基于氧化物薄膜晶体管阵列制备的复合叠层电极

    公开(公告)号:CN102208453A

    公开(公告)日:2011-10-05

    申请号:CN201110146555.3

    申请日:2011-06-02

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于氧化物薄膜晶体管阵列制备的复合叠层电极。本器件依次由源漏电极(1)、氧化物有源层(2)、绝缘层(3)、栅电极(4、5),基板(6)构成。各结构层采用真空蒸发方法和磁控溅射方法制备。本发明氧化物薄膜晶体管结构中,铝/镍(Al/Ni)金属电极为复合叠层电极。采用这种基于氧化物薄膜晶体管阵列制备的复合叠层电极,可实现制备工艺过程中,消除各种化学试剂对电极的影响,使氧化物薄膜晶体管能在阵列制备过程中不受伤害且制备好的阵列在器件性能上不受影响,使得其在电路中实现应用价值成为可能。

    植物-微生物联合定向修复重金属污染土壤的方法

    公开(公告)号:CN101181715A

    公开(公告)日:2008-05-21

    申请号:CN200710047489.8

    申请日:2007-10-26

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种植物-微生物联合定向法修复重金属污染土壤的方法。该方法的具体步骤为:首先通过植物与微生物抗性细菌的筛选,得到具有重金属耐性的植物物种与微生物抗性细菌菌种,然后将该耐性植物的种子在微生物抗性细菌菌液中浸泡、包衣;最后将该种子种植于重金属污染的土壤中进行生长,即可修复污染土壤。该方法修复效果好、费用低、易于管理与操作、不产生二次污染,具有广泛的应用前景。因而也是修复技术最主要的发展方向。

    一种柔性有源肌电电极阵列结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN118490241A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410592741.7

    申请日:2024-05-13

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开一种柔性有源肌电电极阵列结构的制备方法,涉及柔性电子及有源电极制备领域;该结构包括:多个有源电极;多个有源电极采用横纵矩阵式排布;每个有源电极均包括:柔性衬底和设置在柔性衬底上的有源柔性放大电极;有源柔性放大电极包括电极和共源放大电路;电极和共源放大电路一一对应;电极和共源放大电路连接;实现多通道电极对表面肌电信号同步采集,柔性衬底增强电极的可穿戴性,采用差分结构也就是共源放大电路可以提高对共模信号的干扰以及降低噪声的引入并提高肌电信号的信噪比,降低不同通道间信号串扰。

    一种突触晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN112951925B

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN202110195176.7

    申请日:2021-02-19

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及晶体管技术领域,提供了一种突触晶体管及其制备方法。本发明提供的突触晶体管包括从下到上依次设置的基板、栅电极、绝缘层和有源层;所述有源层上设置有源电极和漏电极;所述绝缘层的材料包括固态电解质和纳米纤维。本发明通过在突触晶体管的绝缘层材料中添加纳米纤维,提升了突触晶体管的质子迁移率,进而提升了突触晶体管的突触特性。本发明中的纳米纤维具有独特的载流子传输特性,可以为质子的迁移提供通道,将其与固态电解质用于制备突触晶体管的绝缘层,有利于提高晶体管的突触特性。实施例的结果显示,本发明提供的突触晶体管的质子迁移率有了极大地提升,并且具有优异的低通、高通滤波性能,突触特性明显。

    一种突触晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN113013248B

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN202110191424.0

    申请日:2021-02-19

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明提供了一种突触晶体管及其制备方法,属于突触晶体管技术领域。本发明提供的突触晶体管结构中栅极将绝缘层和有源层包裹起来,使得栅极电压能从各个方向对沟道电流进行控制,从而减小了沟道漏电流,降低了器件的功耗;本发明提供的突触晶体管与摩擦纳米发电机相结合,在使用时,外力按压基板,使得易失电子层和易得电子层发生相对滑动,摩擦发电,栅极存在了电信号,随着外力继续按压,漏电极与有源层接触,电路导通,沟道有电信号通过,实现了突触晶体管的自发电,进一步降低了器件的功耗。实验结果表明,本发明提供的突触晶体管的开关电流比为105,PPF(双脉冲易化)为1.87,漏电流为10‑9A。

    一种突触晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN112951925A

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN202110195176.7

    申请日:2021-02-19

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及晶体管技术领域,提供了一种突触晶体管及其制备方法。本发明提供的突触晶体管包括从下到上依次设置的基板、栅电极、绝缘层和有源层;所述有源层上设置有源电极和漏电极;所述绝缘层的材料包括固态电解质和纳米纤维。本发明通过在突触晶体管的绝缘层材料中添加纳米纤维,提升了突触晶体管的质子迁移率,进而提升了突触晶体管的突触特性。本发明中的纳米纤维具有独特的载流子传输特性,可以为质子的迁移提供通道,将其与固态电解质用于制备突触晶体管的绝缘层,有利于提高晶体管的突触特性。实施例的结果显示,本发明提供的突触晶体管的质子迁移率有了极大地提升,并且具有优异的低通、高通滤波性能,突触特性明显。

    一种全包围栅极突触晶体管、制备方法及电路连接方法

    公开(公告)号:CN111739944B

    公开(公告)日:2021-06-01

    申请号:CN202010644322.5

    申请日:2020-07-07

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种全包围栅极突触晶体管、制备方法及电路连接方法,全包围栅极突触晶体管包括有源层、绝缘层、栅电极、源电极和漏电极;所述有源层为圆柱体,所述有源层外侧依次包裹所述绝缘层和所述栅电极,所述有源层的一端设置源电极,另一端设置漏电极,所述源电极和所述漏电极均为圆柱体,所述源电极和所述漏电极的底面直径均比所述有源层的底面直径小,所述有源层、所述源电极和所述漏电极同轴设置。本发明使栅极电压能够从各个方向对沟道电流进行控制,提高栅电极的控制能力,从而降低器件的功耗。

    一种全包围栅极突触晶体管、制备方法及电路连接方法

    公开(公告)号:CN111739944A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN202010644322.5

    申请日:2020-07-07

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种全包围栅极突触晶体管、制备方法及电路连接方法,全包围栅极突触晶体管包括有源层、绝缘层、栅电极、源电极和漏电极;所述有源层为圆柱体,所述有源层外侧依次包裹所述绝缘层和所述栅电极,所述有源层的一端设置源电极,另一端设置漏电极,所述源电极和所述漏电极均为圆柱体,所述源电极和所述漏电极的底面直径均比所述有源层的底面直径小,所述有源层、所述源电极和所述漏电极同轴设置。本发明使栅极电压能够从各个方向对沟道电流进行控制,提高栅电极的控制能力,从而降低器件的功耗。

    一种场效应晶体管丙酮气体传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111610234A

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN202010644636.5

    申请日:2020-07-07

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及气体传感器技术领域,尤其涉及一种场效应晶体管丙酮气体传感器及其制备方法。本发明提供的场效应晶体管丙酮气体传感器,包括依次层叠设置的绝缘衬底、栅电极层、栅电极绝缘层、有源层和电极层;所述电极层包括源电极和漏电极;所述有源层的材料为异质结结构的n-In2O3/p-CuO复合金属氧化物纳米纤维。本发明采用常见的半导体材料In2O3和CuO,使所述气体传感器具有良好的电导率和物理化学稳定性;所述气体传感器采用In2O3和CuO构建异质结结构,增加了气体催化活性,有利于提高气体传感器的传感性能,促进实用化;所述气体传感器以纳米纤维场效应晶体管为平台,功耗低,敏感性高。

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