一种非晶/微晶硅叠层太阳能电池

    公开(公告)号:CN104157714B

    公开(公告)日:2017-01-25

    申请号:CN201410323443.4

    申请日:2014-07-08

    Applicant: 苏州大学

    CPC classification number: Y02E10/52

    Abstract: 本发明公开了一种非晶/微晶硅叠层太阳能电池,该电池的顶电池采用纳米光栅结构化的非晶硅薄膜层,并且纳米光栅结构间隙内填充有透明绝缘层,而中间反射层为类光子晶体结构化且具有波长选择性反射/透射功能的选择性反射层;类光子晶体结构是指将两种不同折射率的介质按准周期性交替排列而成的光子晶体结构,准周期性是指介质绝大部分层的排列呈周期性,只在靠近整个晶体表面的n层介质的尺寸逐渐减小,n<N/10,N为类光子晶体结构的总层数。本发明通过将顶电池构筑为纳米光栅结构,使整个电池具有良好的光减反效应,结合中间反射层的波长选择性反射/透射功能,较大幅度地提高了非晶硅层的光吸收,同时保证微晶硅层的光吸收不受影响,以此来提高电池的转换效率。

    一种基于多层过渡金属层的超宽带光学吸收器

    公开(公告)号:CN216979338U

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN202220651291.0

    申请日:2022-03-23

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本申请公开一种基于多层过渡金属层的超宽带光学吸收器。该超宽带光学吸收器的工作波段为别为可见‑近红外波段或中红外波段;在基底上依次层叠高反射金属膜层、过渡金属膜层、电介质膜层;高反射金属膜层、多层过渡金属膜层、电介质膜层组成平面多层结构,利用高反射金属膜层来阻止光透过,吸收器中多层过渡金属膜层和电介质膜层的组合降低了反射,从而实现了超宽波段高效光学吸收的效果。该光学吸收器在400~2500nm的可见‑近红外波段可以实现超过92%的平均吸收率;在3~16μm的中红外波段可以实现超过80%的平均吸收率。吸收器对于入射角度和光的偏振性不敏感,结构工艺简单,膜层的加工误差对性能影响小,成品率高,适用于大面积制备。

    一种基于超薄硅光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器

    公开(公告)号:CN217544630U

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202221545775.3

    申请日:2022-06-20

    Abstract: 本实用新型涉及光电传感技术领域,为解决现有技术中存在的光电探测器响应度不高的问题,公开了一种基于超薄硅光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器,包含底部导电电极、硅超薄膜、金属光栅和顶部导电电极;金属光栅和硅超薄膜之间有一层钛薄膜作为粘附层;金属光栅连接到顶部导电电极;铝作为底部导电电极;通过金属底部导电电极的方式进一步地提高了金属的光吸收效率和热电子产生率,减少了热电子的热化损失,进而提升了光电探测器的响应度;调节金属光栅宽度、周期可改变探测器的响应波长,实现了波长可调的近红外光电探测器。

    一种选择性检测分子的硅基反射干涉传感器

    公开(公告)号:CN215448982U

    公开(公告)日:2022-01-07

    申请号:CN202120951134.7

    申请日:2021-05-06

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本实用新型属光学传感技术领域,提出一种选择性检测分子的硅基反射干涉传感器,沿着复合光入射方向依次包括有序硅纳米线阵列层、无序多孔硅层、平面硅基底;每根纳米线内部设置有随机分布的纳米孔;无序多孔硅层处于有序硅纳米线阵列层下方,该层设有呈树枝状随机分布的纳米孔。用于反射干涉传感测试时,小分子可以渗透到无序多孔硅层,而目标小分子和干扰大分子可同时渗入有序硅纳米线阵列层;与双层无序多孔硅结构相比,本方案不仅明显增强了待测液的流通性和传感器灵敏度,还降低了响应时间;与单层有序硅纳米线阵列结构或单层无序多孔硅结构相比,具有同时检测目标小分子和干扰大分子的优势。

    一种嵌入式光栅结构窄带近红外热电子光电探测器

    公开(公告)号:CN210245520U

    公开(公告)日:2020-04-03

    申请号:CN201921639532.4

    申请日:2019-09-29

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本实用新型涉及光电传感技术领域,为解决现有技术中存在的光电探测器响应度不高的问题,提供一种嵌入式光栅结构窄带近红外热电子光电探测器,包含硅基底和金光栅;金光栅和硅基底之间有一层钛薄膜层作为粘附层;金光栅连接到顶部导电电极;硅背面设有底部导电电极;通过将金光栅嵌入在硅基底中的方式进一步地提高了金的光吸收效率、热电子产生率,减少了热电子的热化损失,增加了光栅侧面的肖特基界面而提高了热电子转移到硅中的收集效率,进而提升了光电探测器的响应度;调节金光栅周期可改变探测器的响应波长,实现了波长可调的近红外光电探测器。

    一种电信号直接读出的光学传感装置

    公开(公告)号:CN214472764U

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202120327193.7

    申请日:2021-02-04

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本实用新型属于电子信息领域,涉及一种电信号直接读出的光学传感装置,激发光照射至周期性金属纳米结构阵列层,待测物注入流通池并浸没传感芯片,之后,传感芯片将具有特征反射谷的反射光谱;当待测物的浓度或种类变化时,反射光谱特征反射谷的中心位置将发生变化;进而导致传感装置的光响应度谱的特征峰位发生位移,直接表现为两根引线间的光电流发生变化。通过装置输出光电流的变化,可反演出待测物的浓度或种类。本装置无需外置半导体光电探测单元,即可实现电信号直接读出的工作特性;此外,可工作在自驱动工作模式下,所采用的光源在传感测试过程中无需改变入射角度、功率和波长。

    一种超窄带、大角度的高性能折射率灵敏度传感器件

    公开(公告)号:CN209707370U

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201821338251.0

    申请日:2018-08-20

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本实用新型公开了一种超窄带、大角度的高性能折射率灵敏度传感器件,其特征在于:具有分布式布拉格反射层结构,所述分布式布拉格反射层结构由折射率分别为1.7和2.4的两种材料三氧化二铝和二氧化钛交替分布而成,分布式布拉格反射层的周期为4-12,分布式布拉格反射层的中心波长为900-1800nm;所述三氧化二铝和二氧化钛每层材料的光学厚度为中心波长的1/4;采用二氧化硅基底,设置有多层平面结构,所述多层平面结构上端为所述分布式布拉格反射层,下端为金层,中间由分离墙构成测试腔,所述二氧化硅基底厚度为200-1000nm,所述金层厚度为50-500nm,所述测试腔高度为350-3500nm,待测物通过该测试腔进行传感测试,具有巨大的应用前景。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种完全嵌入式光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器

    公开(公告)号:CN217544629U

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202221545679.9

    申请日:2022-06-20

    Abstract: 本实用新型涉及光电传感技术领域,为解决现有技术中存在的光电探测器响应度不高的问题,公开了一种完全嵌入式光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器,包含底部导电电极、金属光栅和顶部导电电极;金属光栅和底部导电电极之间有一层钛薄膜作为粘附层;金属光栅连接到顶部导电电极;硅背面设有底部导电电极;通过将金属光栅完全嵌入硅基底的方式进一步地提高了金属的光吸收效率和热电子产生率,其中光吸收率能达到接近100%,减少了热电子的热化损失,进而提升了光电探测器的响应度;调节金属光栅周期可改变探测器的响应波长,实现了波长可调的近红外光电探测器。

    基于过渡金属膜层的可见光宽带完美吸收器

    公开(公告)号:CN214795268U

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202121194000.1

    申请日:2021-05-31

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本申请公开基于过渡金属膜层的可见光宽带完美吸收器。该可见光宽带完美吸收器,包括:基底,所述基底自下而上依次层叠设置有:高反射金属膜层、透明电介质中间层、过渡金属膜层及透明电介质顶层,基于等效光学导纳等于空气的原理,实现了零反射率的效果,高反射金属膜层使得透过率为零,从而使可见光宽带完美吸收器实现覆盖可见光波段的“完美吸收”,该光完美吸收器在可见光波段可以实现超过99%的吸收率,且对于入射角度和光的偏振性不敏感,结构工艺简单、成品率高,适用于大面积制备。

    一种基于塔姆等离子的平面近红外光电探测器

    公开(公告)号:CN209981234U

    公开(公告)日:2020-01-21

    申请号:CN201921298301.1

    申请日:2019-08-12

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本实用新型提供一种基于塔姆等离子的平面近红外光电探测器,包含二氧化硅基底、布拉格反射器和金属薄膜;布拉格反射器和金属薄膜依次设于二氧化硅基底上;布拉格反射器由高折射率薄膜层和低折射率薄膜层由上至下交替设置而成,布拉格反射器与金属薄膜的接触面为高折射率薄膜层且设置为二氧化钛;金属薄膜的顶部设有顶部导电电极,位于顶层的高折射率薄膜层的底部设有栅状底部导电电极。提高了光子吸收率、热电子的输运效率和光电探测器的响应度;并能够通过与金属薄膜相邻的二氧化钛的厚度调节可改变探测器的响应波长和实现多窄带的光电探测;且本实用新型结构简单,便于生产。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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