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公开(公告)号：CN118852161A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410515423.0
申请日：2024-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 化合物以及包括所述化合物的光电器件、图像传感器和电子设备，所述化合物由化学式1表示，并且X1和X2的至少一个为具有范围约900玻尔3至约3000玻尔3(V/分子)的体积的取代基。在化学式1中，各取代基与详细说明中所定义的相同。[化学式1]#imgabs0#
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公开(公告)号：CN110556428B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201910025963.X
申请日：2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H10K10/46 , H01L27/12 , H10K85/60 , H10K71/00
Abstract: 提供了一种薄膜晶体管，其包括栅电极、与栅电极重叠的半导体层、在栅电极与半导体层之间的栅极绝缘层、以及电连接到半导体层的源电极和漏电极。半导体层包括多个孔。栅极绝缘层可以包括多个凹陷部分，所述多个凹陷部分在栅极绝缘层的面对半导体层的表面处。还提供了制造该薄膜晶体管的方法。还提供了可包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列面板和电子器件。
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公开(公告)号：CN117586269A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311055962.2
申请日：2023-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D487/06 , C07D493/06 , H10K30/60 , H10K59/13 , H10K59/35 , G01N21/31
Abstract: 本发明涉及有机化合物、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板、和电子设备。有机化合物由化学式1A或1B表示。在化学式1A和1B中，Ar1、Ar2、R1、R2、n、和m各自与详细的说明书中相同。[化学式1A] [化学式1B]
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公开(公告)号：CN108428795B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201810126979.5
申请日：2018-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明构思涉及薄膜晶体管、其制造方法和包括其的电子设备。一种薄膜晶体管包括在半导体层上的栅电极、在半导体层与栅电极之间的第一绝缘层、在栅电极上的第二绝缘层、以及在半导体层上的源电极和漏电极。栅电极包括第一部分和邻近于第一部分的第二部分。第二部分的宽度大于第一部分的宽度。源电极和漏电极在半导体层上并布置为使得栅电极的第一部分位于源电极与漏电极之间。源电极和漏电极分别穿过第一绝缘层和第二绝缘层电连接到半导体层。源电极与漏电极之间的空间大于第一部分的宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115872990A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211209999.1
申请日：2022-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D421/04 , C07D421/14 , C07D471/04 , C07D471/14 , C07D495/04 , C07D498/04 , C07D513/04 , C07D517/04 , C07D517/16 , C07D517/22 , C07F7/08 , C07F7/30 , H10K85/40 , H10K85/60 , H10K30/60
Abstract: 公开有机化合物、传感器、传感器嵌入式显示面板和电子设备。所述有机化合物由化学式1表示。在化学式1中，X1、X2、Ar1、n、R1、R2、A1和A2各自与说明书中相同。[化学式1]
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公开(公告)号：CN106967045B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201610903038.9
申请日：2016-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D345/00 , C07D517/22 , C09K11/06 , H01L51/30 , H01L51/46 , H01L51/54
Abstract: 公开杂并苯化合物的中间体、使用其的杂并苯化合物的合成方法和包括杂并苯化合物的电子器件。所述杂并苯化合物的中间体由化学式1表示。在化学式1中，各参数与说明书中定义的相同。[化学式1]
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公开(公告)号：CN111261776A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911105387.6
申请日：2019-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了有机薄膜、有机薄膜晶体管以及电子设备，所述有机薄膜包括由化学式1A和1B之一表示的第一化合物和不同于所述第一化合物且由化学式2A和2B之一表示的第二化合物，其中，在化学式1A、1B、2A、和2B中，X11、X12、X21、X22、Ar1、Ar2、R11-R14、R21-R24、n1和n2如说明书中所定义。
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公开(公告)号：CN103467489B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201310218190.X
申请日：2013-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D495/22 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/005 , C07D495/04 , H01L51/0074 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549
Abstract: 公开了稠合多环杂芳族化合物、包括其的有机薄膜和电子装置。所述稠合多环杂芳族化合物具有低的分子量。所述稠合多环杂芳族化合物具有其中七个或更多个环稠合在一起的紧密的平面结构，且由此展现出高的电荷迁移率，且此外，使得当应用于装置时能够使用沉积法或室温溶液法，由此实现改善的加工性能。
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公开(公告)号：CN102584851B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210001830.7
申请日：2012-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D495/06 , C07D513/06 , C08G61/12 , H01L51/30 , H01L51/05
CPC classification number: C07D495/04 , C07D513/04 , C08G61/123 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/3223 , C08G2261/3243 , C08G2261/3246 , C08G2261/414 , C08G2261/51 , C08G2261/92 , C09B57/001 , C09B69/109 , H01L51/0035 , H01L51/0043 , H01L51/0068 , H01L51/0071 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 本发明涉及有机半导体化合物和聚合物及包括其的晶体管和电子器件。示例性实施方式涉及由本文中化学式1表示的有机半导体化合物，其可聚合和用于晶体管和电子器件中。所述有机半导体化合物包括四个稠合苯环的基础结构，其中官能团R1～R3与第一个苯环连接且官能团R4～R6与第二个苯环连接。该基础结构的第三以及第四个苯环分别与X1、X2以及X3、X4连接。X1和X2的至少一个为硫原子。X3和X4的至少一个为硫原子。该基础结构进一步包含官能团R7和R8。
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