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公开(公告)号：CN104562097B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201510035981.8
申请日：2015-01-23
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种自支撑镍纳米线阵列膜的制备方法，包括以下步骤：(1)对铝材进行去油、表面清洗；(2)以步骤(1)得到的铝材为阳极，以铝或钛为阴极，在草酸电解液中通过电压源对铝进行恒压阳极氧化；(3)将步骤(2)中获得的阳极氧化铝膜在1％～10％磷酸中进行扩孔；(4)将步骤(3)中获得的阳极氧化铝膜置于镍盐溶液中进行电沉积镍，使镍填充满阳极氧化铝的直孔通道并在阳极氧化铝膜表面形成一层致密连续的镍支撑层；(5)通过化学腐蚀法去除阳极氧化铝和铝获得自支撑镍纳米线阵列膜。本发明的制备方法，工艺简单、成本低廉且适合量产，可用于超级电容器，氢催化和燃料电池等领域。
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公开(公告)号：CN104973857B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201510469202.5
申请日：2015-07-31
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/16 , C04B35/447 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低介电常数聚阴离子型微波介质陶瓷的制备方法，包括以下步骤：(1)以Li2CO3、聚磷酸铵、MgO、SiO2为原料，按Mg2SiO4‑LiMgPO4分子式配料混合，球磨并烘干后，预烧制得Mg2SiO4‑LiMgPO4陶瓷粉末；(2)将Mg2SiO4‑LiMgPO4、TiO2粉体按分子式mMg2SiO4‑nLiMgPO4‑pTiO2配料混合，球磨并烘干后，添加粘结剂造粒后，模压成型，烧结得致密介质陶瓷。本发明的聚阴离子型微波介质陶瓷的介电常数为6～11，品质因数Qf＞18,000GHz，谐振频率温度系数较小。本发明的微波介质陶瓷在与微波通讯领域相关的工业生产活动中具有巨大应用价值。
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公开(公告)号：CN103938248B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410175576.1
申请日：2014-04-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种亚微米/微米复合铝模板的制备方法，该方法将高纯铝片依次置于无水乙醇和去离子水中进行清洗，然后进行电化学抛光；以抛光的铝片为阳极，石墨为阴极，草酸‐乙醇‐水混合溶液为电解液来进行阳极氧化过程，得到带有铝基底的多孔氧化铝薄膜，通过调节电压以及电流密度等阳极氧化条件使亚微米级结构单元进入竞争生长模式，从而形成微米级的结构单元团簇；将带有铝基底的多孔氧化铝薄膜置于三氧化铬和磷酸混合水溶液中进行除膜，得到表面具有亚微米/微米复合凹坑的铝模板。本发明具有原材料易获取、成本低廉、设备简单、操作方便、可控性好等优势，大大提高了其应用于生产的可行性。
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公开(公告)号：CN104003716B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201410193752.4
申请日：2014-05-08
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/49 , C04B35/622 , C04B35/63
Abstract: 本发明公开了一种抗还原低温烧结高频热稳定介质陶瓷，其组成为(Sr0.55Ca0.45)(Zr0.96Ti0.04)O3+a BaO-B2O3-SiO2+b Li2CO3+c MnCO3，其中，以主晶相(Sr0.55Ca0.45)(Zr0.96Ti0.04)O3的重量的百分比计算，a为0.5～8％，b为0～1％，c为0～1％。本发明的抗还原低温烧结高频热稳定介质陶瓷，能在1000℃～1080℃下于空气或还原气氛中烧成致密的陶瓷，其介电性能满足美国EIA标准对NP0温度特性MLCC的要求。
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公开(公告)号：CN104294344A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410482892.3
申请日：2014-09-19
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米/亚微米/微米多级阳极氧化铝模板的制备方法，首先对高纯铝片进行清洗，然后进行电化学抛光；以草酸-水-乙醇混合溶液为电解液来进行阳极氧化，得到带有铝基底的多孔阳极氧化铝膜，通过调节电压、电流密度等条件使亚微米级结构单元进入竞争生长模式，从而形成分离岛状以及条带状等不同形状的微米级结构单元团簇；将带有铝基底的氧化铝膜置于三氧化铬和磷酸混合溶液中进行除膜，随后在草酸水溶液中进行低电压阳极氧化并应用磷酸水溶液来对其进行扩孔处理，从而得到具有纳米/亚微米/微米多级孔管道结构的阳极氧化铝模板。本发明具有原材料易获取、成本低廉、设备简单、可控性好等优势，大大提高了其应用于生产的可行性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101887793A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010214837.8
申请日：2010-06-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂铜的氮化铝基稀磁半导体纳米棒及其制法。本发明方法是将氯化铝和氯化铜按照一定比例的摩尔比混合均匀，然后在氨气氛下氨化直接形成掺Cu的氮化铝。本发明方法简单，对设备要求较低，所制备的AlN:Cu具有较强的铁磁性，且居里温度高于室温，可以应用于自旋场效应管(spin-FET)，自旋发光二极管(spin-LED)等纳米自旋电子器件，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101172849B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710031091.5
申请日：2007-10-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种低温烧结的高介电常数电介质陶瓷及其制备方法。该陶瓷以总重量百分比计，CaTiSiO5占53％～81％，SrTiO3占5％～34％，CaTiO3占0％36％，Bi2Ti3O9占0％～2％，Bi2O3占0～2％，Nb2O5占0～0.5％，玻璃成分占2％～10％。制备时，将原料混合行星球磨，烘干，加入粘结剂造粒后，通过单轴加压，制备出直径10-20mm，厚度2-3mm的圆片，在880-1000℃，大气气氛下烧结3小时。该陶瓷不含稀土元属，价格低廉，保持高的介电常数，相对小的介电常数温度系数，可用于高频稳定陶瓷电容器或温度补偿陶瓷电容器等。
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公开(公告)号：CN1974479A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610124096.8
申请日：2006-12-07
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/462 , C04B35/622 , H01G4/30
Abstract: 本发明涉及一种低温烧结高频热稳定介质陶瓷及其制备方法。其组成为：100Ba3Ti5Nb6O28+aCaNb2O6+bZnO－B2O3，其中，a、b按质量份数计，0≤a≤115，5≤b≤8；其制备方法是将Ba3Ti5Nb6O28、CaNb2O6、ZnO－B2O3混合，加入粘合剂造粒，成型，在910～970℃下烧结。－55℃～+125℃下的电容温度系数TCC在±30×10－6/℃范围内；介电常数εr＝25～41，1MHz下介质损耗tgδ＜3×10－4；制备工艺简单，重现性好；适合于制作符合美国EIA标准NP0温度特性多层片式陶瓷电容器。
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公开(公告)号：CN1141722C
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN98113311.8
申请日：1998-08-10
Applicant: 广东肇庆风华电子工程开发有限公司 , 华南理工大学材料科学与工程学院
IPC: H01F41/00
Abstract: 一种高性能低温烧结多层片式电感器制作工艺，其工艺过程包括烘料、配料、制浆、流延、干湿法印刷成型、干燥、层压、切割、排胶、烧成、倒角、封端、烧银、电镀、测试、分选及包装。本发明通过幕帘或印刷铁氧体浆料的方法在所形成的瓷膜上能实现预留通孔，且其采用干法流延膜和用湿法(幕帘或印刷法)覆盖上的瓷膜能一起良好烧结，而不会因收缩不同而造成开裂或变形。
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公开(公告)号：CN116633194A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310388462.4
申请日：2023-04-12
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种精密定位用螺杆式压电执行器，涉及压电驱动与精密定位技术领域，包括螺杆、第一安装件、第二安装件、驱动件、压电叠堆以及预压结构，螺杆螺纹连接第一安装件，第二安装件固定连接第一安装件，驱动件的一端转动设置于第二安装件，驱动件的另一端设置有卡合部，卡合部套设于螺杆，预压结构用于调节卡合部压抵螺杆的预压力，压电叠堆嵌设于驱动件，驱动件在压电叠堆的作用下产生形变以驱使卡合部转动，以使卡合部能够带动螺杆转动。本发明的压电执行器使用螺杆替代传统的线轨，能够供精确的步进位移输出的同时还能够实现有效的自锁，不但行程范围灵活可调，有着一定的轴向负载能力，并且有着较高的定位精度。
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