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公开(公告)号：CN103257007A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201210036199.4
申请日：2012-02-17
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种压力传感器介质隔离封装结构及其封装方法。所述压力传感器介质隔离封装结构包括：衬底、由柔软的低弹性模量的材料所制成的盖体、及压力传感器芯片。所述盖体与衬底共同形成一个密闭腔体以容纳所述压力传感器芯片。当待测介质的压力作用于所述盖体上时，所述盖体发生变形从而压缩密闭腔体内的气体以达到内外压力平衡。在此过程中，所述待测介质的压力被传递到压力传感器芯片的压力敏感膜上，从而达到将压力传感器芯片以及待测介质的压力进行隔离的目的。本发明是通过压缩气体来进行压力的传递，从而避免了传统的充灌硅油不锈钢封装技术中复杂的充灌硅油的工序，大大的降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN103257005A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201210039207.0
申请日：2012-02-21
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种可以用于压力测量的电容式压力传感器及其制造方法，该制造方法利用表面硅微细加工工艺，在硅衬底上淀积氧化硅牺牲层，随后在牺牲层上淀积多晶硅薄膜来作为压力敏感膜。通过多晶硅敏感膜上开的牺牲层释放孔将牺牲层部分腐蚀掉形成电容间隙。而多晶硅敏感膜上的牺牲层释放孔则又通过再次淀积多晶硅薄膜进行填充，从而形成密封腔体。最后，将多晶硅敏感膜上再次刻蚀出导气孔，并通过物理气相淀积(PVD)的方法用金属将此导气孔密封，从而在密封腔体内形成真空。
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公开(公告)号：CN102261979B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201010183674.1
申请日：2010-05-26
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种可以用于真空测量的低量程压阻式压力传感器的制造方法，具体步骤包括：(a)提供硅片，在硅片的背面覆盖作为掩膜的氧化硅和氮化硅，并用RIE刻蚀掉作为掩膜的氧化硅和氮化硅以形成膜结构开口；(b)去除光刻胶后腐蚀或刻蚀硅片，使得在膜结构开口处形成一定深度；(c)光刻出岛结构，并用RIE刻蚀掉岛结构上的氧化硅和氮化硅；(d)去除光刻胶后继续腐蚀或刻蚀硅片，得到所需厚度的感压薄膜；(e)用BOE腐蚀掉剩下的氧化硅和氮化硅；(f)提供键合层，并将键合层固定在硅片的正面，键合层设置与感压薄膜连通的腔体及向下突伸入腔体内的止挡块，所述止挡块与感压薄膜之间预留有间隙以限制感压薄膜的过度变形；还包括在感压薄膜的应力集中区制作用以连接成惠斯通电桥的若干压阻条的步骤。通过止挡块的设计限制了感压薄膜的最大位移，以实现传感器常压保存与过载保护的功能。
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公开(公告)号：CN101355828B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200710044323.0
申请日：2007-07-27
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 一种基于SOI硅片的集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成方法及芯片，SOI基片上具有第一区域及第二区域，SOI基片上位于第二区域上的器件层作为电容的一极，首先在所述第一区域的器件层上生成集成电路，接着在所述第二区域的器件层上采用低于400℃的低温工艺生成牺牲层，并采用低温工艺在所述牺牲层上形成导电膜，最后将腐蚀液自所述导气孔进入以部分腐蚀所述牺牲层后形成由所述导电膜作为电容另一极的电容式微硅麦克风，如此可减小芯片尺寸，降低制造成本，同时可避免采用高温工艺来减小作为振动模的器件层的应力，也可避免采用工艺复杂且重复性不佳的复合振动模方式来减小应力。
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公开(公告)号：CN101026902B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200710038554.0
申请日：2007-03-28
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本发明的微机电声学传感器的封装结构，由第一、第二基板和侧壁组成空腔，微机电声学传感器组件设于所述空腔内，所述第一基板具有与所述微机电声学传感器输出端导电连接且用作表面贴装电极的第一金属部件，所述侧壁具有与所述第一金属部件导电连接的金属通孔，所述第二基板具有与所述金属通孔导电连接且也用作表面贴装电极的第二金属部件，由此可提高表面贴装的灵活性，并可灵活安排微机电声学传感器组件，达到减小封装体积、提高器件声学性能的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN204090150U
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201420449714.6
申请日：2014-08-11
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种电容式微硅麦克风及其制造方法。所述电容式微硅麦克风包括衬底、设置在衬底正面的第一绝缘支撑层、形成在所述第一绝缘支撑层上方的可动敏感层、设置在可动敏感层上方的背极板。可动敏感层包括与背极板间隔设置的振动体。所述衬底和第一绝缘支撑层形成有自衬底的背面朝正面方向凹陷以露出所述振动体的背腔。所述可动敏感层还具有若干设置在振动体周围并固定在背极板和衬底之间的锚点、连接锚点和振动体并向下暴露于背腔内的柔性梁以及连接在锚点外侧的压焊点。所述第一绝缘支撑层还包括自背腔向外继续延伸的延伸腔，所述电容式微硅麦克风还包括抗冲击结构，所述抗冲击结构向下暴露于延伸腔内且呈悬空状设置于衬底的正面上方。
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公开(公告)号：CN204085748U
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201420580179.8
申请日：2014-10-09
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种压阻式压力传感器，其包括基片、键合在基片正面的第一层晶圆、以及形成在第一层晶圆和基片之间的真空腔体。所述基片具有衬底、设置在衬底正面的第一绝缘层和设置在第一绝缘层正面与第一层晶圆之间的可动敏感膜层。所述衬底形成有将可动敏感膜层背面向下暴露的背腔。
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公开(公告)号：CN203606066U
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201320832607.7
申请日：2013-12-18
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
IPC: G01L19/14
Abstract: 本实用新型涉及一种压力传感器介质隔离的封装结构，包括：塑料基板，具有相对设置的底板和开口端，底板上开设有通孔；隔离膜片，密封塑料基板的开口端；塑料管壳，设置在塑料基板的底板上；敏感元件，设置在塑料管壳内，敏感元件具有背腔，背腔朝向塑料基板的通孔，塑料基板、敏感元件及隔离膜片共同形成一充满隔离介质的密封腔体。通过将隔离膜片设置在塑料基板上，又将敏感元件设置在塑料管壳内，并使塑料基板、敏感元件及隔离膜片共同形成充满隔离介质的密封腔体，与现有的介质隔离技术相比，其体积小，安装方便；且不同于不锈钢充灌硅油的封装技术，本实用新型采用了塑料基板和塑料管壳，所以成本低。
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公开(公告)号：CN201935780U
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201020204350.7
申请日：2010-05-26
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本实用新型揭示了一种可以用于真空测量的低量程压阻式压力传感器，其包括硅片及安装于硅片上方的键合层，所述硅片设有感压薄膜，感压薄膜上突出有岛结构；所述硅片采用岛结构的形式来实现低量程测量的要求；通过键合在硅片上面的键合层以实现绝对压力的测量；另外，所述键合层还设有防止感压薄膜过度变形的止挡块，通过止挡块的设计限制了感压薄膜的最大位移，以实现传感器常压保存与过载保护的功能。
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公开(公告)号：CN201737690U
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201020297206.2
申请日：2010-08-11
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
CPC classification number: G01L9/0042 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/0376 , B81C1/00182 , B81C2201/0132 , B81C2201/0177 , B81C2203/0118 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P2015/0828
Abstract: 本实用新型揭示了一种MEMS传感器，包括单晶硅片、覆盖在单晶硅片上的单晶硅薄膜及形成在单晶硅薄膜上的压阻，所述单晶硅片包括正面、背面、自正面向下延伸的网状硅膜、位于网状硅膜下方且与网状硅膜连通的腔体、自背面凹设的背腔及连通腔体与背腔的深槽，所述单晶硅薄膜覆盖在单晶硅片的正面且与网状硅膜相接触，该单晶硅薄膜不会在后续的刻蚀或腐蚀工艺中受到影响，进而使该单晶硅薄膜厚度的一致性与均匀性容易控制。
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