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公开(公告)号：CN115053398B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202080095331.1
申请日：2020-03-10
Applicant: 日新电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种天线机构及等离子体处理装置，能够通过简单的结构来调整为了生成等离子体而流通高频电流的天线本体的阻抗，其为用来生成等离子体(P)的天线机构(3)，包括：天线本体(31)，流通高频电流；以及一条或多条调整电路(32)，与天线本体(31)邻接设置，调整电路(32)具有构成闭路的金属导体(321)、及构成闭路的电容器(322)。
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公开(公告)号：CN117501453A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202380010510.4
申请日：2023-03-16
Applicant: 国立大学法人东京农工大学 , 日新电机株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/425 , H01L21/336 , H01L21/265
Abstract: 一种固定电荷显现方法，为在具有包含氧化物半导体的沟道层的半导体元件中的背沟道侧的绝缘膜中显现出固定电荷的方法，所述方法中，在形成有所述绝缘膜后，在所述绝缘膜的表面形成金属膜，经由所述金属膜对所述绝缘膜进行离子注入，由此在所述绝缘膜中显现出固定电荷。
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公开(公告)号：CN117501419A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202380010868.7
申请日：2023-03-17
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/425 , H01L21/265
Abstract: 一种固定电荷控制方法，为对半导体元件中使用的绝缘层内的固定电荷进行控制的方法，所述方法中，在形成有所述绝缘层后，对所述绝缘层的表层部进行离子注入，在所述离子注入后的所述绝缘层的表面形成包含金属膜或绝缘膜的顶盖层，对在表面形成有所述顶盖层的所述绝缘层进行热处理，由此在所述绝缘层中显现出固定电荷。
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公开(公告)号：CN116261773A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202180064165.3
申请日：2021-11-04
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 为了可对沿着天线的长边方向的等离子体密度分布进行细微调整，实现等离子体密度分布的进一步均匀化，本发明的等离子体处理装置包括：真空容器(1)；天线(2)，设置于真空容器(1)的外部，流通高频电流(IR)；以及高频窗(9)，将形成于真空容器(1)的面向天线(2)的位置的开口(10x)堵塞，且天线(2)包括高频电流(IR)的流通方向彼此反向的去路导体(21)及返路导体(22)，所述等离子体处理装置还包括距离调整机构(10)，所述距离调整机构(10)对去路导体(21)及返路导体(22)的相对距离进行局部调整。
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公开(公告)号：CN114008752A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202080042357.X
申请日：2020-06-22
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L21/34 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种加工方法，在结晶性不同的两种氧化物半导体层叠而成的氧化物半导体层的加工中容易获得所需的形状。所述加工方法将包含氧化物半导体的第一半导体层、与包含较构成所述第一半导体层的氧化物半导体而言结晶性高的氧化物半导体的第二半导体层自基板侧依序层叠而成的半导体层叠体，利用离子研磨法进行加工而成形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113841218A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202080036501.9
申请日：2020-06-03
Applicant: 日新电机株式会社
Inventor： 安东靖典
Abstract: 一种等离子体处理装置，使用等离子体对配置于处理室中的被处理物进行真空处理，所述等离子体处理装置包括：容器主体，在形成所述处理室的壁具有开口；金属板，以堵塞所述开口的方式设置，并形成有在厚度方向上贯通的狭缝；电介质板，与所述金属板接触而受到支撑，并自所述处理室的外部侧堵塞所述狭缝；以及天线，以与所述金属板相向的方式设置于所述处理室的外部，并与高频电源连接而产生高频磁场，所述等离子体处理装置满足h‑D/2＞0.7(h为所述天线的中心轴与所述金属板中的所述天线侧的表面之间的距离(mm)，D为所述天线的直径(mm))。
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公开(公告)号：CN111418270A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201880077281.7
申请日：2018-11-30
Applicant: 日新电机株式会社
Inventor： 安东靖典
IPC: H05H1/46 , C23C16/509 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 本发明是使天线导体冷却而稳定地产生等离子体，并且一面使与天线导体连接的可变电容器冷却，一面抑制其静电电容的意外的变动。一种等离子体处理装置，在真空容器内产生等离子体，利用所述等离子体对基板进行处理，所述等离子体处理装置包括：天线导体，被流入高频电流，用以产生等离子体；以及可变电容器，与所述天线导体电连接，且所述天线导体在内部具有冷却液所流动的流路，所述可变电容器的介电质包括在所述天线导体内流动的冷却液。
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公开(公告)号：CN110291847A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201880011433.3
申请日：2018-02-13
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/509 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 本发明减小天线的阻抗，并且消除构成电容元件的电极及介电质之间产生的间隙。本发明的天线(3)用于产生感应耦合型等离子体P，且具备至少两个导体要素(31)、设于彼此相邻的导体要素(31)之间且将这些导体要素(31)绝缘的绝缘要素(32)、以及与彼此相邻的导体要素(31)电性串联的电容元件(33)，电容元件(33)是由与彼此相邻的导体要素(21)中的一者电性连接的第一电极(33A)、与彼此相邻的导体要素(31)中的另一者电性连接的第二电极(33B)、以及将第一电极(33A)及第二电极(33B)之间的空间充满的液体介电质所构成。
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公开(公告)号：CN106715750A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580051441.7
申请日：2015-04-10
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/363 , H05H1/46
Abstract: 不设置靶材的移动机构，而抑制在成膜的开始时及结束时形成不均质的膜。此溅镀装置是向设置于导入气体10的真空容器2内的天线20供给高频电力PR来产生感应耦合型的等离子体22，利用所述等离子体22与靶材偏置电压VT，对靶材30进行溅镀而在基板12上进行成膜。在成膜的开始时，向天线20供给高频电力PR来产生等离子体22后，对靶材30施加靶材偏置电压VT而开始溅镀，在成膜的结束时，停止施加至靶材30的靶材偏置电压VT而停止溅镀后，停止供给至天线20的高频电力PR而使等离子体22消失。
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公开(公告)号：CN105491780A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510627231.X
申请日：2015-09-28
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/32522
Abstract: 本发明提供一种等离子体产生用的天线及具备该天线的等离子体处理装置，天线是配置在真空容器内以用于产生电感耦合型等离子体的天线，即使在加长天线的情况下，也能够抑制其阻抗的增大。天线(20)配置在真空容器(2)内，用于使高频电流流经以使真空容器(2)内产生电感耦合型等离子体(16)，所述天线(20)具备：绝缘管(22)；以及中空的天线本体(24)，配置在绝缘管(22)中，且内部流经有冷却水，天线本体(24)采用使中空绝缘体(28)介隔在相邻的金属管(26)间而将多个金属管(26)串联连接的结构，各连接部具有相对于真空及所述冷却水的密封功能。本发明即使在加长天线的情况下，也能够抑制其阻抗的增大。
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