截面呈“Z”字形，栅电极的上平面位于阶梯形上层的上方，下平面位于阶梯形下层的上方；依次穿过钝化层和栅介质层且与源电极接触的源电极焊盘；依次穿过钝化层和栅介质层且与漏电极接触的漏电极焊盘。本发明能减小栅极开启沟道的长度，降低器件的栅极导通电阻,实现常关型操作。
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公开(公告)号：CN103469173B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310414275.5
申请日：2013-09-12
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C16/40
Abstract: 本发明提供一种空穴导电特性氧化镓膜的制备方法及空穴导电特性氧化镓膜，空穴导电特性氧化镓膜的制备方法包括以下步骤：将衬底置于密封反应室内的生长托盘上，加热托盘到高于氧化镓膜预期生长温度10-200℃，对衬底进行热处理；将托盘温度降到预定生长温度后，在预设压强范围内继续对反应室抽气；向反应室内通入镓源、氧源和掺杂源，实现氧化镓膜的外延生长；当氧化镓膜生长过程结束后，对氧化镓膜进行原位热处理或直接将氧化镓膜缓慢降温取样或取样后再进行热处理，得到空穴导电特性氧化镓膜。本发明步骤科学、合理，克服了现有技术的诸多问题，提供了一种有效的受主掺杂途径，能制备具有不同空穴浓度的氧化镓膜。
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公开(公告)号：CN104979446A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510274602.0
申请日：2015-05-26
Applicant: 江苏新广联科技股份有限公司 , 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种SiC衬底GaN基紫外LED外延片、SiC衬底GaN基紫外LED器件及制备方法，SiC衬底GaN基紫外LED外延片包括自下而上设置的n型SiC衬底、缓冲层、导电的布拉格反射镜层(DBR)、n-AlxGa1-xN层、紫外发光多量子阱层和p-GaN层，所述X选自0-1，n型SiC衬底厚度小于等于100微米。本发明还公开了一种采用所述SiC衬底GaN基紫外LED外延片制备而成的器件。本发明所述外延片和器件利用导电的布拉格反射镜层将量子阱向衬底方向发射的光反射回表面方向，同时利用其导电特性，在解决SiC材料对紫外光吸收同时，也实现了外延片和器件的垂直电流输运、高光提取效率及高散热能力。
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公开(公告)号：CN103730549A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201410006227.7
申请日：2014-01-07
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，公开了一种基于SiC衬底的垂直结构GaN基紫外LED及其制备方法，首先在SiC衬底上制备GaN基紫外LED结构；然后在p-GaN层上制备欧姆反射层及金属键合层；其次将制备好金属键合层的外延片与导电导热基板进行热压键合；再次，将碳化硅衬底减薄，将SiC衬底去除；最后在n-AlGaN层上光刻图形，蒸镀金属电极并制备成紫外LED。本发明采用SiC作为UVLED的衬底，材料生长质量好；采用的导电导热基板能够作为p-GaN电极并提供支撑，从而使紫外LED电流分布更加均匀；采用的衬底剥离工艺可将对紫外光有很强吸收作用的SiC衬底完全剥离，不仅解决了外延工艺中的技术难点也避免了SiC材料对紫外光吸收的负面影响，还使得器件的外量子效率得到大幅提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102703974A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210190964.8
申请日：2012-06-12
Applicant: 大连理工大学 , 浙江水晶光电科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于提高GaN膜质量的蓝宝石图形衬底及制备方法，利用掩膜技术在c面蓝宝石衬底上制备三角形掩膜图形，并利用ICP干法刻蚀或湿法刻蚀技术将掩膜图形转移到蓝宝石衬底上并形成侧面为[105]面的三棱锥或者三棱台。本发明通过在蓝宝石衬底上制备多个规则排列的蓝宝石[105]晶面暴露的三棱锥或三棱台，能够有效地降低其上生长的GaN薄膜内由应力引起的缺陷的密度，提高了GaN膜的生长质量。
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公开(公告)号：CN102195234A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010128998.5
申请日：2010-03-18
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种n型ZnO和p型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法，属于半导体发光器件及其制备方法技术领域。激光器件由衬底1，p型GaN外延层2，外延层2上制备的相互分立的电流下限制层3和下电极5，电流下限制层3上制备的n型ZnO基材料发光层4，上电极6等部件构成，其特征是在衬底1和p型GaN外延层2之间生长制备多层AlGaN/GaN薄膜DBR下反射镜8，n型ZnO发光层4上而制备一层n型宽带隙ZnO基三元系材料电流上限制层7，再在电流上限制层7上制备相互分立的上电极6和多层介质薄膜DBR上反射镜9。本发明的效果和益处是有可控谐振腔，可以提高器件输出功率，使激光的方向变好，进一步拓展了器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN101255550A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810010104.5
申请日：2008-01-13
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 一种Sb掺杂制备p型ZnO薄膜方法，属于半导体掺杂技术领域，本发明涉及p型ZnO的掺杂技术，特别涉及一种采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术利用有机源作为ZnO的p型掺杂剂的掺杂技术。其特征是采用锑的金属有机物做为p型ZnO的掺杂源，利用金属有机物化学气相沉积方法制备锑掺杂p型ZnO薄膜。在衬底温度为250℃～650℃时，通过调节锑的金属有机物与锌的金属有机物源的载气流量来控制锑掺入ZnO的比例进行p型ZnO的生长。本发明的效果与益处是提供一种可工业化生产移植的金属有机物化学气相沉积方法制备高质量、可控性强的p型ZnO的生长技术，克服p型ZnO掺杂的困难，进而实现ZnO的p－n结型光电器件。
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公开(公告)号：CN115911173B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202211439666.8
申请日：2022-11-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: H10F30/29 , H10F77/30 , H10F77/20 , H10F77/1226 , H10F71/00
Abstract: 本发明属于半导体器件制备技术领域，公开了一种基于激光石墨化技术的新型碳化硅器件及制备方法，包括高阻碳化硅单晶片、二氧化硅保护层、金属电极、连接电极和引线电极；金属电极位于高阻碳化硅单晶片内部；二氧化硅保护层围绕金属电极周围布置，覆盖在非金属电极所在区域的高阻碳化硅单晶片的上表面，保证高阻碳化硅单晶片和金属电极在同一平面；连接电极位于金属电极上，保证连接电极与二氧化硅保护层在同一平面；引线电极位于连接电极和二氧化硅保护层上表面。本发明设计了一种新型碳化硅器件，并提出了一种有效而简便的工艺制造技术，解决了碳化硅基高能粒子与射线探测器的制备和性能难题，实现新型碳化硅辐射探测器的研制。
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公开(公告)号：CN118866716A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410874294.4
申请日：2024-07-02
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种基于原位AAO模板的铜纳米线阵列封装凸点制备工艺，属于集成电路封装领域。主要步骤包括在硅基底上制备二氧化硅介质层；光刻刻蚀二氧化硅；沉积Al薄膜；将Al薄膜阳极氧化为纳米多孔氧化铝模板；电镀填充铜纳米线；铜纳米线阵列基板对齐进行热压或烧结键合。本发明可在硅等衬底上制备出原位垂直的阵列铜纳米线凸点，纳米线径在10‑300nm范围内可控，且致密度高、工艺简单，无需使用复杂的精密光刻和平整化设备，有效解决了铜凸点键合对高温、高压及高平整度过于依赖的问题，并大幅降低了铜凸点封装技术的工业成本和产业化难度，在集成电路封装领域具有极高的应用价值。
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