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公开(公告)号:CN102590850A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201210004896.1
申请日:2012-01-10
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G01T1/2018
Abstract: 本发明涉及一种放射线检测装置、放射线检测系统和该装置的制造方法。放射线检测装置包括荧光体、多个光电转换元件和具有与荧光体相对的第一表面和与第一表面相反的第二表面的基板。基板、光电转换元件和荧光体从放射线检测装置的放射线入射侧被依次布置,并且,第二表面包含多个凹陷和突起,所述多个凹陷布置于正交投影区域中,多个投影的光电转换元件的正交投影位于所述正交投影区域,部分所述突起位于所述正交投影区中,并且所述突起的所述部分以外的剩余部分位于所述正交投影区域之间。
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公开(公告)号:CN102565837A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201110364185.0
申请日:2011-11-17
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G01T1/2928 , H01L27/14618 , H01L27/14632 , H01L27/14663 , H01L27/14676 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了放射线检测装置和放射线检测系统。该放射线检测装置包括被配置用于将入射的放射线转换成可见光的闪烁体、光电转换单元和导电部件。光电转换单元包含布置于基板上的多个像素的二维阵列。各像素被配置用于将可见光转换成电信号。导电部件被供给固定电势。导电部件、基板、光电转换单元和闪烁体被依次从放射线检测装置的放射线入射侧到其相反侧设置。
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公开(公告)号:CN102540235A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201110364559.9
申请日:2011-11-17
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G01T1/2002 , G01T1/2928 , H01L27/00 , H01L27/14618 , H01L27/14632 , H01L27/14663 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及放射线检测装置和放射线检测系统。所述放射线检测装置包括闪烁体、光电转换单元和用于去除散射的放射线的格子。光电转换单元包含以二维阵列布置于基板上的多个像素。每个像素被配置为将从闪烁体输出的可见光转换成电信号。从放射线检测装置的放射线入射侧到其相对侧依次设置格子、基板、光电转换单元和闪烁体。在其中在放射线入射侧的相对侧设置闪烁体的该放射线检测装置中,散射的放射线被有效地去除。
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公开(公告)号:CN101228459B
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN200680027166.6
申请日:2006-07-21
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G01T1/20 , G01T1/24 , H01L27/14 , H01L27/146 , H04N5/32
CPC classification number: H01L27/14663 , H01L27/14623 , H01L27/14692 , H01L31/117 , H01L31/119 , H04N5/32
Abstract: 在本发明的放射线检测设备中,布置多个像素,所述像素具有将放射线转换为电信号的转换元件和连接至该转换元件的开关元件。转换元件包括置于绝缘基板的第一表面上的第一电极、置于第一电极上的第二电极以及置于第一电极和第二电极之间的半导体层。第一电极由透光传导材料构成,该透光传导材料透射从光源发射的光,第一电极由透光导电材料形成,该透光导电材料透射从置于绝缘基板的与第一表面相对的第二表面上的光源发射的光。开关元件具有遮光构件,该遮光构件防止来自光源的光入射到开关元件。
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公开(公告)号:CN102376725A
公开(公告)日:2012-03-14
申请号:CN201110218964.X
申请日:2011-08-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , A61B6/00
CPC classification number: G01T1/242 , G01T1/24 , H01L27/14636 , H01L27/14663 , H01L31/113 , H04N5/32
Abstract: 本发明涉及一种检测装置和放射线检测系统。包括以小间隔布置的多个像素的层叠型检测装置被配置为具有与信号线和/或驱动线相关联的低电容。通过这种新颖的配置,可在信号线和/或驱动线中实现小的时间常数和高速驱动能力。所述检测装置中的所述多个像素在绝缘衬底上按行方向和列方向布置。每个像素包括转换元件和开光元件,转换元件设置在开关元件之上。设置在转换元件之下的驱动线连接至按行方向布置的开关元件,信号线连接至按列方向布置的开关元件。信号线包括嵌入在绝缘部件中的导电层,所述绝缘部件设置在比驱动线的最上表面部分低的层中。
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公开(公告)号:CN101375397B
公开(公告)日:2011-07-13
申请号:CN200780003606.9
申请日:2007-01-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , G01T1/20 , G01T1/24
CPC classification number: G01T1/2018 , H01L27/14603 , H01L27/14632 , H01L27/14663
Abstract: 包括光电转换元件1、电连接到所述光电转换元件的信号传输TFT(薄膜晶体管)2、以及电连接到所述光电转换元件且用于施加偏压到所述光电转换元件的复位TFT 3的像素被二维地设置在绝缘基板上,且通过公共的接触孔9电连接光电转换元件1、信号传输TFT 2和复位TFT 3。从公共的导电层形成所述信号传输TFT 2的源极电极或漏极电极与所述复位TFT 3的源极电极或漏极电极。
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公开(公告)号:CN100565894C
公开(公告)日:2009-12-02
申请号:CN200680025223.7
申请日:2006-07-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/14 , G01T1/28 , H01L31/09
Abstract: 本发明的转换设备包括多个像素,所述像素包括开关元件和转换元件。所述像素排列在像素区中,所述像素区包括其中沿行和列方向排列开关元件的开关元件区,和其中沿行和列方向排列转换元件的转换元件区。包括第二金属层的多个配线与列方向的多个开关元件连接。第四金属层的一个以上的偏压配线与一个以上的转换元件连接。在像素区之外的第四金属层的外部信号配线与所述信号配线连接。在像素区之外的第一金属层的外部偏压配线与所述多个偏压配线连接。外部信号配线和外部偏压配线彼此相交。
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公开(公告)号:CN100534151C
公开(公告)日:2009-08-26
申请号:CN200480034150.9
申请日:2004-11-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N5/32 , H01L27/146
Abstract: 按照拍摄方式可从一个灵敏度自由地转换为另一个灵敏度,例如可以进行放射线曝光剂量显著不同因而所需的灵敏度也互不相同的静止图像拍摄和运动图像拍摄,从而满足所述要求。TFT 21的源极或漏极通过信号线14a和IC 5连接到信号输出电路3。TFT 23的源极/漏极通过信号线14b和IC 5连接到信号输出电路3。因而,在每个像素6中,当信号被读出时,可以自由地选择信号线14a和14b中任何之一。
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公开(公告)号:CN101375397A
公开(公告)日:2009-02-25
申请号:CN200780003606.9
申请日:2007-01-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , G01T1/20 , G01T1/24
CPC classification number: G01T1/2018 , H01L27/14603 , H01L27/14632 , H01L27/14663
Abstract: 包括光电转换元件1、电连接到所述光电转换元件的信号传输TFT(薄膜晶体管)2、以及电连接到所述光电转换元件且用于施加偏压到所述光电转换元件的复位TFT 3的像素被二维地设置在绝缘基板上,且通过公共的接触孔9电连接光电转换元件1、信号传输TFT 2和复位TFT 3。从公共的导电层形成所述信号传输TFT 2的源极电极或漏极电极与所述复位TFT 3的源极电极或漏极电极。
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公开(公告)号:CN100438052C
公开(公告)日:2008-11-26
申请号:CN200480004078.5
申请日:2004-02-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , G01T1/24 , H04N5/32
Abstract: 在包括把辐射转换成电信号的传感器元件和与传感器元件连接的薄膜晶体管的辐射图像摄像设备中,与薄膜晶体管连接的传感器元件的电极被置于薄膜晶体管之上,薄膜晶体管具有顶栅型结构,其中半导体层,栅极绝缘层和栅电极层依次层叠在衬底上,以致薄膜晶体管的沟道部分受栅电极保护,从而能够获得稳定的TFT特性,而不会因为由与来自传感器电极的输出对应的电势的波动导致的后栅极效应,不合需要地导通任何TFT元件,从而极大地提高图像质量。
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