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公开(公告)号：CN103888888A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410159536.8
申请日：2014-04-18
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种电容式硅微型麦克风及其制作方法。一种电容式硅微型麦克风，包括衬底、背板以及支撑结构，所述衬底上设有隧穿层，所述隧穿层上设有介质层，所述介质层作为存储层，所述存储层上设有阻挡层；在所述衬底正中下方位置开设有一空腔，位于所述空腔正上方的衬底、隧穿层、存储层以及阻挡层共同构成一振膜；所述背板设在所述衬底上方，所述背板设有通孔；所述背板和所述振膜之间通过支撑结构连接，并在所述振膜正上方形成一间隙。本发明提供的电容式硅微型麦克风无需外加电源，与CMOS工艺兼容，具有易于微型化、低成本、高精度、高可靠性的优点，并能应用于高温、高湿等恶劣环境。
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公开(公告)号：CN118392382B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202410867038.2
申请日：2024-07-01
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，该传感器包括三层压敏薄膜，中间层厚度大于顶层压敏薄膜厚度，每层压敏薄膜的上表面分别设有压敏电阻；顶层与中间层压敏薄膜之间为气体缓冲腔，中间层与底层压敏薄膜以及底层压敏薄膜与传感器的底部衬底之间分别设置真空腔，三层压敏薄膜与气体缓冲腔、真空腔在厚度方向上的投影均重合。本发明采用三层压力敏感薄膜设计，结合气体缓冲腔设计，使气体缓冲腔周围的两层薄膜在其最佳的工作范围内都能提供近线性响应，在不影响传感器灵敏度的前提下，拓宽了传感器的线性工作区间。此外，弹性的气体腔室还可以有效地缓解局部的压力尖峰，从而消除尖峰压力带来的非线性响应。
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公开(公告)号：CN117330184A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311167159.8
申请日：2023-09-12
Applicant: 东南大学
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种基于红外超表面的尾焰传感器及其制备方法，包括从上往下设置的红外超表面、导热绝缘层、电阻层、永磁体层、真空腔，发动机尾焰具有4.35μm特征波长的红外光被红外超表面吸收，并将吸收的光能转化为热能，热流通过导热绝缘层传递到电阻层，在永磁体层和热流的共同作用下，基于能斯脱效应在电阻层的左右两侧会产生电动势，从而可以实现对尾焰的检测。相比于传统的红外传感器，本发明的尾焰传感器无需外部供电，因此可以实现近零功耗的传感，且实现对外界杂散光源的隔离，有效提高了传感器的抗干扰能力，降低误报警概率。
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公开(公告)号：CN112098728B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202010978519.2
申请日：2020-09-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明是一种基于传输反射机制的不规则薄膜电阻测试结构及方法。该测试结构主要是由衬底(4)、CPW传输线(1)、凹槽(3)和不规则薄膜电阻(2)四部分组成；不同工作频率的信号通过CPW传输线(1)的输入端输入，并被输出端的不规则薄膜电阻(2)反射；通过使用校准的网络分析仪或其它可测量反射损耗的仪器测量出在直流、中高频和射频频率下不规则薄膜电阻(2)引起的反射损耗，即可根据公式反推出对应频率下不规则薄膜电阻(2)呈现的电阻值；该测试结构及方法较为简单有效，可以用于测量不同工作频率下不规则薄膜电阻的电阻值，而且具有微型化、低功耗、集成化和低成本的特点。
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公开(公告)号：CN113257194B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202110326976.8
申请日：2021-03-26
Applicant: 东南大学
IPC: G09G3/3258 , G09G3/3266
Abstract: 本发明公开了一种有源矩阵有机发光二极管像素补偿电路及其驱动方法，包括第一开关晶体管T1、第二开关晶体管T2、第三开关晶体管T3、第四开关晶体管T4、驱动管T5、存储电容器Cs、补偿电容器Cc、有机发光二极管OLED、第一扫描控制线Vs1、第二扫描控制线Vs2、数据信号线Vdata、电源/基准复用线Vdd/Vref。驱动方法包括补偿阶段、数据写入阶段和发光阶段。其中，数据写入阶段既实现数据信号的写入，也实现对驱动管T5迁移率变化的补偿。本发明的有源矩阵有机发光二极管像素补偿电路具有开口率高、补偿驱动管迁移率变化、以及减缓有机发光二极管OLED退化速度等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111273089B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN201911412952.3
申请日：2019-12-31
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明的具有在线自检测功能的对称型MEMS定向微波功率耦合器通过将两段ACPS传输线的信号线对称分布于主传输线的上下两侧，且每段ACPS传输线的长度为四分之一波长，构成对称型定向耦合器，利用对称型定向耦合器将入射微波功率分别耦合到耦合端端口三、五，使其具有两个耦合端的输出微波功率，从而实现了双端口耦合输出；在对称型定向耦合器的CPW传输线与ACPS传输线的四个连接节点处各放置一个电容式MEMS微波功率传感器，利用电容式MEMS微波功率传感器测量出两支路各端口传输的微波功率，实现了在线自检测功能；此外，其采用全无源结构具有零直流功耗以及与砷化镓单片微波集成电路工艺兼容等特点。
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公开(公告)号：CN111044799B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN201911420905.3
申请日：2019-12-31
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明的基于热电式和电容式双通道在线检测的MEMS微波驻波计将ACPS传输线的信号线对称放置在主传输线两端作为副传输线构成了对称型定向耦合器；对称型定向耦合器将入射微波功率和反射微波功率分别提取到上下两条支路的耦合端和隔离端；通过分别在上方支路和下方支路放置热电式和电容式MEMS微波功率传感器，测量上下两支路耦合端和隔离端的微波功率，进而得到驻波比；由于热电式MEMS微波功率传感器适合测量较小的微波功率，而电容式MEMS微波功率传感器适合测量较大的微波功率，因此采用两种传感器同时进行测量可以获得更大的微波驻波计测量动态范围；该MEMS微波驻波计具有低损耗、小芯片面积以及与砷化镓单片微波集成电路工艺兼容的特点。
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公开(公告)号：CN113848001A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111072848.1
申请日：2021-09-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种RF谐振压力传感器，包括敏感RF谐振器、RF谐振器和共面波导端口，敏感RF谐振器和RF谐振器形成对称弱耦合结构。本发明采用了对称弱耦合状态的RF谐振器，基于模态局域化原理，其谐振信号幅值将随施加的压力剧烈变化，因此传感器灵敏度极高；传感器工作在RF频段，因此不易受工频等低频信号干扰；传感器结构只包含金属和高阻衬底，传感器敏感结构受温漂的影响小。
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公开(公告)号：CN111044798B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201911417524.X
申请日：2019-12-31
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明的可在线自检测的MEMS微波功率传感器，通过将电容式MEMS微波功率传感器和对称热电式MEMS微波功率传感器串联在MIM电容两侧，构成双通道MEMS微波功率传感器；利用分压法，通过向连有标准电阻的压焊块上施加参考电压，即可对负载电阻的阻值进行检测；被检测电阻若处于正常工作状态下，热电堆两侧的负载电阻会分得相同的电压并转化为相同的热量，即热电堆两侧的温差完全由输入的微波功率产生；并且由于在左侧共面波导信号线上设有MIM电容，隔绝MEMS悬臂梁下方的共面波导信号线和后方的共面波导信号线的直流互联，以实现测量微波功率的同时检测负载电阻的功能；该MEMS微波功率传感器具有低损耗、高灵敏度以及具有终端电阻在线自检测的特点。
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公开(公告)号：CN112357877B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202110036056.2
申请日：2021-01-12
Applicant: 东南大学 , 南京高华科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS SOI压力传感器及其制备方法，压力传感器包括体硅层、埋氧层、衬底、压敏电阻、钝化层、电极层。压敏电阻为对SOI片的器件层进行光刻和离子注入得到，钝化层为对SOI片进行退火处理形成的SiO2，退火气氛为纯O2、O2/H2O混合气、O2/NO混合气、O2/HCl混合气、O2/CHF3混合气的一种，并通过退火处理消除光刻形成压敏电阻时由于过刻蚀对埋氧层表面造成的损伤，并抑制钝化层的体与界面缺陷及其俘获电荷引起的传感器稳定性问题。在压敏电阻下方正对的埋氧层和体硅层处开孔形成沟槽，有助于抑制因掺杂杂质进入压敏电阻下方的埋氧层所产生的缺陷，并有助于提高传感器的灵敏度。
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