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公开(公告)号：CN101469407A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710304555.5
申请日：2007-12-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C23C14/35
Abstract: 一种具有密排尖端阳极的溅射设备，该溅射设备是在溅射腔体上设有真空管路、进气管路，并在溅射腔体内设有溅射靶材、加热体，在所述的溅射靶与样品之间设有密排尖端阳极，该密排尖端阳极是以金属作为基体，其中部镂空，镂空部分的内侧边缘是由若干个尖端体连续排列连接而成，且每个尖端体的尖端朝向镂空部分的中部，并且其镂空部分与溅射靶材相对。本发明的具有密排尖端阳极的溅射设备，是一种能够应用于平面靶溅射批量化制备YBCO薄膜材料的溅射设备，通过加载一种密排尖端的阳极，极大地消除负氧离子轰击的影响，满足批量化制备的速度和工艺窗口要求。
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公开(公告)号：CN201154986Y
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200720191122.9
申请日：2007-12-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C23C14/34
Abstract: 一种加长型筒状阳极，该加长型筒状阳极为筒状，其底壁设有若干个溅射气体进气孔，其顶部为敞口，该敞口的周边缘向外凸出形成支撑边，该敞口并配有阳极盖，在阳极盖上接有进气管路。加长型筒状阳极的环壁在沉积薄膜的过程中均起到了与已有的平面阳极同样的作用，极大地增加了阳极面积，提高了溅射过程中的正效果。采用本实用新型的加长型筒状阳极的筒状靶溅射设备，在制备复杂氧化物薄膜、特别是高温YBCO等稀土钡铜氧薄膜时，可显著改善负氧离子轰击以及溅射物质堆积掉渣等负影响，有显著的改善薄膜生长质量、提高性能的作用。相比于普通采用小平面阳极的溅射设备，在同样条件下制备薄膜的性能更好、工艺窗口更宽、薄膜表面形貌以及均匀性均优于传统溅射设备，体现了本实用新型的突出有益效果。
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公开(公告)号：CN2719866Y
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200420087974.X
申请日：2004-08-13
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本实用新型公开了一种大尺寸柱状中空溅射阴极，由圆筒形高温超导溅射靶材、冷却水箱及置于冷却水箱内的冷却水循环单元组成，冷却水箱的内壁直接紧密接触高温超导溅射靶材壁，冷却水箱内壁内层覆有一层筒形软磁材，在筒形软磁材料周边上分布的一组可拼装磁体；磁体的充磁方向为内圆心至外圆周方向；冷却水循环单元的进水管开在冷却水箱的底部，出水管开在冷却水箱的顶部。其通过对原有大尺寸中空溅射阴极的改进，便于靶材在溅射过程中冷却；便于调整磁体位置和磁力线形状，增加了溅射环宽度和有效利用面积，提高制备大面积双面超导薄膜的溅射速率，整体化，设计易于扩展和拆装，满足批量化制备的要求。
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公开(公告)号：CN201966173U
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201020697022.5
申请日：2010-12-24
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01J23/26
Abstract: 本实用新型公开了属于真空电子和薄膜制备领域的一种行波管用螺旋线低电阻率复合涂层。该涂层包括Ti过渡层和Au低电阻涂层，Ti过渡层和Au低电阻涂层通过射频磁控溅射由内到外依次涂覆在经过离子注入工艺处理过的W箔或Mo箔上。本实用新型Ti过渡层的选用可以增加涂层与W或Mo衬底的结合力，同时选用Au为低电阻功能层使Ti层与Au层形成良好的热膨胀系数匹配，确保在高温使用时低电阻功能层的可靠性，进一步提高行波管功率。
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公开(公告)号：CN2730887Y
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200420118599.0
申请日：2004-10-14
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C23C14/34
Abstract: 一种滑轨往复式对靶溅射加热传动装置，它包括有一个箱体，在箱体的一侧设有样品架进出口，在箱体内的底部和样品架进出口的外部设有样品架进出导轨，在导轨上设置可移动的样品架，在箱体前后面内设有加热陶瓷平行板基体，在箱体前后对应面上设有方形溅射口。所述的样品架为长方形结构，在长方形的样品架上均匀开有至少两个基片固定槽孔，在样品架的下端连接有导轮。所述的样品架外侧连接有推拉杆，其由步进马达带动。在加热陶瓷平行板基体上设有蛇形加热丝。本实用新型的优点是，结构简单、使用方便、可高效地满足直流溅射方法制备高性能、均匀性好的大面积高温超导薄膜，并满足批量化制备的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN202405400U
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201120566873.0
申请日：2011-12-30
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种带有高温超导块材的低损耗微波腔体滤波器，其包括常导金属形成的外壳，以及由单畴高温超导块材加工成的内部部件。以及该微波腔体滤波器的制造方法。本实用新型利用高温超导块材在转变温度下的优良微波性能，替代原有常导金属制备的微波腔体滤波器中谐振杆部分，从而使滤波器具有滤波器通带插损小、阻带带边陡峭、带外抑制好，相位延时和色散特性好等优点。高温超导块材具有一定的体积，能够承受比高温超导薄膜更高的功率信号，具有大功率容量的优良性能。
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公开(公告)号：CN201144281Y
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200720191117.8
申请日：2007-12-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种应用于溅射系统中的密排尖端阳极，以金属作为基体，其中部镂空，镂空部分的内侧边缘是由若干个尖端体连续排列连接而成，且每个尖端体的尖端朝向镂空部分的中部。在溅射设备中是将密排尖端阳极设置在溅射靶材与样品之间，密排尖端阳极的镂空部分与溅射靶材相对。采用本实用新型的密排尖端阳极的溅射设备，是一种能够应用于平面靶溅射批量化制备YBCO薄膜材料的溅射设备，通过加载本实用新型的密排尖端的阳极，极大地消除负氧离子轰击的影响，满足批量化制备的速度和工艺窗口要求。
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公开(公告)号：CN2734775Y
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200420118600.X
申请日：2004-10-14
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C23C14/34
Abstract: 一种滑块往复式对靶溅射加热传动装置，它包括有一个箱体，在箱体的底部设有样品架往复移动口，在箱体的底部设有蜗杆，在该蜗杆上连接有滑块，该滑块的上端连接有进入箱体内的支撑杆，在该支撑杆的上端连接有样品架，在箱体前后面内设有加热陶瓷基体，在箱体前后对应面上设有方形溅射口。所述的样品架为长方形结构，在长方形的样品架上均匀开有至少两个基片固定槽孔。在加热陶瓷基体上设有蛇形加热丝。在加热陶瓷基体内侧设有均热石英板。本实用新型的优点是，结构简单、使用方便、可高效地满足直流溅射方法制备高性能、均匀性好的大面积高温超导薄膜，并满足批量化制备的要求。
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公开(公告)号：CN203034096U
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201220736551.0
申请日：2012-12-27
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种改进型大尺寸样品硒化处理装置，包括外壳，原料容器，原料加热装置，基片支撑台，基片加热器，原料加热装置热电偶，基片加热器热电偶和温度显示及控制装置；原料容器设置在外壳内；原料容器内具有原料加热装置，原料加热装置上设置原料加热装置热电偶；基片支撑台放置于外壳内，其上设置基片加热器，基片加热器上设置基片加热器热电偶，基片放置在基片加热器上；原料加热装置，基片加热器，原料加热装置热电偶和基片加热器热电偶分别与温度显示及控制装置连接。该装置将Se源加热装置和基片加热器采用独立控温设计，可以保证Se源蒸发时蒸汽压的可控性以及基片加热时制备温度与Se源蒸发温度分别控制，从而实现精确控制反应条件和反应进程。
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公开(公告)号：CN202633208U
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201120566849.7
申请日：2011-12-30
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01J23/26
Abstract: 一种大功率行波管螺旋线及其低微波损耗表面复合涂层，该表面复合涂层由内至外依次为W或Mo作为基体材料的螺旋线基体，Ni过渡层，以及Au、Cu或Ag作为表面低导涂层材料的表面低导涂层。该涂层采用与基体和高电导率涂层间能够形成牢固结合的过渡层，并形成一种多层梯度结构，从而实现低成本、高可靠、高性能的涂层制备，有效降低螺旋线的高频发热。
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