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公开(公告)号：CN105742412A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610273996.2
申请日：2016-04-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/02168 , H01L31/0322 , H01L31/0323
Abstract: 本发明提供一种薄膜太阳能电池吸收层碱金属掺入方法，所述掺入方法至少包括：提供待处理的薄膜太阳能电池吸收层，配置含有碱金属离子的溶液，采用非真空镀膜的方法将所述碱金属离子溶液沉积于所述吸收层表面，并将所述吸收层放置于热处理炉中，往所述热处理炉中通入惰性气体或硒化氢和惰性气体的混合气体，升温至设定的温度，以使碱金属离子扩散进所述吸收层。本发明的碱金属掺入方法可在吸收层表面产生原子排空，促进缓冲层CdS中的Cd原子扩散进吸收层表面形成浅埋PN结，减少载流子在吸收层/缓冲层的界面层复合，提高开路电压，提高电池转换效率。本发明所提供的制备方法简单可控，无需昂贵的真空镀膜设备，与常规艺兼容性好，碱金属材料利用率高，成本低。
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公开(公告)号：CN103137791B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310080782.X
申请日：2013-03-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种湿法沉积和低温热处理相结合制备异质结太阳电池方法，其特征在于在单面或双面透明导电层上湿法沉积金属栅线，然后低温热处理合金化；其中：①金属栅线至少包括位于所述的透明导电层之上的金属接触层和依次位于金属接触层上面的金属传导层和金属焊接层；②所述的湿法沉积包括：电沉积、光诱导沉积、化学沉积，或是其组合；③所述的低温热处理合金化，以形成良好的接触和粘附特性。本发明的优点是可实现无银或少银的金属栅线，降低成本，且低温下热处理与现有异质结太阳电池制备工艺匹配。总之，本发明无种子层电镀，金属接触层是一种具有特殊的温度特性的金属或合金，能在低于250℃热处理温度下与透明到点膜形成良好的接触与粘附特性。
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公开(公告)号：CN104465892A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410850685.9
申请日：2014-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/188 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种太阳电池串中相邻太阳电池同侧互联的光伏组件制作方法，至少包括：将太阳电池串中彼此相邻的太阳电池片的正、负电极方向设置为相反，通过导电带将一太阳电池片的正极与一相邻太阳电池片同面的负极相连，该相邻太阳电池片另一面的正极则与下一个相邻电池片同面的负极相连，以此类推，形成同侧互联的太阳电池串。该制作方法中，太阳电池片的电极通过导电带在同一侧面与相邻太阳电池片相连接，降低导电带互联时产生的应力，避免由于应力导致焊带脱焊以及电池片破裂，提高光伏组件的可靠性和长期稳定性，从而提高光伏组件的寿命；同时，采用该方法可以降低太阳电池片之间的间距，提高光伏组件单位面积的功率密度，进而提高光伏组件的封装效率。
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公开(公告)号：CN104319316A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410608127.1
申请日：2014-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/20 , H01L27/142 , H01L31/0352 , H01L31/075 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/202 , H01L31/022425 , H01L31/035272 , H01L31/075 , H01L31/18
Abstract: 本发明提出了一种高效薄膜晶硅太阳电池及其自主能源集成芯片的制备方法，该方法采用了硅薄膜外延技术，克服了CMOS集成电路和太阳电池对硅材料掺杂浓度要求不同之间的矛盾；太阳电池采用本征非晶硅层/N型非晶硅层/透明导电膜异质结结构，提高了开路电压和转换效率，有利于提高芯片有效面积和集成度；利用了SOI材料中埋氧层的钝化和光学特性，可以提高薄膜晶硅太阳电池性能。该集成技术中，采用了两次ITO技术，克服了高温热处理对太阳电池性能，特别是开路电压的影响。本发明的制备方法与CMOS工艺具有兼容性，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN103137791A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310080782.X
申请日：2013-03-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种湿法沉积和低温热处理相结合制备异质结太阳电池方法，其特征在于在单面或双面透明导电层上湿法沉积金属栅线，然后低温热处理合金化；其中：①金属栅线至少包括位于所述的透明导电层之上的金属接触层和依次位于金属接触层上面的金属传导层和金属焊接层；②所述的湿法沉积包括：电沉积、光诱导沉积、化学沉积，或是其组合；③所述的低温热处理合金化，以形成良好的接触和粘附特性。本发明的优点是可实现无银或少银的金属栅线，降低成本，且低温下热处理与现有异质结太阳电池制备工艺匹配。总之，本发明无种子层电镀，金属接触层是一种具有特殊的温度特性的金属或合金，能在低于250℃热处理温度下与透明到点膜形成良好的接触与粘附特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119397743A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411388403.8
申请日：2024-10-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/20 , G06F17/11 , G06F17/18 , H02S50/10 , G06F111/08 , G06F119/04 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及一种光伏组件寿命预测方法、设备及介质，其中，方法包括：采用阿伦乌斯公式计算光伏组件的活化能；对所述光伏组件进行紫外加速老化试验，得到紫外老化后光伏组件的特征数据；将紫外辐照度纳入Peck模型，并根据所述活化能和紫外老化后光伏组件的特征数据计算所述Peck模型中与湿热条件相关联的影响因子和与紫外老化相关联的影响因子，得到Peck方程；基于所述Peck方程构建Wiener衰减模型，并利用Wiener衰减模型预测所述光伏组件的寿命。本发明能够更加符合光伏组件户外运行的环境特性，同时考虑多种环境物理参数。
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公开(公告)号：CN117855294A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311664855.X
申请日：2023-12-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0747 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及一种硅异质结太阳电池，本征硅基薄膜钝化层覆盖在晶体硅衬底上，p型掺杂型硅基薄膜钝化层沉积在本征硅基薄膜钝化层上，本征硅基薄膜钝化层和p型掺杂型硅基薄膜钝化层之间具有隧道传输层，该隧道传输层为疏松多孔的、带隙介于1.8～2.6eV之间、能带的价带顶上方富含多个能级通道的p型氢化微晶硅基隧穿层以增强空穴载流子收集。本发明还涉及硅异质结太阳电池的制备方法。根据本发明的硅异质结太阳电池及其制备方法，通过隧道传输层，在本征硅基薄膜钝化层和p型掺杂型硅基薄膜钝化层之间搭建一个能级通道使能级中的价带顶部有连续能级供空穴载流子在电池纵向方向实现有效隧穿，获得高填充因子和高转换效率的硅异质结太阳电池。
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公开(公告)号：CN117673195A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211090758.X
申请日：2022-09-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 本发明涉及一种柔性薄型单晶硅太阳电池的制备方法，其包括如下步骤：S1，提供单晶硅片；S2，对单晶硅片进行制绒，以在单晶硅片的至少一面制作具有金字塔形貌的绒面减反射结构；S3，对单晶硅片的边缘部分进行圆滑处理，该边缘部分为到单晶硅片的边缘的距离不大于5mm的边缘区域；S4，对单晶硅片进行清洗；S5，利用圆滑处理并清洗的单晶硅片制作柔性薄型太阳电池。根据本发明的柔性薄型单晶硅太阳电池的制备方法，消除造成硅片碎裂的应力集中产生区，使薄型单晶硅片具有柔性的结构特征，显著提高单晶硅片的柔性，工艺简单，具有广泛的应用前景和实用价值。
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公开(公告)号：CN111952381B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202010858366.8
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0288 , H01L31/0747 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及一种硅异质结太阳电池，其包括晶体硅吸收层、本征钝化层、电子选择层和金属电极，其中，本征钝化层设置于晶体硅吸收层上，电子选择层设置于本征钝化层上，金属电极与电子选择层形成欧姆接触，其中，电子选择层为含氧施主微晶硅氧层或含氧施主多晶硅氧层的掺氧硅层，掺氧硅层与晶体硅吸收层和本征钝化层形成能带匹配以实现电子抽取。根据本发明的硅异质结太阳电池，通过掺氧硅层来代替掺磷硅层作为电子选择层，用于解决现有技术在气源成本、安全管理、工艺交叉污染等方面遇到的问题。具体地，根据本发明的硅异质结太阳电池，通过H等离子体处理的掺氧硅层可以将氧原子激发到硅薄膜中的氧施主位置，进而使这种硅薄膜具有电子选择性质。
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公开(公告)号：CN113178501A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110366557.7
申请日：2021-04-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/05 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种柔性光伏组件及其制备方法，从下至上依次是正面封装薄膜、封装胶膜、太阳能电池串、封装胶膜、背板衬底，所述太阳能电池串由太阳能电池通过互联条互联而得；其中，所述太阳能电池正反两面设置有细栅线电极、与细栅线交叉的主栅线电极，以及与主栅线电极相连接的分布于太阳能电池边缘两侧的互联点；所述互联条贴合于所述互联点表面。本发明可显著改善传统焊带焊接带来应力集中、隐裂增加以及电池片柔性降低问题，提升柔性组件的弯曲率，增加柔性组件的抗机械振动性和使用可靠性，具有良好的市场应用前景。
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