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公开(公告)号：CN115119355A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202211037021.1
申请日：2022-08-29
Applicant: 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌大学
IPC: H05B45/00 , F21K9/90 , H04B10/116 , H04B10/50
Abstract: 本发明公开了一种兼顾定位和照明的高速LED器件及其制备方法，所述LED器件包括LED电路、RLC旁路和封装基板，所述LED电路中包括若干LED芯片，所述LED芯片的波长不少于两种，所述LED电路包括至少两个单独控制的LED子电路，同一所述LED子电路上的LED芯片波长相同，至少有一个所述LED子电路并联连接RLC旁路，所述RLC旁路包括相互串联的电阻R、电感L和电容C，三者与LED子电路分别固定在所述封装基板上，形成电学连接。本发明通过在LED两端并联RLC旁路，提升LED调制带宽，用不同波长LED发射信号实现精准定位，调节不同波长LED光功率，提高照明效果。
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公开(公告)号：CN114744088A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210236915.7
申请日：2022-03-11
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种图形化偏角硅衬底及其制备方法，本发明的制备方法是在偏角硅衬底的表面设有横向隔离带和纵向隔离带，这些相互平行或相互垂直的隔离带把偏角硅衬底分割成多个方块作为生长平台，隔离带的成分为SiO2或SiN，而且隔离带上不易生长GaN层，隔离带的方向与偏角硅衬底的参考边晶向形成设定的夹角，从而减少了氮化镓薄膜受到的应力，使平台内的氮化镓薄膜发光更加均匀，提高了外延可使用面积，从而进一步提高硅基III‑V族外延薄膜的外延良率。
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公开(公告)号：CN114269039B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210191929.1
申请日：2022-03-01
Applicant: 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌大学
IPC: H04B10/50
Abstract: 本发明公开了一种高电光调制带宽的LED器件，其包括LED电路、电感性器件和封装基板，所述LED电路包括若干LED‑A子电路和LED‑B子电路，所述LED‑A子电路和LED‑B子电路中包括若干个LED芯片，所述LED‑A子电路串联所述电感性器件，所述LED‑B子电路不串联所述电感性器件，所述LED‑A子电路和LED‑B子电路并联连接，且与所述电感性器件分别固定在所述封装基板上，形成电学连接，各路同时导通。本发明既可以实现LED‑A和LED‑B子电路的照明应用，也可以使更多高频信号流入LED‑B子电路，提升LED‑B子电路作为信号发射源进行通信应用时的调制带宽。
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公开(公告)号：CN113192820A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110272273.1
申请日：2021-03-12
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种硅衬底氮化铝薄膜的制备方法，它是在高温下向反应室通入NH3和TMIn，对硅衬底表面进行预处理，可有效地降低AlN中的位错密度，减小AlN表面粗糙度，然后进行铺铝，最后生长AlN层，获得表面平整、无孔洞高质量的AlN薄膜。本发明的制备方法易于实现，便于大规模生产，可广泛应用于制造硅衬底III族氮化物LED以及电力电子器件等半导体器件领域。
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公开(公告)号：CN112490303A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011168549.3
申请日：2020-10-28
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种n面出光为特定几何图形的AlGaInP薄膜LED芯片结构，所述LED芯片包括基板、粘结保护层、p电极，在p电极的上面设有图形化外延层；图形化外延层从下至上依次包括：p型层、发光层、n型层、n型欧姆接触层；在图形化外延层上面设有钝化层和n电极；n电极与图形化外延层接触的区域为n型欧姆接触层；所述的图形化外延层形状为特定平面几何图形。本发明应用于指示、显示等领域，具有光的品质更佳、光的显指更高等优点，并且更加节能和有利于批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112234125A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202010958504.X
申请日：2020-09-14
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了具有高抗静电能力的GaN基LED外延结构及生长方法，该外延结构自下而上依次为衬底、缓冲层、n型层、应力调节层、多量子阱层和p型层，在n型层和多量子阱层之间生长有应力调节层，该应力调节层包括从下向上依次叠加的掺杂Si的抗静电层、位错阻挡层。这种结构中的所述抗静电层在生长过程中掺Si并开启大量V形坑，V形坑作为漏电通道在加反向静电压的时候能够有效的引导冲击电流从V形坑中传导，使冲击电流分布均匀，大大降低芯片被击穿的可能性，有效提高GaN基LED的抗静电能力。
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公开(公告)号：CN111180562A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010026871.6
申请日：2020-01-10
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于沉积铟镓氮量子阱的有锥形坑且含铝成分的薄层，其结构特点是：在氮化镓基二极管中，位于氮化镓与铟镓氮量子阱之间，所述氮化镓在先，所述铟镓氮量子阱在后，所述锥形坑位于所述薄层的表层，所述铝元素无需连续均匀分布，可离散或随机分布于所属薄层的任意位置。本发明的优点是：（1）使在铟镓氮基二极管的制造中，沉积的铟镓氮量子阱晶体质量提高；（2）减少铟镓氮基二极管制造过程中使用的含铟原料，节约铟镓氮基二极管的制造成本；（3）减少铟镓氮基二极管的制造时间，提高铟镓氮基二极管的生产速率；（4）减少铟镓氮基二极管中位错处的漏电，提高铟镓氮基二极管的电、光学性能。
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公开(公告)号：CN111170270A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010012436.8
申请日：2020-01-07
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于电场调控形貌的表面微结构制备方法，它通过液滴凝结或者液滴打印的方法在第一聚合物表面制备液滴阵列，将第二聚合物盖在第一聚合物上，使液滴压印进入第二聚合物内部，在第一聚合物和第二聚合物之间施加电场作用，驱动液滴变形从而对液滴形貌进行调控，保持电压不变的情况下采用热固化或者紫外照射固化实现第二聚合物固化，从而在第二聚合物表面压印得到与液滴对应的微结构阵列。本发明采用液滴作为微结构阵列制备的模板，简化了制备工艺，通过外加电场的方法对液滴形貌进行调控，进而调控微结构阵列的形貌，具有工艺简单、成本低、微结构形貌灵活可控的优点。
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公开(公告)号：CN107068818B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710286224.7
申请日：2017-04-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种AlInGaN基绿、黄光LED的外延结构，包含：一个用于材料生长的衬底；层叠于该衬底上的AlInGaN基半导体叠层，该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型层、一层P型层和夹于N型层、P型层之间的AlInGaN多量子阱，特征是：在多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的V坑，且该种V坑的尺寸大小相同；平面量子阱中存在类量子点结构，并成为LED的主要发光源。本发明具有以下优点：1、多量子阱中的类量子点发光结构减弱了位错的影响；2、多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的“工艺V坑”进一步增强了V坑的空穴注入功能；3、可实现V坑增强空穴注入功能的最优化，可提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN106910804B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710286225.1
申请日：2017-04-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构，包含：一个用于材料生长的衬底；层叠于该衬底上的AlInGaN基半导体叠层，该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型层、一层P型层和夹于N型层、P型层之间的AlInGaN多量子阱，特征是：在多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的V坑，且该种V坑的尺寸大小相同。本发明可实现V坑增强空穴注入功能的最优化，改善空穴与电子的匹配度，从而提高LED的发光效率。
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