公开(公告)号：CN101585709A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200910062797.7

申请日：2009-06-18

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 姜胜林 ,  涂文芳 ,  龚树萍 ,  曾亦可 ,  孔明日

IPC: C04B35/622 ,  C04B35/468

Abstract: 一种钛酸锶钡半导体陶瓷的制备方法，属于正温度系数(PTC)陶瓷材料的制备方法，针对现有制备方法存在的问题，低温烧结制备PTCR效应较好的陶瓷材料。本发明包括：(1)Y-BaTiO 3 粉体制备步骤；(2)玻璃烧结助剂制备步骤；(3)PTCR陶瓷制备步骤。本发明配方中添加了玻璃烧结助剂，玻璃烧结助剂中添加了Mn(NO 3 ) 2 溶液，使锰的加入更加容易，有效改善了析出损失和混合不均等问题，既降低材料的烧结温度又增强材料的PTC效应，制备的PTCR陶瓷具有较低的室温电阻率，较高的升阻比，具有良好综合PTCR性能，且有利于叠层化，符合制作热敏电阻的要求。

公开(公告)号：CN101585709B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200910062797.7

申请日：2009-06-18

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 姜胜林 ,  涂文芳 ,  龚树萍 ,  曾亦可 ,  孔明日

IPC: C04B35/622 ,  C04B35/468

Abstract: 一种钛酸锶钡半导体陶瓷的制备方法，属于正温度系数(PTC)陶瓷材料的制备方法，针对现有制备方法存在的问题，低温烧结制备PTCR效应较好的陶瓷材料。本发明包括：(1)Y-BaTiO3粉体制备步骤；(2)玻璃烧结助剂制备步骤；(3)PTCR陶瓷制备步骤。本发明配方中添加了玻璃烧结助剂，玻璃烧结助剂中添加了Mn(NO3)2溶液，使锰的加入更加容易，有效改善了析出损失和混合不均等问题，既降低材料的烧结温度又增强材料的PTC效应，制备的PTCR陶瓷具有较低的室温电阻率，较高的升阻比，具有良好综合PTCR性能，且有利于叠层化，符合制作热敏电阻的要求。