公开(公告)号：CN102473644A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080032084.7

申请日：2010-07-26

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78636 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/28008 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，其特征在于，包括：在基板上设置的含有Al或者Al合金的栅电极、设置成覆盖该栅电极的至少上面且含有对该栅电极的Al或者Al合金进行了阳极氧化的阳极氧化膜的栅极绝缘膜、和厚度实质上等于上述栅电极的厚度及其上面的栅极绝缘膜的厚度的总厚度且以包围上述栅电极的方式设置于上述基板上的绝缘体层。

公开(公告)号：CN102473626A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080029796.3

申请日：2010-05-27

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明 ,  根本刚直 ,  村川顺之 ,  吉川和博

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6838

Abstract: 一种湿式处理装置，其将被处理基板保持在工作台上，并使上述工作台旋转从而进行湿式处理。上述被处理基板通过其中心从上述工作台的旋转中心偏离，并且使用向该被处理基板的背面排放惰性气体的伯努利吸盘将其保持在上述工作台上，从而随着上述工作台的旋转，上述被处理基板偏心旋转。在上述工作台内的旋转轴部分设置有用于上述伯努利吸盘的第一气体供给路，在上述工作台中还设置有与上述第一气体供给路连通，且用于向上述被处理基板的背面导入惰性气体的第二气体供给路，该第二气体供给路相对于上述被处理基板的中心轴呈轴对称。

公开(公告)号：CN102421932A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080021115.9

申请日：2010-03-19

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明

IPC: C23C14/35

Abstract: 本发明的课题在于提供一种减少因伴随离子体激发电力增大的标的物部等的加热所致的坏的影响的旋转磁铁溅镀装置。本发明的旋转磁铁溅镀装置具有通过使冷却用介质在多个螺旋状板磁铁组之间形成的螺旋状的空间流动、或者在支承标的物部的背板上设置冷却用流路，来对标的物部进行除热的构造。

公开(公告)号：CN102365484A

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN201080012496.4

申请日：2010-03-08

Applicant: 株式会社富士金 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 池田信一 ,  山路道雄 ,  谷川毅 ,  金子裕是 ,  八木靖司 ,  小野裕司 ,  大见忠弘 ,  白井泰雪

IPC: F16K31/122 ,  F16K1/36 ,  F16K1/42 ,  F16K51/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: F16K31/126 ,  F16K31/1268 ,  F16K41/10

Abstract: 本发明提供一种利用工作流体开闭阀芯的调整阀装置。阀芯(310)具有利用阀杆(310c)连结阀芯头部(310a)和阀芯身部(310b)而成的构造。阀体(305)内置有能滑动的阀芯(310)和动力传递构件(320a)。通过将第一波纹管(320b)固定安装于动力传递构件(320a)和阀体(305)，相对于动力传递构件(320a)来说在与阀芯相反一侧的位置形成第一空间(Us)。通过将第二波纹管(320c)固定安装于动力传递构件(320a)和阀体(305)，相对于动力传递构件(320a)来说在靠阀芯一侧的位置形成第二空间(Ls)。根据自第一配管(320d)供给到第一空间(Us)内的空气与自第二配管(320e)供给到第二空间(Ls)内的空气间的比率，自动力传递构件(320a)将动力传递给阀芯头部(310a)，开闭输送通路(200a)。

公开(公告)号：CN102326458A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201080007113.4

申请日：2010-01-14

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32275 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 一种通过微波使气体激励而对基板(G)进行等离子体处理的微波等离子体处理装置(10)，包括：处理容器(100)，所述处理容器(100)由金属形成；微波源(900)，所述微波源900)输出微波；第一电介质(305)，第一电介质(305)面向处理容器(100)的内壁，将从微波源(900)输出的微波向处理容器内透射；第二电介质(340)，所述第二电介质(340)被设置在处理容器(100)的内表面，抑制沿处理容器(100)的内表面传播的微波。

公开(公告)号：CN1981368B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200580021970.9

申请日：2005-07-11

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  斯特拉化工公司

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  菊山裕久 ,  二井启一 ,  山本雅士

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02063

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体表面的原子洗脱少、能够制成清洁且平坦的半导体表面的处理液、处理方法及半导体制造装置。本发明使用含有醇类或酮类中的至少一种的水溶液，由此能够得到实现从半导体表面的洗脱少的处理及清洁且平坦的表面的处理液、处理方法及半导体制造装置。

公开(公告)号：CN101233795B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200680024226.9

申请日：2006-08-18

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  森本明大

IPC: H05K3/46

CPC classification number: H05K1/024 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4626 ,  H05K3/4673 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0254

Abstract: 本发明提供一种多层电路基板以及使用该多层电路基板的电子设备，该多层电路基板包括低介电常数的层间绝缘膜，由于与此层间绝缘膜接触的表面没有凹凸、不会产生制造合格率的下降或高频信号的传输特性的劣化，所以能够显著提高组件或印刷基板等多层电路基板的信号传输特性等性能。多层电路基板(10)包括在基材上具有多个布线层和位于上述多个布线层间的多个绝缘层，上述多个绝缘层内的至少一部分由多孔质绝缘层(1)和非多孔质绝缘层(2)构成，该多孔质绝缘层(1)包含选自由多孔质体、气凝胶、多孔质二氧化硅、多孔性聚合物、中空二氧化硅、中空聚合物组成的多孔质材料组中的至少任意一种材料，该非多孔质绝缘层(2)为上述多孔质绝缘层(1)的至少一面不包含上述多孔质材料组。电子设备使用该多层电路基板。

公开(公告)号：CN101198726B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200680021492.6

申请日：2006-05-09

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  三菱化学株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  白井泰雪 ,  森永均 ,  河濑康弘 ,  北野真史 ,  水谷文一 ,  石川诚

IPC: C25D11/04 ,  C25D11/06 ,  C25D11/18 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C25D11/06 ,  C25D11/18 ,  Y10T428/265

Abstract: 提供一种适用于保护以铝为主成分的金属的金属氧化物膜。是由以铝为主成分的金属的氧化物构成的膜，膜厚为10nm以上，从所述膜放出的水分量为1E18分子/cm2以下。还提供一种金属氧化物膜的制造方法，在pH4～10的化成液中，对以铝为主成分的金属进行阳极氧化而获得金属氧化物膜。

公开(公告)号：CN102057762A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200980121686.7

申请日：2009-06-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  C03C17/002 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/32229

Abstract: 提供含有在分支部分非垂直地延伸的同轴管的同轴管分配器。等离子体处理装置(10)，通过微波激发气体来对被处理体进行等离子体处理，其具备：处理容器(100)；输出微波的微波源(900)；传输从微波源(900)输出的微波的传输线路(900a)；被设置在处理容器(100)的内壁，用于将微波释放到处理容器内的多个介电体板(305)；与多个介电体板(305)邻接，将微波向多个介电体板(305)传输的多个第1同轴管(610)；将沿传输线路(900a)传输的微波分配传输给多个第1同轴管(610)的1段或者2段以上的同轴管分配器(700)，同轴管分配器(700)包括具有输入部(In)的第2同轴管(620)和与第2同轴管连结的3根以上的第3同轴管(630)，第3同轴管分别相对于第2同轴管(620)呈非垂直地延伸。

公开(公告)号：CN102057483A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200980121220.7

申请日：2009-05-22

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  今井纮 ,  寺本章伸

IPC: H01L23/12 ,  H01P3/08 ,  H05K3/46

CPC classification number: H05K1/0218 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6688 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/19032 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/025 ,  H05K1/0265 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/0191 ,  H05K2201/0352 ,  H05K2201/0715 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/09618 ,  H05K2201/09727 ,  H05K2201/09972 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种多层配线基板。多层配线基板(100)具有：第一配线区域(101)，其中配线(103a)和绝缘层(104a，104b)交替地层叠；以及第二配线区域(102)，其中相对于第一配线区域(101)的绝缘层的厚度H1，绝缘层(104)的厚度H2是2倍以上，并且相对于配线宽度W1，配线(103b)的宽度W2为2倍以上。第一配线区域(101)和第二配线区域(102)被一体地形成在同一基板上。