n面出光为特定几何图形的AlGaInP薄膜LED芯片结构

    公开(公告)号:CN112490303A

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN202011168549.3

    申请日:2020-10-28

    Abstract: 本发明公开了一种n面出光为特定几何图形的AlGaInP薄膜LED芯片结构,所述LED芯片包括基板、粘结保护层、p电极,在p电极的上面设有图形化外延层;图形化外延层从下至上依次包括:p型层、发光层、n型层、n型欧姆接触层;在图形化外延层上面设有钝化层和n电极;n电极与图形化外延层接触的区域为n型欧姆接触层;所述的图形化外延层形状为特定平面几何图形。本发明应用于指示、显示等领域,具有光的品质更佳、光的显指更高等优点,并且更加节能和有利于批量生产。

    一种基于主动制冷液滴凝结的表面微结构制备方法

    公开(公告)号:CN107188114B

    公开(公告)日:2019-12-24

    申请号:CN201710351836.X

    申请日:2017-05-18

    Abstract: 本发明公开了一种基于主动制冷液滴凝结的表面微结构制备方法,它通过主动制冷的液滴凝结技术,使置于一定蒸气环境下的聚合物表面温度低于环境温度,从而空气中的蒸气在聚合物表面成核,凝结长大并自组装成均匀分布的液滴,采用紫外固化实现聚合物固化和液滴蒸发,在聚合物表面得到均匀分布的微结构。本发明仅仅采用单相的聚合物材料,采用主动制冷实现聚合物温度降低,实现液滴凝结,用于替代传统的利用有机溶剂挥发制冷的表面微结构制备技术,简化了制备工艺,避免了由于有机溶剂使用带来的对人体的毒害以及环境污染等问题,具有工艺简单、成本低、微结构尺寸和形貌灵活可控和绿色环保的优点。

    一种LED芯片的封装模块及其制备方法

    公开(公告)号:CN108447854A

    公开(公告)日:2018-08-24

    申请号:CN201810299136.5

    申请日:2018-03-30

    CPC classification number: H01L25/0753 H01L33/58 H01L2933/0033

    Abstract: 本发明公开了一种LED芯片的封装模块及其制备方法,LED芯片的封装模块包括四颗LED芯片、基板、固晶层、引线和一次光学透镜;四颗LED芯片通过固晶层分别键合在基板上,四颗LED芯片的发光面均为1/4圆扇形,四颗LED芯片呈圆周分布键合到基板上,四颗LED芯片发光面组成圆形;一次光学透镜将四颗LED芯片、基板、固晶层、引线密封在基板上。二次光学系统直接安装在一次光学透镜上,四颗1/4圆扇形发光面的LED芯片组合得到圆形发光面,与二次光学系统完全匹配。本发明具有能实现LED芯片发光与光学系统的最大化耦合、提高光源模块的出光效率、制备方法简单、易实现、结构简单、成本低廉的优点,解决了LED芯片封装模块与同轴光学系统之间的光耦合效率问题。

    一种无荧光粉的全光谱LED封装结构及其封装方法

    公开(公告)号:CN106783821A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611214568.9

    申请日:2016-12-26

    Abstract: 本发明公开了一种无荧光粉的全光谱LED封装结构及其封装方法。该LED封装结构不使用荧光粉,通过多基色LED芯片直接合成白光。LED芯片包含AlInGaN材料体系制备的高光效垂直结构黄光LED芯片、高光效垂直结构绿光LED芯片、高光效垂直结构青光LED芯片和高光效垂直结构蓝光LED芯片,AlGaInP材料体系制备的高光效垂直结构红光LED芯片和高光效垂直结构橙光LED芯片。该全光谱LED封装方法,采用多基色LED芯片直接合成白光,全光谱出光具有更理想的光色品质,避免了荧光粉的使用,简化封装工艺,同时提高封装模块的可靠性,同时解决传统封装方法出光蓝光过多、青光缺失和红光不足的缺陷。

    低成本的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN103560193B

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201310383588.9

    申请日:2013-08-29

    Abstract: 本发明公开了一种低成本的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法,其结构包括:基板层,生长衬底上的外延层被转移至所述基板层之上;基板层与外延层之间,由上至下依次有阻挡保护层、稀释保护层和黏结层;N电极位于外延层之上。它利用由多种金属或合金的叠层构成的稀释保护层和阻挡保护层,克服了低成本、低熔点金属作为黏结层材料存在的抗腐蚀能力差、扩散能力强等易破坏发光二极管结构及光电性能等问题,从而可代替贵金属作为热压黏合材料,一方面极大减低了垂直式发光二极管的制备成本,另一方面较低的热压温度及压力,减小热压自身的残余应力,使器件的光电性能和可靠性得到提高。本发明主要用于半导体发光器件上。

    一种LED薄膜芯片基板的制备方法及其结构

    公开(公告)号:CN104362224A

    公开(公告)日:2015-02-18

    申请号:CN201410483424.8

    申请日:2014-09-22

    Abstract: 本发明提供了一种LED薄膜芯片基板的制备方法及其结构,通过在基板支撑材料表面制备合金准备层,并使之通过合金与基板支撑材料形成二元共混层,从而可获得具有高可靠性的半导体材料与金属的界面;通过在基板支撑材料的下方形成应力调制层并调整该层的热膨胀系数来平衡位于基板上方的LED薄膜带给基板的应力,以解决基板弯曲问题,并通过调整应力调制层的结构强度和厚度来增强基板的抗弯曲能力。

    Si衬底上选择性生长GaN基薄膜材料的方法

    公开(公告)号:CN104362080A

    公开(公告)日:2015-02-18

    申请号:CN201410491866.7

    申请日:2014-09-24

    CPC classification number: H01L21/02381 H01L21/0254 H01L21/0262

    Abstract: 本发明公开了一种在Si衬底上选择性生长GaN基薄膜材料的方法,它包括如下步骤:提供Si(111)衬底并在其上沉积SiO2介质膜;将所述SiO2介质膜制成线宽为微米数量级的图形,以使所述衬底被分割成一定尺寸的分立的生长平台;将所述衬底放入MOCVD反应室,以所述线宽为微米数量级的图形为掩膜进行区域选择性生长:采用单层AlN缓冲层生长GaN主层;所述单层AlN缓冲层在1000℃~1300℃条件下生长,厚度为300?~3000?。本发明实现了GaN基薄膜材料在Si衬底分立生长平台上真正分立生长,可充分释放外延层中的应力、有效控制裂纹的传递和增生,大大提升了Si衬底上生长GaN基薄膜材料的窗口,可有效节约GaN基薄膜材料及器件的生产成本,且本发明可广泛应用于各种GaN基薄膜材料的生长。

    一种大靶面高像素投影镜头
    58.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119986975A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202510337351.X

    申请日:2025-03-21

    Abstract: 本发明提供了一种大靶面高像素投影镜头,具有正光焦度的第一透镜,像侧面与物侧面均为凸面;具有负光焦度的第二透镜,像侧面为凸面物侧面为凹面;具有负光焦度的第三透镜,物侧面为凹面;具有正光焦度的第四透镜,像侧面与物侧面均为凸面;具有正光焦度的第五透镜,像侧面为凸面物侧面为凹面,光阑位于所述第一透镜和所述第二透镜之间,第三透镜与第四透镜进行胶合组成胶合透镜组;第二透镜中心厚度CT2,投影镜头的半像高IH,满足0.3≤CT2/IH≤0.9。投影镜头可以满足大靶面高像素大视场角显示照明的同时兼顾良好的成像质量使用需求。

    一种基于多目标进化算法的LED多光色调控方法及系统

    公开(公告)号:CN119364584A

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202411933110.3

    申请日:2024-12-26

    Abstract: 本发明提供了一种基于多目标进化算法的LED多光色调控方法及系统,该方法首先获取各单色LED的光谱及电功率数据,结合三次样条插值法和拟合函数对数据进行预处理;然后通过设计评价函数,对各个光色指标如色坐标、显色指数、色温、SDCM值及功率消耗进行优化;算法核心在于利用多目标遗传算法,通过个体评价、优胜劣汰、遗传和变异操作迭代优化种群,直至找到满足所有光色指标要求的最优PWM组合。具体的,该方法具有灵活性强、扩展性好等优点,能够适应不同的LED通道配置,并提供针对性强的光色调控方案,特别适用于无荧光粉多基色LED灯具的出厂调节,为光色优化提供了高效、自动化的解决方案。

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