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公开(公告)号：CN113471060B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202110583269.7
申请日：2021-05-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种减少硅衬底上AlN薄膜微孔洞的制备方法，包括硅衬底预处理和在经过预处理的硅衬底上生长AlN薄膜，生长AlN薄膜过程中掺杂原子半径比Al原子半径大的Mg原子。本发明一方面利用Mg原子在生长过程中对AlN薄膜形成压应力，使AlN薄膜不易形成微孔洞，另一方面利用Mg原子在AlN中易团聚形成间隙原子填充微孔洞，从而大幅降低硅衬底上AlN薄膜微孔洞的生成。本发明的制备方法工艺简单，可实现高稳定性、高重复性的硅衬底AlN外延材料制备，解决了现有技术中AlN薄膜由于Al原子迁移弱、AlN与硅衬底之间的张应力大等导致孔洞多的问题。
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公开(公告)号：CN114844564A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210262654.6
申请日：2022-03-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H04B10/116 , H04B10/516
Abstract: 本发明公开了一种多基色LED可见光通信光源的调制方法，包括以下步骤：首先，发射端对各单基色的LED输出随机独立的二进制传输数据流，编码模块对二进制传输数据流中的每一位数据进行扩码，将一位数据扩为两位不同的数据，生成新的调制编码。然后，新调制编码加载于多个基色的LED上进行调制，产生多路并行的光信号，光信号经光电转换模块转换为电信号。最后，接收端将所接收的电信号经解调模块解调，输出解调信号，译码模块对解调信号译码，译码按原扩码方式进行反向还原，获得原始二进制传输数据流，输出新的译码。本发明简单易实现，使得单独电路控制的多基色LED合成的白光光源发光颜色亮度趋于稳定，在通信的同时其照明质量能得到有效的保障。
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公开(公告)号：CN114822378A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210309920.6
申请日：2022-03-28
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明公开了一种全彩LED器件控制方法，该器件由多个像素点构成，每个像素点由单颗无颜色转换材料的芯片构成。该单颗芯片在大电流密度下发光为蓝色，在中电流密度下发光为绿色，在小电流密度下发光为红色。通过脉冲宽度调制方法（PWM）调节电流大小来实现不同颜色，调节占空比来实现不同亮度，最终实现每个像素点单芯片全彩显示。本发明在单颗无颜色转换材料的芯片上实现了全彩发光，相对于不同颜色LED芯片多次转移，本发明只需要单次转移即可，避免了多次转移工艺复杂性和高成本问题，提高了显示的空间像素，有益于批量化实现Micro LED芯片的集成。另一方面本发明LED器件发光性能稳定、可靠性高，不存在颜色转换材料不稳定性和有毒等问题。
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公开(公告)号：CN108447908A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810420573.8
申请日：2018-05-04
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7786
Abstract: 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管，包括衬底，在衬底上依次设有缓冲层、位错阻断层、高阻层、沟道层、势垒层和盖层；所述位错阻断层为SiN层和GaN层组成的周期结构，周期数为m，其中1≤m≤10，其中SiN层呈岛状或网状分布。通过本发明，可使得随后生长的高阻层、沟道层、势垒层以及盖层中的位错密度大幅下降，提高晶体质量，从而提升高电子迁移率晶体管器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
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公开(公告)号：CN105200397B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201510615788.1
申请日：2015-09-24
Applicant: 南昌大学
IPC: C23C16/455 , C30B25/14 , C23C16/02 , C30B25/02
Abstract: 本发明公开了一种喷头型MOCVD初始状态的稳定方法及耐氯双层喷头与制作方法，喷头用电火花直接打出III族源与V族源的喷孔，这些喷孔替代了内表面粗糙的不锈钢毛细管喷管，大幅减少了喷气孔内表面积，从而减少了外延的记忆效应；喷头制作时摒弃了不耐氯腐蚀的不锈钢毛细管真空钎焊工艺，所以喷头能耐受氯气在线清洗，从而可确保每炉外延生长初始状态恒定可控，使近耦合喷头型MOCVD能较完美地用于高铝组分的第三代半导体光电器件的批量生产；喷头的冷却水道及III族源与V族源的喷气孔均电火花加工而成，根除了毛细管壁薄漏水的隐患，能满足半导体行业苛刻的密封要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107068818A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710286224.7
申请日：2017-04-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种AlInGaN基绿、黄光LED的外延结构，包含：一个用于材料生长的衬底；层叠于该衬底上的AlInGaN基半导体叠层，该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型层、一层P型层和夹于N型层、P型层之间的AlInGaN多量子阱，特征是：在多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的V坑，且该种V坑的尺寸大小相同；平面量子阱中存在类量子点结构，并成为LED的主要发光源。本发明具有以下优点：1、多量子阱中的类量子点发光结构减弱了位错的影响；2、多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的“工艺V坑”进一步增强了V坑的空穴注入功能；3、可实现V坑增强空穴注入功能的最优化，可提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN103938177A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410189925.5
申请日：2014-05-07
Applicant: 南昌黄绿照明有限公司 , 南昌大学
IPC: C23C16/06 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种可用氯气在线清洗的非钎焊MOCVD喷头，这种喷头用电火花加工成型的喷气缝代替传统粗糙的拉制不锈钢毛细管喷管，因此有较少的表面积，能减少外延记忆效应。由于喷头非钎焊，所以能使用氯气在线清洗，从而提高了MOCVD的生产效率，拓展了其应用范围。这种喷头制作简单，可靠性高，今后运行费用低。
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公开(公告)号：CN208142186U
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201820436749.4
申请日：2018-03-29
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本实用新型提供了一种高电子迁移率晶体管外延结构，包括硅衬底，在硅衬底上依次设有缓冲层、位错锐减结构、高阻层、沟道层、势垒层和盖层，所述位错锐减结构包括AlN应力层、GaN三维层和GaN合并层，所述GaN三维层为利用晶格常数差异在所述AlN应力层上形成的，所述GaN合并层为利用所述GaN三维层的侧向外延形成的。本实用新型在缓冲层和GaN高阻层之间引入一层位错锐减结构，即利用AlN与GaN之间的晶格常数差异形成的应力，在AlN应力层上直接生长GaN三维层，然后通过采用侧向外延技术在GaN三维层上形成GaN合并层，这样就无需二次外延，结构简单且实用性高，同时可以大幅地降低HEMT材料中的位错密度，提高晶体质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压等特性。
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公开(公告)号：CN208315587U
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201820323961.X
申请日：2018-03-09
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，所述第一多量子阱层包括第一多量子阱层的量子阱和第一多量子阱层的量子垒；所述第二多量子阱层包括第二多量子阱层的量子阱和第二多量子阱层的量子垒；所述第一多量子阱层的量子垒的厚度大于第二多量子阱层的量子垒的厚度。本实用新型通过减薄靠近P型层一侧的量子垒厚度，从而可有效减缓靠近P型层一侧发光阱的“量子限制斯塔克效应”，提升LED的内量子效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209993614U
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201920907952.X
申请日：2019-06-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种AlInGaN基发光二极管，从下至上依次包括：N型AlInGaN层、具有V坑的AlInGaN超晶格层、n区空穴阻挡层、AlInGaN基有源层、P型AlInGaN层，其特征在于：所述P型AlInGaN层中含有p区空穴阻挡层；所述n区空穴阻挡层仅形成于所述具有V坑的AlInGaN超晶格层的V坑侧壁，禁带宽度大于n区空穴阻挡层两侧半导体层；所述AlInGaN基有源层表面上具有V坑和连接所述V坑的平面区，所述P型AlInGaN层形成于所述平面区的上面并填充所述V型缺陷，所述p区空穴阻挡层仅位于所述平面区的上面，禁带宽度大于p区空穴阻挡层两侧半导体层。本实用新型采用高铝组分的空穴阻挡层，使空穴和电子集中在平面区复合发光，大大地提高了发光效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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