公开(公告)号：CN101517715A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200780034062.2

申请日：2007-09-14

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 佐泽洋幸 ,  西川直宏 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种具有低的栅极泄漏电流与小到可忽视的栅极滞后、漏极滞后、电流崩塌特性的、带电介质膜的氮化镓类半导体外延结晶基板。半导体外延结晶基板的制造方法是向通过有机金属气相生长法生长的氮化物半导体结晶层表面，赋与构成钝化膜或栅极绝缘膜并具有非结晶形的氮化物电介质或氧化物电介质的电介质层的制造方法，其中，在外延生长炉内使所述氮化物半导体结晶层生长之后，直接在该外延生长炉内使所述电介质层与所述氮化物半导体结晶层连续生长。

公开(公告)号：CN101897000B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200880119998.X

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦 ,  山本武继 ,  和田一实

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明使用廉价而且散热性优良的Si基板，获得质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供具有Si基板；在基板上结晶生长，且形成为孤立的岛状的Ge层；以及在Ge层上结晶生长的功能层的半导体基板。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小不超过进行退火时在所述退火的温度及时间内结晶缺陷所移动的距离的2倍。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小满足进行退火时在所述退火的温度下所述Ge层与所述Si基板之间的热膨胀系数的差异所产生的应力不会导致剥离发生的条件。

公开(公告)号：CN101952937B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200980105610.5

申请日：2009-02-27

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  高田朋幸

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/16 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78681

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其提高化合物半导体装置的转换速度等性能。半导体基板包括：硅基板；形成于硅基板上且具有抵达硅基板的开口部的绝缘膜；形成于开口部的Ge结晶；以Ge结晶为核进行成长而成、且形成为比绝缘膜的表面更凸出的化合物半导体结晶；以及以化合物半导体结晶为晶种面，在绝缘膜上进行横向成长而成的横向成长化合物半导体层。

公开(公告)号：CN101611471B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200880004854.X

申请日：2008-02-12

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  佐泽洋幸 ,  西川直宏

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/207 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管用外延基板，场效应晶体管用外延基板在衬底基板和工作层之间设有含有Ga的氮化物系III-V族半导体外延结晶，氮化物系III-V族半导体外延结晶含有(i)、(ii)及(iii)。(i)第一缓冲层，其含有Ga或Al，并且包括添加了元素周期表中处于与Ga同一周期且原子序号小的补偿杂质元素的高电阻结晶层；(ii)第二缓冲层，其层叠于第一缓冲层的工作层侧，并含有Ga或Al；(iii)高纯度外延结晶层，其设于高电阻结晶层和工作层之间，并不含有或含有能够维持耗尽状态的程度的微量受主杂质。

公开(公告)号：CN102460740A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080026000.9

申请日：2010-06-17

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  佐泽洋幸 ,  山中贞则

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/28 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L27/15 ,  B41J2/45 ,  H01L27/156

Abstract: 本发明提供一种发光装置，具备包含硅的基底基板、与基底基板接触而形成的多个种晶体、与分别对应的种晶体晶格匹配或者准晶格匹配的多个3-5族化合物半导体，其中，在多个3-5族化合物半导体中的至少一个中形成有根据供给的电流来发光的发光元件，在形成了多个3-5族化合物半导体中的发光元件的3-5族化合物半导体以外的至少一个的3-5族化合物半导体中形成有限制供给至所述发光元件的电流的电流限制元件。

公开(公告)号：CN102439696A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201080022049.7

申请日：2010-05-19

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山中贞则 ,  秦雅彦 ,  福原升

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8248 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/082 ,  H01L29/737 ,  H01L31/10 ,  H01L33/34

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/66318 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种半导体基板及其制造方法、电子器件及其制造方法。该半导体基板具备：具有向硅导入了杂质原子的杂质区域的基底基板；与杂质区域相接地设置的多个晶种体；以及与多个晶种体的每一个相接地设置且与多个晶种体分别晶格匹配或准晶格匹配的多个化合物半导体。该半导体基板还可以进一步具备阻碍体，该阻碍体被设置于基底基板上且设有使杂质区域的至少一部分露出的多个开口。

公开(公告)号：CN102396059A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201080016486.8

申请日：2010-04-13

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 福原升 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/66 ,  G01N27/00

CPC classification number: G01R31/025 ,  G01R31/129

Abstract: 本发明提供一种测量方法，用于测量包含基底基板及缓冲层的半导体基板的空穴或电子的移动所致的漏电流或提供绝缘击穿电压。具体是，该测量方法测量具有基底基板，及在基底基板上设置的缓冲层的半导体基板的漏电流或绝缘击穿电压，具有：在缓冲层设置含有由被施加电场时对缓冲层注入空穴的材料组成的空穴注入电极的多个电极的步骤；测量对从多个电极选择出的含有至少一个空穴注入电极的第1一对电极施加电压或电流时在第1一对电极中流动的电流及第1一对电极间的电压的步骤；根据第1一对电极中流动的电流及第1一对电极间的电压，测量半导体基板中的空穴的移动所致的漏电流或测量绝缘击穿电压的步骤。

公开(公告)号：CN102210010A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200980144603.6

申请日：2009-11-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  高田朋幸 ,  山田永

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/268 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8248 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种半导体基板的制造方法，其是对包括具有单晶层且被热处理的被热处理部和应被保护不受因热处理而施加的热的影响的被保护部的底板基板进行热处理的制造半导体基板的方法，包括设置保护被保护部不受照射到底板基板的电磁波影响的保护层的步骤、和通过对底板基板整体照射电磁波而对被热处理部进行退火的步骤。

公开(公告)号：CN101946307A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200980105553.0

申请日：2009-02-27

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  高田朋幸

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/764 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/845 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78681

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其提高化合物半导体装置的转换速度。并具有：硅基板；形成在所述硅基板上，并具有抵达所述硅基板且纵横比为/3以上的开口部的绝缘膜；形成于所述开口部，且形成为比所述绝缘膜的表面更凸出的晶种化合物半导体结晶：以及以所述晶种化合物半导体结晶的特定面为晶种面，于所述绝缘膜上进行横向生长而成的横向生长化合物半导体层。

公开(公告)号：CN101897004A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200880119996.0

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦 ,  山本武继 ,  和田一实

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L21/338 ,  H01L29/26 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02516 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7371

Abstract: 本发明利用廉价且散热特性优良的Si基板来得到高质量的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具有：单晶Si的基板；绝缘层，其形成在基板之上，并具有开口区域；Ge层，其外延生长在开口区域的基板上；以及GaAs层，其外延生长在Ge层上，其中，Ge层是通过将基板导入能够处于超高真空的减压状态的CVD反应室内，以能够热分解原料气体的第一温度来实施第一外延生长，以高于第一温度的第二温度来实施第二外延生长，以未达到Ge熔点的第三温度来对实施了第一和第二外延生长的外延层实施第一退火，以低于第三温度的第四温度来实施第二退火而形成的。