一种基于卤代烷烃光解的卤素钙钛矿光谱精细调控的方法

    公开(公告)号:CN111004627B

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN201911186368.0

    申请日:2019-11-28

    Abstract: 本发明公开了一种基于卤代烷烃光解的卤素钙钛矿光谱精细调控的方法,本发明采用光诱导方法,以全无机卤素钙钛矿纳米晶为原料,油胺、油酸为配体,以氯仿、碘乙烷等卤代烷烃为卤源,实现了卤素钙钛矿纳米晶阴离子可控交换,发光光谱精细调控。本发明所采用的方法与现有卤素钙钛矿纳米晶阴离子交换方法相比,化学反应开关可控、阴离子交换速率可控、阴离子交换程度可控的特点。卤素钙钛矿纳米晶发光峰位可以精细连续调控,可以实现图案化与空间操纵的优势。

    一种基于液相激光辐照卤素钙钛矿铯铅溴量子点的制备方法

    公开(公告)号:CN108774520B

    公开(公告)日:2021-02-12

    申请号:CN201810253031.6

    申请日:2018-03-26

    Abstract: 本发明公开了一种基于液相激光辐照卤素钙钛矿铯铅溴量子点的制备方法。全无机卤素钙钛矿是一种相对低毒、低成本、高质量的新型荧光纳米材料,在照明、显示、通讯、传感、生物成像及探测等领域有着广泛的应用前景。本发明采用液相激光辐照的方法,以铯铅溴粉末为原料,油胺、油酸为配体,在有机溶剂中合成了单一相结构、结晶性良好、形貌尺寸均一的铯铅溴量子点。本发明所采用的方法与现有铯铅溴纳米材料制备方法相比,具有原料来源广、操作简易、实验条件温和、无需加热与保护型气体、可重复性高等优点。

    一种三氧化钨纳米带自组装成微纳米星的制备方法

    公开(公告)号:CN106044858B

    公开(公告)日:2017-11-07

    申请号:CN201610365424.7

    申请日:2016-05-27

    Abstract: 本发明公开了一种可控的由三氧化钨纳米带自组装成微纳米星的制备方法。宽禁带半导体三氧化钨具有独特的物理化学性能广泛应用于电致变色、智能显示、气体传感以及超级电容器等领域。本发明采用水热方法,以钨源、醇类溶剂、双氧水为原料在较温和的条件下反应合成了高纯度正交相三氧化钨纳米带,并进一步自组装成尺寸可控、形貌均一的三维结构三氧化钨微纳米星。本发明所采用的方法与现有三氧化钨纳米带和微纳米星制备方法相比,具有实验条件温和、成本低廉、无需表面活性剂、重复性好等优点。

    一种三氧化钨纳米片自组装成微纳米花球的制备方法

    公开(公告)号:CN105271419B

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201510642840.2

    申请日:2015-09-30

    Abstract: 本发明公开了一种可控的由三氧化钨纳米片自组装成微纳米花球的制备方法。三氧化钨是一种n型宽禁带半导体氧化物,具有独特的物理和化学性能而被广泛应用于电致变色、智能显示、化学传感以及超级电容器等领域。本发明采用水热方法,以钨源、醇类溶剂、表面活性剂在较温和条件下反应合成了高纯度立方相、超薄二维氧化钨纳米片,并进一步自组装成尺寸可控、形貌均一的三维结构氧化钨微纳米花球。本发明所采用的方法与现有氧化钨纳米片和纳米花球制备方法相比,具有实验条件温和、成本低廉,制备工艺简单、重复性好等优点。

    一种基于液相激光辐照卤素钙钛矿铯铅溴量子点的制备方法

    公开(公告)号:CN108774520A

    公开(公告)日:2018-11-09

    申请号:CN201810253031.6

    申请日:2018-03-26

    CPC classification number: C09K11/665 B82Y20/00 B82Y40/00

    Abstract: 本发明公开了一种基于液相激光辐照卤素钙钛矿铯铅溴量子点的制备方法。全无机卤素钙钛矿是一种相对低毒、低成本、高质量的新型荧光纳米材料,在照明、显示、通讯、传感、生物成像及探测等领域有着广泛的应用前景。本发明采用液相激光辐照的方法,以铯铅溴粉末为原料,油胺、油酸为配体,在有机溶剂中合成了单一相结构、结晶性良好、形貌尺寸均一的铯铅溴量子点。本发明所采用的方法与现有铯铅溴纳米材料制备方法相比,具有原料来源广、操作简易、实验条件温和、无需加热与保护型气体、可重复性高等优点。

    一种三氧化钨纳米带自组装成微纳米星的制备方法

    公开(公告)号:CN106044858A

    公开(公告)日:2016-10-26

    申请号:CN201610365424.7

    申请日:2016-05-27

    Abstract: 本发明公开了一种可控的由三氧化钨纳米带自组装成微纳米星的制备方法。宽禁带半导体三氧化钨具有独特的物理化学性能广泛应用于电致变色、智能显示、气体传感以及超级电容器等领域。本发明采用水热方法,以钨源、醇类溶剂、双氧水为原料在较温和的条件下反应合成了高纯度正交相三氧化钨纳米带,并进一步自组装成尺寸可控、形貌均一的三维结构三氧化钨微纳米星。本发明所采用的方法与现有三氧化钨纳米带和微纳米星制备方法相比,具有实验条件温和、成本低廉、无需表面活性剂、重复性好等优点。

    一种纳米氧化钨电致变色薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN105366954A

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201510881964.6

    申请日:2015-12-04

    Abstract: 本发明公开了一种纳米氧化钨电致变色薄膜的制备方法,将液相激光烧蚀方法与电泳沉积方法相结合,首先采用液相激光烧蚀技术在液相环境中通过激光烧蚀钨源靶材,获得高活性氧化钨纳米颗粒的胶体;然后在获得的胶体溶液中通过电泳沉积在透明导电玻璃基片上制备纳米氧化钨薄膜。本发明操作简便,制备过程快捷,反应条件温和,容易控制,所制备的纳米WO3电致变色薄膜响应速度快。

    一种基于卤代烷烃光解的卤素钙钛矿光谱精细调控的方法

    公开(公告)号:CN111004627A

    公开(公告)日:2020-04-14

    申请号:CN201911186368.0

    申请日:2019-11-28

    Abstract: 本发明公开了一种基于卤代烷烃光解的卤素钙钛矿光谱精细调控的方法,本发明采用光诱导方法,以全无机卤素钙钛矿纳米晶为原料,油胺、油酸为配体,以氯仿、碘乙烷等卤代烷烃为卤源,实现了卤素钙钛矿纳米晶阴离子可控交换,发光光谱精细调控。本发明所采用的方法与现有卤素钙钛矿纳米晶阴离子交换方法相比,化学反应开关可控、阴离子交换速率可控、阴离子交换程度可控的特点。卤素钙钛矿纳米晶发光峰位可以精细连续调控,可以实现图案化与空间操纵的优势。

    一种三氧化钨纳米片自组装成微纳米花球的制备方法

    公开(公告)号:CN105271419A

    公开(公告)日:2016-01-27

    申请号:CN201510642840.2

    申请日:2015-09-30

    Abstract: 本发明公开了一种可控的由三氧化钨纳米片自组装成微纳米花球的制备方法。三氧化钨是一种n型宽禁带半导体氧化物,具有独特的物理和化学性能而被广泛应用于电致变色、智能显示、化学传感以及超级电容器等领域。本发明采用水热方法,以钨源、醇类溶剂、表面活性剂在较温和条件下反应合成了高纯度立方相、超薄二维氧化钨纳米片,并进一步自组装成尺寸可控、形貌均一的三维结构氧化钨微纳米花球。本发明所采用的方法与现有氧化钨纳米片和纳米花球制备方法相比,具有实验条件温和、成本低廉,制备工艺简单、重复性好等优点。

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