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公开(公告)号：CN221551884U
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202322418069.3
申请日：2023-09-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L29/49 , B82Y10/00
Abstract: 提供半导体装置，包括：基板；多个第一和第二通道纳米结构分别位于基板的n型和p型装置区中；栅极介电层围绕每个第一和第二通道纳米结构；n型功函数金属层在栅极介电层上；盖层在n型功函数金属层上，n型功函数金属层和盖层围绕每个第一通道纳米结构，盖层填充相邻第一通道纳米结构之间的空间；p型功函数金属层在栅极介电层和盖层上并围绕每个第二通道纳米结构，p型功函数金属层填充相邻第二通道纳米结构之间的空间；以及金属栅极填充材料层在p型和n型装置区的p型功函数金属层上。
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