公开(公告)号：CN113728123B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202080030081.3

申请日：2020-04-27

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 久保田清

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明在成膜室内使对靶供给的气体的压力变得均匀，提升形成于基板的薄膜的均匀性。在溅射装置(1)中，在多个靶(30)之中邻接的两块靶(30)的任一者中，均相对于形成于两块靶(30)之间的第一空间(S1)，以规定的第一位置关系配置天线(20)，并且相对于配置于第一空间(S1)内的气体导入口(41)及气体排气口(51)，以规定的第二位置关系配置天线(20)。

公开(公告)号：CN117043385A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202280020050.9

申请日：2022-06-29

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 久保田清 ,  安东靖典

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明遍及靶的整个表面地供给气体。溅镀装置(1)的真空容器(2)包括保持靶(30)的至少一个靶保持器(32)。靶保持器包括：气体导入部(51)，导入气体(10)；以及一对气体放出口(54)，设置于靶周围的至少一部分的相向位置且将气体放出至真空容器内。

公开(公告)号：CN113728123A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202080030081.3

申请日：2020-04-27

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 久保田清

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明在成膜室内使对靶供给的气体的压力变得均匀，提升形成于基板的薄膜的均匀性。在溅射装置(1)中，在多个靶(30)之中邻接的两块靶(30)的任一者中，均相对于形成于两块靶(30)之间的第一空间(S1)，以规定的第一位置关系配置天线(20)，并且相对于配置于第一空间(S1)内的气体导入口(41)及气体排气口(51)，以规定的第二位置关系配置天线(20)。

公开(公告)号：CN110291847A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201880011433.3

申请日：2018-02-13

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 安东靖典 ,  李东伟 ,  久保田清

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/509 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明减小天线的阻抗，并且消除构成电容元件的电极及介电质之间产生的间隙。本发明的天线(3)用于产生感应耦合型等离子体P，且具备至少两个导体要素(31)、设于彼此相邻的导体要素(31)之间且将这些导体要素(31)绝缘的绝缘要素(32)、以及与彼此相邻的导体要素(31)电性串联的电容元件(33)，电容元件(33)是由与彼此相邻的导体要素(21)中的一者电性连接的第一电极(33A)、与彼此相邻的导体要素(31)中的另一者电性连接的第二电极(33B)、以及将第一电极(33A)及第二电极(33B)之间的空间充满的液体介电质所构成。