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公开(公告)号：CN1477402A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN03128279.2
申请日：2003-07-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种PTC热敏电阻零功率电压效应自动测试系统，程控变压器的输出电压整流后，经调制整形，形成交流半波脉冲加压于PTCR上；计算机对程控变压器、电流增益支路和电压增益支路进行控制，数据采集模块分两路同步采样上述的电压增益支路和电流增益支路，得到测试电压和电流的采样值，并通过接口模块送入计算机进行数据分析处理；计算机通过控温装置控制、采集和反馈电炉内的温度，实现PTCR的升温和保温；该系统还设有保护、报警电路。本发明采用交流半波脉冲替代短时直流脉冲，对高压脉冲开关器件的开关速度要求低得多；此外，简化了脉冲电源，不再需要大容量、高耐压的稳压电容滤波器。
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公开(公告)号：CN1453574A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03128070.6
申请日：2003-05-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高介低损耗陶瓷微波复介电常数的测试方法，该方法能够严格求解介质柱谐振器中有关TE0ml模的正反问题，能够简单可靠地测量金属板表面电阻和样品的介电损耗。通过测量试样的半径a、高度L和TE011模的谐振频率，利用反问题算法计算得到试样的复介电常数。通过测量谐振频率相近的两个高次TE模的谐振频率、有载品质因数及谐振频率点的散射参数S21，代入所获得的关系式，就能得到试样的介电损耗。本发明能够对εr=20～150、tanδ=1×10－4～5×10－3，半径a小于15mm、厚度L大于4mm，且的上下表面平整的圆柱形微波陶瓷样品在1～20GHz范围内进行测试，εr的相对误差小于0.1％，f0/tanδ的相对误差小于2.5％。
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公开(公告)号：CN1419263A
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN02147882.1
申请日：2002-12-17
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制备Si基铁电薄/厚膜型微绝热结构阵列的方法。采用“填充—掏空”技术制备Si基铁电薄/厚膜型微绝热结构阵列，避免了国外制备铁电陶瓷薄片混合式红外探测器焦平面阵列需将陶瓷切片、减薄、抛光、网格化及微组装等复杂工序。与常规薄膜型红外探测器焦平面阵列相比较优势又体现在不需为降低衬底的热容量防止热扩散和提高敏感元的探测灵敏度而制备微桥阵列，其设计思想突破了传统的思维方式。
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公开(公告)号：CN102946236B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201210405161.X
申请日：2012-10-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可调薄膜体声波谐振器及其制备方法，该制备方法包括步骤S1：在洁净的Si衬底上制备阻挡层；S2：在阻挡层上制备布拉格反射栅，布拉格反射栅由不同声波阻抗薄膜构成；S3：在布拉格反射栅上依次制备粘附层和底电极；S4：在底电极上制备多层异质结构，并作为体声波谐振器的压电层；多层异质结构由BST薄膜、BZT薄膜或BZN薄膜构成；S5：将多层异质结构进行退火处理后形成晶化薄膜；S6：在晶化薄膜上制备顶电极后获得可调薄膜体声波谐振器。本发明采用多层异质结构作为压电层使得体声波谐振器具有相对较低的介电损耗和漏电流，具有相对适中的介电常数和相对较高的可调性；室温下具有较大的优值。
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公开(公告)号：CN102896705A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210356441.6
申请日：2012-09-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: B28D5/04
Abstract: 本发明公开了一种单晶切割装置，包括：切割盖，其为一金属凹形槽，凹形槽内底部开有半圆槽，凹形槽壁上加工有切割栅；切割底座，其为一长方体金属块，长方体金属块的一表面开有半圆槽，长方体金属块在开有半圆槽的表面加工有切割栅；切割底座嵌套于切割盖的凹形槽内，切割底座与切割盖的半圆槽合成一放置待切割单晶的通槽，切割底座与切割盖的切割栅一一对应形成一个完整的单晶切割栅；金刚锯，其穿过单晶切割栅，前后拉割金钢锯实现切片。应用本发明切割晶片，可改善晶片厚度的均一性，降低晶片表面应力，减少表面凹凸，提高成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102531574A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110415948.X
申请日：2011-12-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种用于叠层片式热敏电阻的陶瓷材料密度调节方法，步骤：①将叠层片式用碳酸钡基PTC粉料、有机溶剂、分散剂和消泡剂按下述质量比混合后进行球磨，制备得到有机流延浆料前驱体；②粉料100，有机溶剂35-65，分散剂0.3-0.8，消泡剂0.5-1.0；③在上述浆料中加入粘合剂，其中，粘合剂与粉料的质量比为6∶100-15∶100，混合后的浆料再次球磨混合，过筛，得到有机流延浆料；④将所得有机流延浆料通过流延机进行流延处理，制备得到陶瓷生坯膜片；⑤将陶瓷生坯叠在一起进行压片，然后切片；⑥在还原气氛中烧结，然后在空气中进行再氧化，获得所需的陶瓷材料。本发明所制备陶瓷材料综合参数比较好，具有升阻比大，室温电阻率低，晶粒大小合适的特性。
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公开(公告)号：CN102522169A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110402476.4
申请日：2011-12-07
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种多层片式热敏陶瓷电阻用端电极及其制备方法,端电极成份及质量百分比为银粉40～70%、硼化镍5～35%、无机粘结剂2～5%、有机粘结剂25～28%，制备过程为:在无机粘结剂中添加有机粘结剂制成悬浮液，将多层片式热敏陶瓷素体在悬浮液中浸渍，经过干燥、烧结后得到在其表面形成玻璃包覆层的包覆体,在包覆体的两端面上涂敷端电极浆料，对其烧结形成Ag端电极。本发明端电极既有高导电性，又可与前期形成的抗镀液侵蚀用的玻璃包覆层形成良好的融合，消除了玻璃包覆层对于片式元件阻值的大幅度波动的不利影响。
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公开(公告)号：CN102052989B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201010548819.3
申请日：2010-11-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01L9/12
Abstract: 本发明公开了一种用于无线无源测量的电容压力传感器，由周边固支的弹性振动膜片组成电容器，通过调整圆形电极与振动膜片半径之比、设置绝缘凸点等手段，使振动膜片处于大应变状态，最大电容与初始电容之比尽可能大，从而使电容达到大相对变化量、高Q值的目的。本发明的高Q值和大相对电容变化量的电容压力传感器与声表面波变送器连接后，可以实现对压力的高精度无线无源测量，该传感器可用于汽车轮胎压力监测领域。
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公开(公告)号：CN101585709B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200910062797.7
申请日：2009-06-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/468
Abstract: 一种钛酸锶钡半导体陶瓷的制备方法，属于正温度系数(PTC)陶瓷材料的制备方法，针对现有制备方法存在的问题，低温烧结制备PTCR效应较好的陶瓷材料。本发明包括：(1)Y-BaTiO3粉体制备步骤；(2)玻璃烧结助剂制备步骤；(3)PTCR陶瓷制备步骤。本发明配方中添加了玻璃烧结助剂，玻璃烧结助剂中添加了Mn(NO3)2溶液，使锰的加入更加容易，有效改善了析出损失和混合不均等问题，既降低材料的烧结温度又增强材料的PTC效应，制备的PTCR陶瓷具有较低的室温电阻率，较高的升阻比，具有良好综合PTCR性能，且有利于叠层化，符合制作热敏电阻的要求。
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公开(公告)号：CN101290817B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200810047908.2
申请日：2008-06-03
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种耐高温抗氧化无铅镍导体浆料，该浆料的组成包括重量百分比为50-70％的镍粉，1-5％的抗氧化保护剂，5-15％的无机粘结剂，15-30％的有机载体。将它们混合搅匀后研磨至粒度小于15μm、粘度65-75Pa·s，得到无铅镍导体浆料产品。其中，镍粉选用平均粒径为0.1-2.0μm的球形镍粉，抗氧化保护剂选用的B、Cr、Y中的一种或几种，均为平均粒径小于1μm的球形微粉，无机粘结剂为无铅玻璃粉。本发明浆料产品具有良好的耐高温抗氧化性能，适于在大气条件下烧结，抗氧化温度在800-900℃间系列可调。其制备工艺简单，生产成本低廉，节约能源且利于环保。
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