公开(公告)号：CN112839924B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN201980067199.0

申请日：2019-11-08

Applicant: 东曹株式会社 ,  公益财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 尾池浩幸 ,  早川哲平 ,  山本有纪 ,  古川泰志 ,  多田贤一

IPC: C07C251/12 ,  C07F15/06 ,  C07F19/00 ,  C07C49/12 ,  C07F7/10 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明提供对于在不使用氧化性气体的条件下制造含钴薄膜有用的且室温下为液体的钴配合物。下述式(1)所示的钴配合物中，L1、L2表示下述式(A)的单齿酰胺配体、式(B)的双齿酰胺配体或式(C)的含杂原子配体。式(A)中，R1及R2表示碳原子数1～6的烷基或三(碳原子数1～6的烷基)甲硅烷基，波浪线表示与钴原子的键合位置。式(B)中，R3表示三(碳原子数1～6的烷基)甲硅烷基，R4、R5表示碳原子数1～4的烷基，X表示碳原子数1～6的亚烷基。式(C)中，R6及R8表示碳原子数1～6的烷基，R7表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，Y表示氧原子或NR9，Z表示氧原子或NR10，R9及R10分别独立地表示碳原子数1～6的烷基。

公开(公告)号：CN112839924A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201980067199.0

申请日：2019-11-08

Applicant: 东曹株式会社 ,  公益财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 尾池浩幸 ,  早川哲平 ,  山本有纪 ,  古川泰志 ,  多田贤一

IPC: C07C251/12 ,  C07F15/06 ,  C07F19/00 ,  C07C49/12 ,  C07F7/10 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明提供对于在不使用氧化性气体的条件下制造含钴薄膜有用的且室温下为液体的钴配合物。下述式(1)所示的钴配合物中，L1、L2表示下述式(A)的单齿酰胺配体、式(B)的双齿酰胺配体或式(C)的含杂原子配体。式(A)中，R1及R2表示碳原子数1～6的烷基或三(碳原子数1～6的烷基)甲硅烷基，波浪线表示与钴原子的键合位置。式(B)中，R3表示三(碳原子数1～6的烷基)甲硅烷基，R4、R5表示碳原子数1～4的烷基，X表示碳原子数1～6的亚烷基。式(C)中，R6及R8表示碳原子数1～6的烷基，R7表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，Y表示氧原子或NR9，Z表示氧原子或NR10，R9及R10分别独立地表示碳原子数1～6的烷基。

公开(公告)号：CN108473521B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201680079068.0

申请日：2016-12-12

Applicant: 东曹株式会社 ,  公益财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 小礒尚之 ,  山本有纪 ,  尾池浩幸 ,  早川哲平 ,  古川泰志 ,  多田贤一

IPC: C07F19/00 ,  C07F15/06 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明提供一种对于在不使用氧化性气体的条件下制作含钴薄膜有用的钴络合物。本发明使用通式(1)(式中，R1表示通式(2)(式中，R6、R7及R8各自独立地表示碳原子数1～6的烷基)所示的甲硅烷氧基，R2表示氢原子、碳原子数1～6的烷基或通式(2)所示的甲硅烷氧基，R3、R4及R5各自独立地表示氢原子或碳原子数1～6的烷基，L表示碳原子数4～10的二烯)所示的钴络合物。

公开(公告)号：CN111406059A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201880076675.0

申请日：2018-11-27

Applicant: 东曹株式会社 ,  公益财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 荒木启介 ,  本田宽哉 ,  小矶尚之 ,  仲龟良 ,  吉富史晃 ,  岩永宏平 ,  古川泰志

IPC: C07F9/53 ,  C07C49/92 ,  C07F5/00 ,  C09K11/06

Abstract: 提供具有高的光稳定性的铕络合物。式(A)表示的铕络合物。〔式中，RA及RB各自独立地为碳原子数3～10的环状烷基，RC为碳原子数3～10的环状烷基或者式(B)(式中，XA、XB、XC、XD、及XE各自独立地表示氢原子；氟原子；碳原子数1～3的烷基；碳原子数1～3的烷氧基；碳原子数6～10的芳氧基；碳原子数1～3的氟烷基；碳原子数1～3的氟烷氧基；或者任选被氟原子、碳原子数1～3的烷基、碳原子数1～3的烷氧基、碳原子数1～3的氟烷基、碳原子数1～3的氟烷氧基、氟苯基、羟基、或氰基取代的苯基。)表示的苯基；或者RA为碳原子数3～10的环状烷基，RB及RC为式(B)表示的苯基，其中，不包括RA为环己基、并且RB、RC为苯基的情况。或者RA、RB及RC各自独立地表示式(Ba)表示的邻位取代苯基(式中，XF表示氢原子、碳原子数1～3的烷基、碳原子数1～3的烷氧基、碳原子数1～3的氟烷基、碳原子数1～3的氟烷氧基、任选被氟原子取代的萘基、任选被氟原子取代的吡啶基、或者式(C)[式中，ZA、ZC及ZE各自独立地表示氢原子、氟原子、碳原子数1～3的烷基、碳原子数1～3的烷氧基、碳原子数1～3的氟烷基、碳原子数1～3的氟烷氧基、任选被氟原子取代的苯基、羟基、或氰基。ZB及ZD各自独立地表示氢原子或氟原子。]表示的苯基。其中，不包括RA、RB及RC全部为苯基的情况。)。RD表示氢原子、氘原子、或氟原子。WA及WB各自独立地表示碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的氟烷基、苯基、2-噻吩基或3-噻吩基。n表示1～3的整数。〕。

公开(公告)号：CN109715800A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780058075.7

申请日：2017-09-21

Applicant: 东曹株式会社 ,  公益财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 畑山耕太 ,  井出辉彦 ,  伊藤博之 ,  寺尾阳介 ,  山中直纪 ,  远藤谕

IPC: C12N15/09 ,  C07K14/735 ,  C12N1/15 ,  C12N1/19 ,  C12N1/21 ,  C12N5/10 ,  C12P21/02

Abstract: 本发明的课题在于，提供不需要重折叠、并且生产率和热稳定性高的改良型重组FcγRIIb及FcγRIIa、以及其制造方法。通过改良型重组FcγRIIb来解决上述课题，所述改良型重组FcγRIIb至少含有人FcγRIIb的细胞外区域(UniProt No.P31994的第43位至第215位)的氨基酸残基，其中，在该氨基酸残基中，发生与UniProt No.P31994的第82位、第94位、第98位、第104位、第105位及第139位相当的位置的氨基酸置换中的至少一个以上。通过改良型重组FcγRIIa来解决上述课题，所述改良型重组FcγRIIa至少含有人FcγRIIa的细胞外区域(UniProt No.P12318-1的第34位至第206位)的氨基酸残基，其中，在该氨基酸残基中，发生与UniProt No.P12318-1的第73位、第85位、第89位、第95位、第96位及第130位相当的位置的氨基酸置换中的至少一个以上。

公开(公告)号：CN108473521A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680079068.0

申请日：2016-12-12

Applicant: 东曹株式会社 ,  公益财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 小礒尚之 ,  山本有纪 ,  尾池浩幸 ,  早川哲平 ,  古川泰志 ,  多田贤一

IPC: C07F19/00 ,  C07F15/06 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明提供一种对于在不使用氧化性气体的条件下制作含钴薄膜有用的钴络合物。本发明使用通式(1)(式中，R1表示通式(2)(式中，R6、R7及R8各自独立地表示碳原子数1～6的烷基)所示的甲硅烷氧基，R2表示氢原子、碳原子数1～6的烷基或通式(2)所示的甲硅烷氧基，R3、R4及R5各自独立地表示氢原子或碳原子数1～6的烷基，L表示碳原子数4～10的二烯)所示的钴络合物。

公开(公告)号：CN105102417A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201480011040.4

申请日：2014-02-28

Applicant: 公益财团法人相模中央化学研究所 ,  玛耐科股份有限公司

Inventor： 井上宗宣 ,  荒木宏史 ,  高田竜治

IPC: C07C67/307 ,  C07C67/327 ,  C07C69/65

CPC classification number: C07C67/333 ,  C07C67/307 ,  C07C67/327 ,  Y02P20/55 ,  C07C69/65

Abstract: 本发明的目的在于，提供高收率且廉价地制造4-卤代异戊烯酸衍生物的方法。一种通式(2)：(式中，R表示保护基，X表示卤原子)所示的4-卤代异戊烯酸衍生物的制造方法，其特征在于，使通式(1)：(式中，R表示与前述相同含义)所示的烯丙醇衍生物与卤化剂反应。

公开(公告)号：CN105001254A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201510363768.X

申请日：2012-09-03

Applicant: 东曹株式会社 ,  公益财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 木下智之 ,  岩永宏平 ,  浅野祥生 ,  川畑贵裕 ,  大岛宪昭 ,  平井聪里 ,  原田美德 ,  新井一喜 ,  多田贤一

IPC: C07F7/28 ,  C07F7/00 ,  C03C17/23 ,  H01L21/316

CPC classification number: C09D1/00 ,  C01B33/113 ,  C07F7/003 ,  C07F7/025 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282

Abstract: 本发明涉及制膜用材料、IV族金属氧化物膜的制造方法。本发明的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面，进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理，从而制作IV族金属氧化物膜的方法中，作为制膜用材料，使用通过将具有钛原子或锆原子且各所述金属原子利用桥氧原子进行桥联的化合物溶解于分子内含2个以上氧原子的醇，然后进行加热而得到的制膜用材料。

公开(公告)号：CN102574813A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080047868.7

申请日：2010-08-20

Applicant: 东曹株式会社 ,  公益财团法人相模中央化学研究所

Inventor： 相原秀典 ,  尾形明俊 ,  久松洋介 ,  田中刚 ,  新井信道 ,  阿部真由美 ,  宫下佑一 ,  饭田尚志 ,  内田直树

IPC: C07D239/26 ,  C07B61/00 ,  C07D251/24 ,  C07D401/10 ,  C07D403/10 ,  C07D405/10 ,  C07D417/10 ,  C07D471/04 ,  C09K11/06

CPC classification number: C07D401/10 ,  C07D239/26 ,  C07D251/24 ,  C07D401/14 ,  C07D403/10 ,  C07D403/14 ,  C07D405/10 ,  C07D405/14 ,  C07D417/10 ,  C07D417/14 ,  C07D471/04 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1037 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/1059 ,  C09K2211/1088 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5072 ,  H05B33/10

Abstract: 通式(1)所示的环状吖嗪衍生物，式(1)中，Ar1表示可被C1-4的烷基、苯基或吡啶基取代的芳香族基。A表示说明书中记载的通式(2)～(5)所示的基团。该环状吖嗪衍生物作为荧光及磷光型有机电致发光器件中的有机化合物层是有用的。

公开(公告)号：CN101193864B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200680017917.6

申请日：2006-05-22

Applicant: 公益财团法人相模中央化学研究所 ,  科研制药株式会社

Inventor： 内田淳 ,  横田和加子 ,  平井宪次 ,  矢野智行

IPC: C07D231/20

CPC classification number: C07D231/20

Abstract: 本发明公开了如通式(1)(式中记号与说明书中的定义相同)所示的吡唑-1-甲酸酯衍生物、其制造方法、以及使用上述化合物来制造具有除草活性的3-芳氧基吡唑-1-甲酰胺衍生物及其中间体的方法。根据本发明，可以在工业上有利地制造3-芳氧基吡唑-1-甲酰胺衍生物，该化合物对作物没有害处，而对于阻碍该作物生长的杂草具有优异的除草活性。