一种覆有活性电极膜的超级电容器电极的制备方法

    公开(公告)号:CN105931861A

    公开(公告)日:2016-09-07

    申请号:CN201610423216.8

    申请日:2016-06-14

    CPC classification number: Y02E60/13 H01G11/86 H01G11/46

    Abstract: 本发明公开了一种覆有活性电极膜的超级电容器电极的制备方法,通过对导电箔基体作除油、水洗、酸洗、水洗预处理,然后在处理后的导电箔表面镀覆镍铜铁磷合金膜,再通过热碱腐蚀原位合成复合(氢)氧化物膜,最后循环活化制得覆有活性电极膜的超级电容器电极。本发明制备的覆有电极膜的超级电容器电极具有导电性、力学性能、耐蚀性和耐热性好,内阻小,比电容高,电极膜与集流体间结合力高,电极膜厚度均匀等优点;制备的超级电容器电极比电容达1.45F/cm2,在循环3500次后电容保持率达98.1%。且本发明提供的制备方法具有所需设备投资少、工艺操作简单易控制、重复性好、适合产业化生产等特点。

    一种大中型复杂结构空心盘形锻件的高效精密成形方法

    公开(公告)号:CN105921948A

    公开(公告)日:2016-09-07

    申请号:CN201610289601.8

    申请日:2016-05-04

    CPC classification number: B23P15/00

    Abstract: 本发明公开了一种大中型复杂结构空心盘形锻件的高效精密成形方法,包括如下步骤:步骤SS1将棒料毛坯使用中频感应加热至1050℃~1250℃,采用自由敦粗与冲孔相复合的工艺进行制坯,终锻温度为950℃~1150℃;步骤SS2 对所述步骤SS1获得的坯料进行径‑轴向辗环精整,工作温度为1050℃~1150℃;步骤SS3 对所述步骤SS2获得的坯料进行表面喷丸处理,中频感应加热至1000℃~1200℃,采用模锻进行净成形,终锻温度为900℃~1150℃;步骤SS4 利用锻造余热对于所述步骤SS3获得的工件进行压平矫正,并通过微量锻、压进行二次加工产生形变强化提高工件力学性能,制得复杂结构空心盘形锻件。本发明可实现自动化连续作业,提高工件成形效率及精度,并显著降低成形过程中的能耗,减少生产成本。

    一种耐热镁合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN105624497A

    公开(公告)日:2016-06-01

    申请号:CN201610034616.X

    申请日:2016-01-19

    CPC classification number: C22C23/00 B22F9/04 B22F2009/041 C22C1/0408

    Abstract: 本发明属于镁合金技术领域,特别涉及一种耐热镁合金及其制备方法,按照质量百分含量为5%≤Ti≤10%,其余为Mg的合金成分配比进行配料,将称量好的纯Mg粉和纯Ti粉放入球磨机内进行机械球磨,在纯度为99.99%以上的惰性气体的保护下,机械球磨时间80-100小时,机械球磨的球料比10:1-30:1,机械球磨的转速300-400转/分钟,机械球磨过程中惰性气体的压力为0.5-1MPa,球磨结束后,得到耐热镁合金。本发明的耐热镁合金,仅使用一种元素Ti,没有添加价格昂贵的稀土元素与晶须,合金的成本较低,而且保持了良好的耐热性能,在250℃及应力为30MPa条件下,其塑性变形率为0.2%-0.35%。Ti元素本身密度也很轻,仅为4.54g/cm3,而且Mg与Ti互不相溶,二者自身不会发生不稳定析出造成耐热性能的下降。

    一种C/C复合材料表面SiC纳米线增韧SiC陶瓷涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN105541412A

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201610053565.5

    申请日:2016-01-27

    Abstract: 本发明公开了一种C/C复合材料表面SiC纳米线增韧SiC陶瓷涂层的制备方法,将打磨抛光干燥后的C/C复合材料置于沉积炉中,通电升温至预定温度后,向装有甲基三氯硅烷的鼓泡瓶中通入载气氢气,将反应气源带入炉堂内进行反应,先得到SiC纳米线;再升温至预设温度后,进行SiC涂层的沉积,沉积结束后降温,即可得到SiC涂层;本发明采用一步CVD法原位制备具有三明治结构的致密SiC纳米线增韧SiC涂层,通过SiC纳米线的增韧作用,降低了SiC涂层的开裂趋势,抗氧化能力提升显著,所制备的陶瓷涂层C/C复合材料在1400℃静态空气中氧化420小时失重仅为0.48%,本发明工艺过程简单易实现,解决了现有方法制备的SiC纳米线增韧SiC陶瓷涂层工艺复杂,效果不显著的问题。

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