一种低温溶液法制备钙钛矿量子点的方法

    公开(公告)号:CN105733574B

    公开(公告)日:2018-06-12

    申请号:CN201610066113.0

    申请日:2016-01-31

    Abstract: 本发明为一种低温溶液法合成高发光效率广色域的金属卤化物钙钛矿量子点的方法。本发明采用溶液注入法合成了尺寸均一、分散性好的金属卤化物钙钛矿量子点。该方法将反应溶剂在一定温度下保温并搅拌,再将金属卤化物前驱盐快速注入到反应溶剂中,最后水冷至室温,即可得到发光效率很高的金属卤化物钙钛矿量子点。本发明通过调节卤素的掺杂比可以获得从红外到紫外所有波长的色光,且发光区域广。

    一种亚微米羟基锡酸盐ZnSn(OH)6立方块的制备方法

    公开(公告)号:CN106629821B

    公开(公告)日:2018-05-01

    申请号:CN201610819145.3

    申请日:2016-09-12

    Abstract: 本发明公开了一种亚微米羟基锡酸盐ZnSn(OH)6立方块的制备方法。本发明采用液相激光烧蚀与溶剂热法相结合的方式,通过液相激光烧蚀浸没在溶液中的高纯金属靶材(锌靶和锡靶),获得高活性溶剂热前驱体,经过溶剂热法在较温和条件下反应合成了单一相结构、结晶性良好、形貌均一可控的ZnSn(OH)6立方块。本发明所采用方法与现有制备ZnSn(OH)6方法相比具有尺寸在亚微米、纯度高且表面光滑、反应条件温和、无杂质元素和表面活性剂添加等优点,并且溶剂热前驱体具有高活性,反应迅速。

    一种合成CsPbX3无机钙钛矿纳米片的方法

    公开(公告)号:CN105621477B

    公开(公告)日:2018-01-02

    申请号:CN201610067793.8

    申请日:2016-01-31

    Abstract: 本发明提供了一种无机金属卤化物钙钛矿纳米片的制备方法,采用高温热注入法成功制备出了铯铅卤化物CsPbX3钙钛矿纳米片。本发明采用一种高温热注入的方法合成,将金属卤化物前驱体在油系体系中,在惰性气体保护的条件下,反应生产金属卤化物钙钛矿纳米片,并通过改变反应温度和时间来控制钙钛矿纳米片的尺寸。本发明合成的纳米片形状均一,发光效率高,稳定性较好,且合成方法较简单,具有较高的开发价值。

    一种纳米氧化钨电致变色薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN105366954B

    公开(公告)日:2017-12-12

    申请号:CN201510881964.6

    申请日:2015-12-04

    Abstract: 本发明公开了一种纳米氧化钨电致变色薄膜的制备方法,将液相激光烧蚀方法与电泳沉积方法相结合,首先采用液相激光烧蚀技术在液相环境中通过激光烧蚀钨源靶材,获得高活性氧化钨纳米颗粒的胶体;然后在获得的胶体溶液中通过电泳沉积在透明导电玻璃基片上制备纳米氧化钨薄膜。本发明操作简便,制备过程快捷,反应条件温和,容易控制,所制备的纳米WO3电致变色薄膜响应速度快。

    一种室温大产率无机卤素钙钛矿荧光量子点的制备方法

    公开(公告)号:CN105331362B

    公开(公告)日:2017-08-04

    申请号:CN201510889786.1

    申请日:2015-12-07

    Abstract: 本发明公开了一种室温大产率无机卤素钙钛矿荧光量子点的制备方法,该发光量子点为CsPbX3,式中X=AxB1‑x,0≤X≤1,A和B为Cl、Br、I中的任意一种。该方法包括如下步骤:首先将卤化铅和卤化铯溶于二甲基甲酰胺中,并加入表面活性剂油胺和油酸,搅拌完全溶解后得到前驱体溶液,然后将前驱体溶液以0.08~0.13mL/s的速度滴入不良溶剂中,匀速搅拌均匀即得无机卤素钙钛矿荧光量子点CsPbX3。本发明在常温下进行,不需要保护气体,设备简单,可规模化生产,通过选择卤素并调整其比例,可以得到全可见光波段发光。本发明的制备方法制得的无机卤素钙钛矿荧光量子点半高宽为16~39nm,荧光量子效率接近90%,且可稳定放置三月以上,可用于太阳能电池、激光、光探测器、发光二极管等领域。

    一种反置结构的无机钙钛矿量子点发光二极管

    公开(公告)号:CN105720204A

    公开(公告)日:2016-06-29

    申请号:CN201610071186.9

    申请日:2016-02-01

    CPC classification number: H01L51/502 H01L51/56

    Abstract: 本发明公开了一种反置结构的无机钙钛矿量子点发光二极管,包括ITO玻璃基板、沉积在ITO玻璃表面的ZnO电子传输层、无机钙钛矿CsPbX3量子点发光层、4,4',4”?三(咔唑?9?基)三苯胺空穴传输层、空穴注入层和阳极电极材料。通过以下步骤制备:首先在洁净的ITO玻璃上采用磁控溅射法沉积ZnO电子传输层,之后取CsPbX3量子点的分散液旋涂在器件表面,然后热蒸发沉积TCTA空穴传输层,再热蒸发沉积空穴注入层,最后沉积阳极电极材料。本发明的发光二极管可调节量子点发光层材料的卤素配比覆盖可见光范围,发光稳定且发光效率高。

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