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公开(公告)号：CN217063606U
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202122439825.1
申请日：2021-10-11
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H02S20/00 , H02S10/10 , H02N1/04 , H01L31/048
Abstract: 本实用新型提供一种发电机构，其包括IBC太阳能电池，IBC太阳能电池具有位于其背面的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极上下设置；发电机构还包括：摩擦片，其和IBC太阳能电池的背面接触且能够相对IBC太阳能电池上下移动，摩擦片由得电子能力大于第一电极和第二电极的绝缘材料制成；其中，发电机构至少具有第一状态和第二状态，在第一状态时，摩擦片和第一电极接触而脱离第二电极；在第二状态时，摩擦片和第二电极接触而脱离第一电极。本实用新型的发电机构具有光伏发电功能，能够将产生的机械能转换为电能，具有较高的电能输出功率。
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公开(公告)号：CN215183996U
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202120851708.3
申请日：2021-04-23
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068
Abstract: 本实用新型提供一种背结晶硅电池，其包括：P型硅片，正面钝化减反层、铝电极、透明导电层以及正面电极；其中，所述正面钝化减反层层叠在所述P型硅片的正面，所述铝电极形成于所述正面钝化减反层上并穿透所述正面钝化减反层与所述P型硅片接触，所述铝电极在所述正面钝化减反层上呈均匀点状分布，所述透明导电层覆盖于所述铝电极上方，所述正面电极形成于所述透明导电层上方并通过所述透明导电层与所述铝电极进行电荷传输。本实用新型的背结晶硅电池的铝电极为均匀分布的点状结构，遮光面积小，从而可以提高硅片的光吸收，而且能够减小载流子在硅基底中的横向传输电阻，而且铝电极收集的电荷经透明导电层进行横向传输，流向正面电极。
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公开(公告)号：CN215183988U
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202120851856.5
申请日：2021-04-23
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068
Abstract: 本实用新型提供了一种背结晶硅电池，其包括：P型硅片、正面钝化减反层、正面电极以及空穴选择性接触层；其中，所述空穴选择性接触层层叠并覆盖于所述P型硅片的正面上，所述正面钝化减反层层叠于所述空穴选择性接触层上，所述正面电极形成于所述正面钝化减反层上并穿透所述正面钝化减反层与所述空穴选择性接触层接触。本实用新型中的空穴选择性接触材料为整面覆盖，非局部结构，正面电极也无需精准对位，整个正面接触结构制备简便。此外，无高温的硼扩，不影响P型硅片的体少子寿命。
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公开(公告)号：CN114220875B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202111469319.5
申请日：2021-12-03
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0224 , B41F15/36
Abstract: 一种MWT电池背铝电极及印刷网板，包括晶硅板、印刷网板，所述晶硅板背部设置有背铝电极，所述背铝电极电性连接有数个阵列的背银电极，所述晶硅板阵列设置有数个贯穿所述晶硅板的填孔电极，所述填孔电极与所述背银电极等间隔设置，所述背铝电极设置有所述印刷网板，其中，所述背铝电极对应所述填孔电极外周的位置一体成型有凸起部，所述凸起部的厚度等于所述填孔电极的厚度，所述印刷网板对应所述凸起部的位置设置有断丝部。本申请通过在背铝电极上设置数个与填孔电极外周相对的凸起部来缩减或消逝与填孔电极之间的厚度差，增大了在数块晶硅板需要堆叠设置时相互之间的接触面积，降低了晶硅板上正面电极被划伤和断栅的风险。
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公开(公告)号：CN109494274B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN201811528490.7
申请日：2018-12-13
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 南京航空航天大学
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种基于钝化接触的浮动结背面钝化晶硅电池及其制备方法，其中，该晶硅电池包括p型硅基体、位于p型硅基体背面的隧穿氧化层、位于隧穿氧化层背面的n型多晶硅层，隧穿氧化层与n型多晶硅层构成浮动结，浮动结的预设位置处设置有开孔，还包括：位于n型多晶硅层背面且通过开孔与裸露出来的p型硅基体相接触的金属电极；设置在n型多晶硅层与金属电极之间、及开孔内的第一介质层。本申请公开的上述技术方案，由于隧穿氧化层和n型多晶硅均可承受制备金属电极时的高温而不发生变化，且不会因高温而遭到破坏，因此，则可以减少高温烧结过程对浮动结所带来的影响，从而可以提高浮动结对晶硅电池的钝化效果。
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公开(公告)号：CN114695588B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202011643595.4
申请日：2020-12-30
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0725 , H01L31/074 , H01L31/20 , H01L21/30
Abstract: 本发明涉及了一种高效异质结电池结构及其制备方法，高效异质结电池结构包括：中间电池结构，设有n型单晶硅层；正面电池结构，包括依次堆叠设置的正面本征非晶硅层、p型掺杂氢化氧化硅层以及p型掺杂非晶硅层；以及背面电池结构，包括相反方向依次堆叠设置的背面本征非晶硅层、n型掺杂氢化氧化硅层以及n型掺杂非晶硅层；其中，p型掺杂非晶硅层、n型掺杂非晶硅层两者的厚度范围均为1～5nm，p型掺杂氢化氧化硅层、n型掺杂氢化氧化硅层两者的厚度范围均为10～20nm。通过上述设置，可解决现有的异质结电池结构中由于掺杂非晶硅层的厚度与性能两者矛盾对立导致的电池转换效率低的问题。
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公开(公告)号：CN109968799B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN201910355371.4
申请日：2019-04-29
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: B41F15/36 , B41M1/12 , B41M1/26 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种用于晶硅电池背电极的网版及晶硅电池背电极制备方法，其中，该网版可以包括用于供在P型硅片背面印刷铝浆的网版本体；设置在网版本体上、位于预设位置处的遮挡件，其中，预设位置为与P型硅片的主栅相对应的位置；遮挡件包括镂空区域和遮挡区域，其中，遮挡区域与使银浆和P型硅片直接相接触的区域相对应。本申请公开的上述技术方案，可以通过所设置的遮挡件中的镂空区域增大铝浆与P型硅片的接触面积，相应地，则可以通过遮挡件中的遮挡区域降低银浆与P型硅片的直接接触面积，因此，则可以降低P型晶硅电池在银电极位置处所产生的性能损失，进而可以提高P型晶硅电池的性能。
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公开(公告)号：CN114447147B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111624966.9
申请日：2021-12-28
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , C30B33/10
Abstract: 本发明公开了一种提高太阳能电池用硅片制绒良率的方法，包括对硅片的制绒槽通过如下步骤进行预清洗：A、向所述制绒槽内加入碱液和双氧水的第一混合液，加热，鼓泡处理至少10小时，期间每隔一段时间添加双氧水；B、排空制绒槽内的第一混合液，加入去离子水进行清洗；C、向制绒槽内加入碱液和制绒添加剂的第二混合液，加热，鼓泡处理至少10小时；D、排空制绒槽内的第二混合液，加入去离子水进行清洗。本发明通过对太阳能电池的硅片制绒槽进行预处理，改善制绒良率，进而提高电池转换效率。
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公开(公告)号：CN111850522B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202010772639.7
申请日：2020-08-04
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: C23C16/54 , C23C16/458 , C23C16/50
Abstract: 本发明公开了一种传输装置，包括承载主体，所述承载主体的两侧对称的设置有多个用于对传输对象进行传输的滚轮，相邻的所述滚轮之间的空隙内均设置有用于防止所述传输对象进入所述空隙的限位部件。由于相邻的所述滚轮之间的空隙内均设置有用于防止所述传输对象进入所述空隙的限位部件，因此传输对象就不会进入滚轮之间导致无法继续向前移动，从而该方案能够快速、低成本的降低卡框概率，减少卡框引起的产品质量不良的问题，提高设备嫁动率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN115020512B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210946830.8
申请日：2022-08-09
Applicant: 山东腾晖新能源技术有限公司 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 一种TOPCon光伏电池及其制备方法，属于光伏电池技术领域。现有的TOPCon电池结构通常用SiNx、Al2O3/SiNx对N型、P型区域表面进行钝化。SiNx与Si之间、Al2O3与Si之间均会存在一定的晶格失配，电池转换效率低。本发明以N型硅衬底，正面设置P型掺杂区，P型掺杂区的表面钝化结构为：沿着远离P型掺杂区的方向依次设置的SiO2层、Al2O3层和SiNx层；N型硅衬底的表面钝化结构为：沿着远离N型硅衬底的方向依次设置的SiO2层、多晶硅层和SiO2/SiOxNy/SiNx复合掺杂层，降低晶格失配程度，降低界面处的态密度，使电池转换效率更高。
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