-
公开(公告)号：CN105463578A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510915491.7
申请日：2015-12-10
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种红外非线性光学晶体材料，其具有如下所示的分子式：AX4X'5Te12。其中，A为碱金属元素；X为过渡金属元素；X'为IIIA族金属元素。该红外非线性光学晶体材料的晶体结构属于三方晶系，空间群为R3。本发明提供的新型红外非线性光学晶体材料，具有优良的二阶非线性光学性质以及较宽的透光范围，具有强的红外倍频响应，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的2～9倍，可用于中红外探测器和激光器。此外，本发明所提供的制备红外非线性光学晶体材料的方法操作简单，得到的样品具有较高的结晶度和纯度。
-
公开(公告)号：CN102191554B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201010116381.1
申请日：2010-03-02
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一类红外非线性光学晶体Ln4GaSbS9，属于无机非线性光学材料领域。本发明采用无机固相一步合成法合成。合成条件为：在950℃下反应5天。其分子式为Ln4GaSbS9，Ln为Pr，Nd，Sm，Gd，Tb，Dy，Ho中的一种，属于正交晶系，空间群为Aba2。Sm4GaSbS9具有优良的非线性光学性能，其粉末SHG系数为KTP的2倍。
-
公开(公告)号：CN102409407B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201110353590.2
申请日：2011-11-09
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种一种红外非线性光学材料Ba3AGa5Se10Cl2及其制备方法。本发明通过高温固相合成法合成。合成条件：在850℃下反应100h。本发明中，新型红外非线性光学晶体Ba3AGa5Se10Cl2(A＝Cs，Rb和K)，属于四方晶系空间群。其中Ba3CsGa5Se10Cl2具有优异的非线性性能，初步测定，在2.05μm颗粒度为46-74μm下，其非线性系数为商用材料AgGaS2的13.6倍，可能具有潜在的非线性光学应用价值。
-
公开(公告)号：CN102191553B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201010116371.8
申请日：2010-03-02
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C30B29/46
Abstract: 本发明涉及一类新型红外非线性光学晶体及其制备方法，属于无机材料领域。本发明采用高温无机固相一步合成法进行合成。合成条件：在950℃下反应4天。在本发明中，新型红外非线性光学晶体Ln4InSbS9结晶于四方手性空间群P41212或P43212。其结构含有一维无限螺旋链：[In2Sb2S11]10-，链间填充稀土离子。InS4四面体共顶点得到二聚体In2S7，SbS3三角锥共边形成得到二聚体Sb2S4，Sb-S键连接Sb2S4二聚体和In2S7二聚体形成独特的一维无限螺旋链结构。本发明已成功地合成Ln4InSbS9的单晶和纯相。非线性光学测试表明，La4InSbS9和Sm4InSbS9在波长为2.05的激光照射下，观察到SHG效应，大约是经典非线性光学材料磷酸钛氧钾KTP的4和2倍。本发明获得的非线性光学晶体材料的合成方法简单，产率高，产物具有化学物相单一，均匀性好，具有潜在的红外非线性光学应用价值。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN101928038B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN200910112067.3
申请日：2009-06-26
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种钛酸钡空心纳米球的制备方法。该方法采用改进型直接沉淀法，包括制备钛盐和一定比例的正丁醇/乙醇的混合物与钡离子水溶液作为反应物料，加入适宜浓度的碱液促进晶化，低温加热反应即可得到分散性良好的钛酸钡空心纳米球粉体。制备的产品为纯的立方晶相，具有空心纳米球形貌，且颗粒的尺寸和形貌均一。
-
公开(公告)号：CN103236493A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310174698.4
申请日：2013-05-13
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种热电材料TmCuTe2化合物的制备方法及其用途。该化合物属于三方晶系，空间群为，晶胞参数为，，α = β =90°, γ = 120°，Z = 8，晶胞体积为。采用高温固相法合成TmCuTe2化合物粉体，将得到的粉体进行热压烧结即可得到块体材料。该材料在754K时达到最佳热电优化值为0.81，接近于目前商业化热电材料体系的热电优值，而且该化合物高温稳定性好，因此可用于热-电转换器件制作。
-
公开(公告)号：CN103107278A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210541111.4
申请日：2012-12-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种Pb掺杂In4Se3基热电材料In4-xPbxSe3(x=0.01,0.02,0.04-0.06)的制备方法及用途。采用高温固相两步法合成Pb掺杂In4Se3的粉体，将得到的粉体进行放电等离子烧结即可得到目标的块体材料。Pb掺杂的In4Se3基热电材料的热电优值最大达到0.8,比未掺杂提高40%，接近于目前商业化热电材料体系的热电优值，因此可用于热-电转换器件制作。
-
公开(公告)号：CN102031415A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910112583.6
申请日：2009-09-28
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一类I型锑基笼合物材料及其制备方法，属于无机材料领域。本发明采用无机固相一步合成法或两步合成法进行合成。本发明中，利用过渡金属或者主族元素对锑基骨架进行了修饰，在骨架原子所形成的多面体空腔中填充了碱金属填隙原子，得到了一类I型锑基笼合物材料，其分子式通式可以表示为：A8MxSb46-x，(18≤x≤25)式中A为填隙原子，为碱金属Rb，Cs中的一种，M为第二骨架元素，为过渡金属或者主族金属原子，为Zn，Cd，Ga，In中的一种，x表示第二骨架元素的摩尔含量，当M＝Zn，Cd，x＝18；当M＝Ga，x＝25；当M＝In，x＝20。本发明获得的笼合物材料，具有化学物相单一，均匀性好，组分可控等优点。本发明制备的I型锑基笼合物材料，成功拓展了I型笼合物理论和实验研究范围，具有潜在的热电应用价值。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
59
records
(took 0.035 seconds)
