公开(公告)号：CN100539114C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200710089088.9

申请日：2007-03-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮 ,  中田义弘 ,  矢野映

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/768 ,  C08G77/04

Abstract: 本发明提供获得TDDB耐性高和泄漏电流小的布线层的技术，并因此，提供制造高度可靠的低耗电量半导体器件的技术，其中形成一种界面粗糙度降低膜，其与绝缘体膜接触，还在其另一面的表面与布线接触，而且布线和界面粗糙度降低膜之间的界面粗糙度比绝缘体膜和界面粗糙度降低膜之间的界面粗糙度小。

公开(公告)号：CN100535054C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200510128973.4

申请日：2005-12-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中田义弘 ,  矢野映

IPC: C08L83/04 ,  H01L21/32

CPC classification number: H01L21/3122 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/76801 ,  Y10T428/31663

Abstract: 一种包含硅酮聚合物的二氧化硅膜形成材料，该硅酮聚合物包括作为聚合物部分结构的CHx，Si-O-Si键，Si-CH3键和Si-CHx-键，其中x代表0-2的整数。

公开(公告)号：CN101257003A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810081281.2

申请日：2008-02-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小林靖志 ,  中田义弘 ,  尾崎史朗

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/312 ,  H01B3/18 ,  C07F7/18

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L2924/0002 ,  C08L2666/54 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种绝缘膜材料，其适用于形成介电常数低且耐损性(例如抗蚀性和液体试剂抗性)优异的绝缘膜，还提供一种减少了互连间的寄生电容的多层互连结构，还提供一种有效制造多层互连结构的方法，以及一种有效制造高速和可靠性高的半导体器件的方法。所述绝缘膜材料至少包含由上述结构式(1)表示的立体结构的硅化合物，其中，R1、R2、R3和R4可以相同或不同，且其中至少一个表示含有烃和不饱和烃中任何一种的官能团。

公开(公告)号：CN101021680A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200610105675.8

申请日：2006-07-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘

IPC: G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C08L83/16 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种用于形成曝光光线阻挡膜的材料，其包含由以下结构式(1)表示的硅化合物和由以下结构式(2)表示的硅化合物中的至少一种，其中R1和R2中至少之一由能够吸收曝光光线的取代基代替(在结构式(1)中R1和R2可以相同或不同，并且每个都代表任选代替的氢原子、烷基、烯烃基、环烷基和芳基中的任一种，n是等于或大于2的整数。在结构式(2)中R1、R2和R3可以相同或不同，R1、R2和R3中的至少一个代表氢原子并且其它的代表任选代替的烷基、烯烃基、环烷基和芳基中的任一种，n是等于或大于2的整数)。

公开(公告)号：CN1189927C

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN02118438.0

申请日：2002-04-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中田义弘 ,  铃木克己 ,  杉浦岩 ,  矢野映

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 多孔绝缘膜28、40、50由一种绝缘膜形成材料形成，该材料包括具有含C-C键骨架的硅化合物，被热处理分解或蒸发的孔形成材料以及溶解硅化合物和孔形成材料的溶剂，由此多孔绝缘膜可以具有良好的机械强度和较低的介电常数。