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公开(公告)号：CN109411322B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201810939779.1
申请日：2018-08-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其能够抑制基片的蚀刻速率下降并且降低照射至腔室主体的内壁的离子的能量。一个实施方式的等离子体处理装置包括产生直流电压的直流电源，该直流电压具有负极性且用于被施加至工作台的下部电极。在利用该等离子体处理装置的等离子体处理中，供给高频以使腔室内的气体激励而生成等离子体。另外，来自直流电源的负极性的直流电压被周期性地施加至下部电极，以将来自等离子体的离子引入到工作台上的基片。在各个周期内直流电压被施加至下部电极的期间所占的比率被设定为40％以下。
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公开(公告)号：CN111146061A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911058656.8
申请日：2019-11-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/248 , H01J37/305
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。在一个例示的实施方式的等离子体处理装置中，基片支承台设置于腔室内。基片支承台的下部电极与电源单元连接。在腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中，电源单元将第一直流电压施加到下部电极。第一直流电压为正极性的直流电压。电源单元为了对载置于基片支承台上的基片进行蚀刻，在腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中，将第二直流电压施加到下部电极。第二直流电压为负极性的直流电压。电源单元输出的直流电压从第一直流电压被连续地切换为第二直流电压。本发明能够使基片的正电荷量减少并且使蚀刻速率提高。
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公开(公告)号：CN110416075A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910332423.6
申请日：2019-04-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明抑制基片的蚀刻速率降低并且降低照射到腔室主体的内壁的离子的能量。等离子体处理方法包括：从高频电源供给高频的步骤；从一个以上的直流电源对下部电极施加具有负极性的直流电压的步骤，在施加直流电压的步骤中，将直流电压周期性地施加到下部电极，在将规定对下部电极施加直流电压的各个周期的频率设定为不到1MHz的状态下，调节在各个周期内将直流电压施加到下部电极的时间所占的比例。
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公开(公告)号：CN105355532B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201510962055.5
申请日：2012-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32697 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32366 , H01J37/32642 , H01J37/32706 , H01J37/32724 , H01J2237/327
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置以及该基板处理装置的控制方法。上述基板处理装置，包括：内部被减压的处理室；配置在该处理室内、载置基板的载置台；施加等离子体生成用高频电压的第一高频电源；对所述载置台施加偏置电压发生用高频电压、在所述载置台产生偏置电压的第二高频电源；对所述载置台施加矩形波状的直流电压、在所述载置台产生偏置电压的直流电压施加单元；和开关机构，该开关机构配置在所述载置台与所述第二高频电源以及所述直流电压施加单元之间，能够控制所述载置台与所述第二高频电源的连接以及所述载置台与所述直流电压施加单元的连接。
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公开(公告)号：CN101896033B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201010129374.5
申请日：2010-03-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/3255 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01J37/32577
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理装置用的电极，对生成等离子体所消耗的高频的电场强度分布进行控制。等离子体蚀刻装置(10)具有：在内部对晶片(W)进行等离子体处理的处理容器(100)；上部电极(105)和下部电极(110)，在处理容器(100)的内部相互相对，且在它们之间形成处理空间；以及高频电源(150)，其与上部电极(105)和下部电极(110)中的至少一个连接，向处理容器(100)的内部输出高频电力。上部电极(105)和下部电极(110)的至少一个包括：由板状的电介质形成基材(105a)；具有开口部、且覆盖基材(105a)的导电性盖(105b)；和设置在基材(105a)与等离子体之间的金属的第一电阻体(105d)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101546697B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN200910129115.X
申请日：2009-03-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H05H1/24 , H01L21/20 , H01L21/3065 , H01L21/311
CPC classification number: H01J37/32541 , H01J37/32091 , H01J37/32568 , H01J37/32577
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其能够容易且自如地控制等离子体密度分布，提高等离子体工艺的均一性和成品率。该等离子体处理装置将基座(12)在半径方向上二分割为基座中心电极(12A)和基座周边电极(12B)，为了高频放电或等离子体生成而将从高频电源16输出的高频经由下部供电导体(18)优先供给基座周边电极(12B)上，并同时经由可变电容耦合部(28)以可变的分配比将该高频也供给基座中心电极(12A)上。
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公开(公告)号：CN103258707A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310162785.8
申请日：2009-09-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32027 , H01J37/32045 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32137 , H01J37/32532 , H01J2237/3341 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67253 , H01L22/14 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。
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公开(公告)号：CN101996843B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201010299872.4
申请日：2004-01-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32642 , Y10T279/23
Abstract: 本发明提供可以在被处理基板的整个面上实施均匀的等离子体处理，与目前相比可以提高等离子体的面内均匀性的等离子体处理装置以及聚焦环。在搭载半导体晶片(W)而兼作下部电极的基座上，按照包围半导体晶片(W)的周围那样设置聚焦环(6)。聚焦环(6)由薄板状的环形部件(6a)和下侧环形部件(6b)组成，前述薄板状的环形部件(6a)按照从前述被处理基板的外周边缘部设置一定间隔而包围半导体晶片(W)的周围那样配置，前述下侧环形部件(6b)按照位于半导体晶片(W)和薄板状的环形部件(6a)之间且位于半导体晶片(W)和薄板状的环形部件(6a)下侧那样配置。
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公开(公告)号：CN101990353B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201010236449.X
申请日：2010-07-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 桧森慎司
IPC: H05H1/46 , H01L21/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32165 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32715
Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置和等离子处理方法。该等离子装置和等离子方法能够抑制装置制造成本的增加，并且能够对等离子处理状态进行细微控制，从而能够提高等离子处理的面内均匀性。该等离子蚀刻装置具有：下部电极，兼用作载置基板的载置台；上部电极，与下部电极相对地配置；第1高频电源，用于对下部电极或上部电极施加等离子体产生用的第1频率的高频电力；第2高频电源，用于向下部电极施加频率比第1频率低的离子牵引用的第2频率的高频电力；偏压分布控制用电极，在与下部电极绝缘的状态下，设置在该下部电极上的至少周缘部；偏压分布控制用电源，用于对偏压分布控制用电极施加频率比第2频率低的第3频率的交流电压或矩形波电压。
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公开(公告)号：CN101540277B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200910129459.0
申请日：2009-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H05H1/24
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32577 , H01J37/32642
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置，其能够在广RF频率区域中且在广RF功率区域中提高等离子体处理的面内均匀性。在腔室(10)内，载置半导体晶片(W)的基座(下部电极)(12)和上部电极(38)平行相向地配置。在基座(12)上，从第一高频电源(32)施加等离子体生成用的第一高频。基座(12)的侧面和上表面周边部(边缘部)夹着电介质(16)被从腔室(10)的底壁向垂直上方延伸的RF接地部件(18)覆盖。在安装在排气通路(20)的上部的排气环(22)之上设置有翼部件(25)。
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