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公开(公告)号：CN117977692A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410169345.3
申请日：2024-02-06
Applicant: 重庆大学
IPC: H02J3/38 , H02J3/24 , H02J3/36 , G06F30/27 , G06N3/0464 , G06Q50/06 , G06F113/04
Abstract: 本发明涉及一种基于并网变流器控制的新能源场站等效惯量动态模拟方法，属于新能源并网技术领域。该方法将新能源场站模型简化为受控电流源和并网变流器的组合结构，并建立惯量响应模块控制所述并网变流器；同时，采集新能源场站并网点的电压和电流、风电场的有功功率输出和无功功率输出以及电力系统并网侧频率和惯量，并输入深度学习网络中得到虚拟惯量控制参数；惯量响应模块输出驱动信号以控制并网变流器，使并网变流器增发有功功率以对电力系统进行惯量支撑。此外，该方法还通过新能源场站等效虚拟惯性时间常数来衡量新能源场站惯量支撑能力。本发明利用并网变流器控制参数智能优化方法，可实现新能源场站惯量动态模拟。
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公开(公告)号：CN117973051A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410163884.6
申请日：2024-02-05
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F30/20 , G06F17/10 , G06F30/28 , G06F111/10 , G06F119/08 , G06F119/14 , G06F113/08
Abstract: 本发明涉及一种电驱控制一体化系统级热仿真方法、存储介质及计算机，属于电子设备领域。该方法包括以下步骤：计算IGBT模块的损耗和FWD单元开关损耗；计算薄膜电容器的损耗；分析IGBT模块热阻并计算结温；建立电容模块热模型；建立驱动板和控制板热模型；进行系统级热仿真计算。本发明计算出电驱控制一体化系统发热器件，即IGBT模块、电路板上电子元器件和电容器的损耗。建立IGBT器件热阻等效模型，引用传热学与流体力学基本理论公式，得到IGBT用水冷散热器的热阻计算方法，并由此热阻值直接计算IGBT模块结温。
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公开(公告)号：CN117744434A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311719911.5
申请日：2023-12-14
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/15 , G06F30/17 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及一种电动摩托用永磁同步电驱系统集成设计方法，属于永磁同步电驱系统领域。该方法包括如下步骤进行电磁方案的设计并建立电磁仿真模型；建立电机的机械应力场仿真模型，并针对电磁仿真模型的机械应力进行评估，若评估不合格则重新设计电磁仿真模型参数；进行减速器、驱动器的选型和DC‑DC设计；进行机壳的散热结构设计；建立电驱系统仿真模型；将电磁仿真模型与电驱系统仿真模型进行电磁‑热双向耦合；对电磁‑热双向耦合仿真所得到的电磁结果和温升分布图进行分析，若温升符合预期，则输出最终设计方案；若温升超出预期，则重新设计机壳的散热通道。本发明在设计过程中即可有效提升驱动系统的性能，减小系统的体积。
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公开(公告)号：CN113447175B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202110725760.9
申请日：2021-06-29
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种非侵入式压接型功率半导体器件接触压强监测方法及系统，属于半导体器件技术领域。该系统采用由超声探头、金属垫块、弹簧、承重金属板组成的超声弹性探头测试板，根据压接型功率半导体器件封装方式及应用条件，用以放置超声探头，发射和接收超声波；采用超声脉冲发生/接收器发生超声波，同时接收超声反射波信号；采用示波器及上位机记录超声反射波信号，并计算得到压接型功率半导体器件接触面动态接触压强。本发明可以实现压接型功率半导体器件内部动态接触压强变化的精确测量，并具有非侵入式测量的优点。
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公开(公告)号：CN115629259A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211327280.8
申请日：2022-10-27
Applicant: 重庆大学 , 国网智能电网研究院有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及一种便携型多分立式功率器件串联的加速老化实验平台，属于功率器件加速老化测试技术领域。该实验平台包括功率回路、散热模块、可编程直流电源、上位机和采集模块。功率回路采用U型对称回路设计，包括n个相同的分立式功率器件、2n个测试底座、n个相同的驱动回路和2n个电压测试端。散热模块设置在相邻两器件中间位置，且各散热模块并联；采集模块分别采集各器件导通压降及温度，通过上位机完成在线监测并保存实验数据。可编程直流电源给实验平台提供所需电流，并与上位机通信，其输出受上位机控制。本发明实验平台可显著提升功率器件加速老化测试中的温度波动，并在极大程度上缩短实验时间，减小体积和降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115072531A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210723836.9
申请日：2022-06-23
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种提升电梯永磁同步曳引机封星转矩方法，属于电梯技术领域。该方法包括：计算永磁同步曳引机封星条件下转矩‑转速关系曲线，找到最大转矩点，通过串联电容器的方式增大永磁同步曳引机的封星转矩；根据永磁同步曳引机运行时的最高转速与额定转矩，选择合适的电容值，使得封星转矩‑转速关系曲线的最大转矩点的转速前移或后移，从而使封星条件下的转矩与转速符合要求。该方法在不改变电机本体结构的条件下，实现了封星转矩的提升，且利用电机封星接触器可以轻松引入串联电容，在成本较小的情况下提升了电梯的安全性，具有较高的实用价值。
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公开(公告)号：CN107679353B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201711158329.0
申请日：2017-11-20
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F30/23
Abstract: 本发明涉及本发明涉及一种模拟压接式IGBT器件失效短路机理的有限元建模方法，属于大功率半导体器件失效机理和可靠性研究领域。该建模方法包括压接式IGBT失效短路过程模拟，建立失效短路形成渗透坑的压接式IGBT器件等效模型，通过设置渗透坑内铝元素含量，形成不同失效短路过程的材料属性变化；压接式IGBT器件多物理场建模，建立压接式IGBT器件几何模型，基于不同失效短路过程的材料属性变化，循环仿真模拟在不同失效短路过程中电阻、热阻变化规律。本发明实现了压接式IGBT器件失效短路过程有限元建模分析，通过考虑渗透坑的失效短路等效模型，模拟了压接式IGBT器件在发生失效短路过程中特征参数的变化，可以为压接式IGBT器件失效短路状态监测提供基础。
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公开(公告)号：CN109067230A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811130588.7
申请日：2018-09-27
Applicant: 重庆大学
IPC: H02M7/5387 , H02M1/38
Abstract: 本发明涉及一种SiC MOSFET逆变器用在线自适应死区消除方法，属于逆变器PWM控制领域，该方法通过在线实时计算电流纹波判断电流所处区域，进行死区消除，具体包含如下步骤：S1：在线检测三相逆变器输出电压、电流以及直流母线电压；S2：判断三相逆变器中桥臂电流的方向并确定桥臂电流的过零区域；S3：在桥臂电流非过零区域消除死区，并在桥臂电流过零区域恢复死区。本发明方法通过在线自适应算法计算出过零区域宽度，实现了整个调制周期内死区效应的有效消除，且算法简单，受器件非理想开关特性和负载参数影响较小，无需外加硬件检测电路，有效地节约了开发成本。
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公开(公告)号：CN108090301A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201810008176.X
申请日：2018-01-04
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种计及内部材料疲劳寿命的压接式IGBT器件可靠性计算方法。首先，建立压接式IGBT器件的几何模型，根据压接式IGBT器件的运行工况设置有限元仿真条件；其次，通过仿真得到每层材料承受的疲劳强度，提取其疲劳属性参数，计算每层材料疲劳失效的循环次数；最后，计算器件中每层材料的疲劳寿命和故障率，建立单芯片压接式IGBT器件的可靠性计算模型，获取压接式IGBT器件故障率等可靠性指标。本发明提供一种计及内部材料疲劳寿命的压接式IGBT器件可靠性计算方法，充分考虑了压接式IGBT器件中不同材料属性寿命对器件可靠性的影响，提高了压接式IGBT器件可靠性计算准确性，可广泛用于压接式IGBT器件的可靠性设计和薄弱环节评估。
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公开(公告)号：CN107622172A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710952993.6
申请日：2017-10-13
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种芯片-器件层级联合的压接式IGBT温度场有限元建模方法，属于大功率半导体器件设计仿真领域。该建模方法包括IGBT芯片层级建模，建立压接式IGBT元胞TCAD模型，仿真获取单个IGBT元胞通态压降分布规律；IGBT器件层级建模，建立包含多区域的IGBT芯片等效模型，并设置不同区域热源功率分配比例，建立压接式IGBT器件温度场有限元模型。本发明实现了压接式IGBT芯片-器件层级多场域耦合仿真，通过芯片层级建模仿真提取建立计及热源分布差异的芯片等效模型，提高了压接式IGBT模块温度场有限元仿真结果的准确性，可以更准确地表征压接式IGBT芯片与器件之间热耦合作用关系。
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