公开(公告)号：CN1715461A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510075594.3

申请日：2005-06-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/08

CPC classification number: C30B23/00 ,  C30B29/403

Abstract: 破裂被减轻以及利用率和成本效率得到改善的AlGaInN单晶晶片。一种六方晶的AlxGayIn1－(x+y)N (0＜x≤1，0≤y＜1，x+y≤1)单晶晶片，其特征在于，该晶片具有厚度T(cm)和具有表面积为S(cm2)的主面，该面积S和厚度T满足条件S≥10cm2和0.006S≥T≥0.002S。

公开(公告)号：CN1222643C

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN01117791.8

申请日：2001-05-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 并川靖生 ,  藤原伸介

IPC: C30B31/02

CPC classification number: H01L21/385 ,  C30B29/48 ,  C30B31/06 ,  C30B33/00 ,  Y10S420/903 ,  Y10S428/926 ,  Y10S428/941 ,  Y10T428/12528 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12743 ,  Y10T428/12764 ,  Y10T428/12792

Abstract: 本发明关于用Al作为施主杂质进行掺杂，热处理ZnSe晶体基质的方法，利用该热处理制备的ZnSe晶体基片和利用该ZnSe晶体基片制备的光发射装置，尤其是，热处理ZnSe晶体基片的方法包括预先在基片上形成Al膜，首先使基片在Se环境气氛中进行热处理，然后再在Zn环境气氛中进行热处理。

公开(公告)号：CN104250853B

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201410411963.0

申请日：2010-06-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上松康二 ,  长田英树 ,  中畑成二 ,  藤原伸介

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/20 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种具有主面的III族氮化物晶体衬底，所述主面具有选自{20‑21}、{20‑2‑1}、{22‑41}和{22‑4‑1}中的面取向，所述III族氮化物晶体衬底的特征还在于满足下列条件中的至少一种：1×1016cm‑3以上且4×1019cm‑3以下的氧原子浓度，和6×1014cm‑3以上且5×1018cm‑3以下的硅原子浓度。由此，本发明能够提供具有面取向不同于{0001}的主面的高结晶度III族氮化物晶体。

公开(公告)号：CN102959677B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201180030507.6

申请日：2011-11-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  关裕纪 ,  上松康二 ,  山本喜之 ,  松原秀树 ,  藤原伸介 ,  吉村雅司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/76256 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明提供一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括：准备复合衬底(10)的步骤，所述复合衬底包含支持衬底(11)和布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的单晶膜(13)，在所述支持衬底(11)中在主表面(11m)中的热膨胀系数大于GaN晶体在a轴方向上的热膨胀系数的0.8倍且小于其1.2倍，所述单晶膜(13)相对于垂直于所述单晶膜(13)的主表面(13m)的轴呈三重对称；和在所述复合衬底(10)中的所述单晶膜(13)的所述主表面(13m)上形成GaN基膜(20)的步骤。由此，提供了一种制造GaN基膜的方法，所述方法能够制造具有大的主表面积和较小翘曲的GaN基膜。

公开(公告)号：CN103563055A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201280025086.2

申请日：2012-06-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冲田恭子 ,  藤原伸介

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02021 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  C30B33/06 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608

Abstract: 一种制造碳化硅基板(3)的方法，包括如下步骤：制备单晶碳化硅的坯料；通过切割该坯料来获得碳化硅基板(3)；以及，在包括碳化硅基板(3)的外周表面的区域中形成倒角部(3C,3D,3E)，其中，在获得碳化硅基板(3)的步骤中，切割该坯料，使得碳化硅基板(3)的主表面(3A)相对于{0001}面形成10°以上的角度。

公开(公告)号：CN103180494A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201180028976.4

申请日：2011-12-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  关裕纪 ,  上松康二 ,  山本喜之 ,  松原秀树 ,  藤原伸介 ,  吉村雅司

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C03C10/0018 ,  C04B35/106 ,  C04B35/16 ,  C04B35/185 ,  C04B35/481 ,  C04B35/486 ,  C04B35/488 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/9607 ,  C30B23/025 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02436 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664

Abstract: 本发明涉及一种GaN基膜的制造方法，所述方法包括：准备复合衬底(10)的步骤，所述复合衬底(10)包含：在氢氟酸中可溶的支持衬底(11)以及布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的单晶膜(13)，所述支持衬底(11)的主表面(11m)内的热膨胀系数大于GaN晶体的热膨胀系数的0.8倍且小于其1.2倍；在布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的所述单晶膜(13)的主表面(13m)上形成GaN基膜(20)；以及通过将支持衬底(11)溶解在氢氟酸中来除去所述支持衬底(11)。因此，本发明提供能够有效地获得主表面面积大、翘曲较小且结晶性良好的GaN基膜的GaN基膜的制造方法以及为此使用的复合衬底。

公开(公告)号：CN101233265B

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN200680027936.7

申请日：2006-07-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 水原奈保 ,  宫永伦正 ,  川濑智博 ,  藤原伸介

IPC: C30B29/38

CPC classification number: C30B23/02 ,  C30B23/066 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  Y10T428/2982

Abstract: 提供大直径跨距AlN晶体、生长AlN晶体的方法以及AlN晶体衬底，该AlN晶体可应用到不同类型的半导体器件，具有良好的结晶度。该AlN晶体生长方法是这样的一种方法，其中通过气相外延在放置在提供在反应腔内的晶体生长器皿(12)内的晶体生长室(24)内部的籽晶衬底(2)上生长AlN晶体(4)，并且其特征在于：在晶体生长期间，将含碳气体提供到晶体生长室(24)的内部。

公开(公告)号：CN102017080B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200980114395.5

申请日：2009-04-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  宫永伦正 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L21/205 ,  C23C14/06 ,  C23C14/28 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L29/267 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明公开了制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底以及外延晶片，所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底易于加工且能实现处于混合晶体状态的Si(1-v-w-x)CwAlxNv晶体。所述制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底(10a)的方法包括下列步骤：首先，准备Si衬底(11)；然后，通过脉冲激光沉积法在所述Si衬底(11)上生长Si(1-v-w-x)CwAlxNv层(12)，其中0＜v＜1，0＜w＜1，0＜x＜1，且0＜v+w+x＜1。

公开(公告)号：CN102869816A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180021354.9

申请日：2011-12-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  原田真 ,  西口太郎 ,  佐佐木信 ,  井上博挥 ,  藤原伸介

IPC: C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/872 ,  Y10T428/18 ,  Y10T428/187

Abstract: 一种碳化硅衬底（1）包括：基础衬底（10），该基础衬底（10）具有70mm或更大的直径；和多个SiC衬底（20），该SiC衬底（20）由单晶碳化硅制成并且在平面图中观察时并排布置在基础衬底（10）上。换句话说，多个SiC衬底（20）并排布置在基础衬底（10）的主表面上并且沿着该主表面布置。此外，SiC衬底（20）中的每一个具有与基础衬底（10）相反并且相对与{0001}面具有20°或更小的偏离角的主表面（20A）。

公开(公告)号：CN102017079B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200980114047.8

申请日：2009-04-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  宫永伦正 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L21/205 ,  C23C14/06 ,  C23C14/28 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B29/36 ,  C23C4/185 ,  C23C16/34 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明公开了Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底、外延晶片及它们的制造方法，所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底实现了高结晶度和低成本。本发明的制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法包括准备异质衬底(11)和在所述异质衬底(11)上生长具有主面的Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的步骤。在所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的所述主面处组成比x+v为0＜x+v＜1。组成比x+v沿着自所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层与所述异质衬底(11)之间的界面至所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的所述主面的方向单调增大或减小。在所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层与所述异质衬底(11)之间的界面处的组成比x+v比所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的所述主面处的组成比x+v更接近所述异质衬底(11)的材料的组成比x+v。