公开(公告)号：CN101009332A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200710004336.5

申请日：2007-01-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 小平泰明 ,  宇都宫纯夫

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/78603 ,  Y10S438/978

Abstract: 本发明的目的在于提供能确保高的可靠性的薄膜电路装置。本发明的薄膜电路装置具备：基板；在上述基板上形成了的、具有包括薄膜元件的元件区域的薄膜电路层；以及在上述薄膜电路层中设置成介于上述薄膜电路层的端部与上述元件区域之间的、与周围相比机械强度相对地低的低强度区域。

公开(公告)号：CN1306556C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200410044683.7

申请日：2004-05-19

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宇都宫纯夫

IPC: H01L21/00 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78603 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/30105

Abstract: 一种薄膜装置的制造方法、电光学装置和电子设备，所述薄膜装置的制造方法包括：在第一基板(11)上使用根据光刻法的图像形成工艺形成细微构造体或薄膜电路层(30)的过程(图1(a))；将细微构造体或薄膜电路层从第一基板移动到第二基板(42)，或经第三基板(33)从第一基板移动到第二基板(42)的过程(图1(b)～图2(b))；在移动到第二基板上的上述细微构造体或上述薄膜电路层上使用非光刻法形成薄膜图案(51～52)的过程(图3(a)～该图(d))。利用本发明的转移技术，即使在形状稳定性差的基板上转移形成细微构造体或薄膜电路层情况下，也可不降低所制造的薄膜装置的尺寸精度。

公开(公告)号：CN1448986A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN03107595.9

申请日：2003-03-28

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木村睦 ,  宇都宫纯夫 ,  原弘幸 ,  宫泽和加雄

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L27/3255 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75263 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，通过在第1基板(11)上形成功能元件(12)，剥离包含一个以上的功能元件(12)的元件芯片13，向第2基板(14)上转印，取得元件芯片(13)上的第1焊盘(15)和第2基板上(14)上的第2焊盘(16)的导通而形成的半导体装置中，只在元件芯片(13)的第2基板(14)一侧的表面形成第1焊盘(15)，把功能元件(12)形成在比第1焊盘(15)更远离第2基板(14)的一侧。或者，在元件芯片(13)的远离第2基板(14)一侧的表面只形成第1焊盘(15)，把功能元件(12)形成在比第1焊盘(15)更靠第2基板(14)一侧。由此可增大第1焊盘(15)的面积或宽度。