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公开(公告)号：CN117637934A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311672065.6
申请日：2023-12-07
Applicant: 福州大学 , 福建阿石创新材料股份有限公司 , 常州苏晶电子材料有限公司 , 福建兆元光电有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种通过湿法腐蚀或机械剥离超大金属衬底制备GaN Micro‑LED的方法，包括以下步骤：步骤一、采用难熔金属作为超大衬底，对衬底表面进行抛光及清洗；步骤二、在衬底上制备缓冲层；步骤三、在缓冲层上生长氮化镓基Micro‑LED外延层，所述氮化镓基Micro‑LED外延层由下至上依次包括u型氮化镓、n型氮化镓、有源层和p型氮化镓层；步骤四、利用湿法腐蚀或者机械法将衬底剥离。应用本技术方案可提高转移良率和衬底的利用效率，并且降低成本。
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公开(公告)号：CN117334715A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311393430.X
申请日：2023-10-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种超高分辨率Micro‑LED显示阵列的制备方法。包括：依次在衬底上生长N‑GaN层、多量子阱层、P型GaN层、ITO透明电极；采用电子束光刻、变参量光刻或纳米压印等方法在ITO透明电极表面制备光刻胶阵列；继续利用电镀工艺制备焊料金属阵列；然后沉积离子注入保护层并进行图案化形成离子注入保护层阵列；最后采用离子注入工艺实现电学隔离效果以形成最后的超高分辨率Micro‑LED显示像元。本发明提供了一种只需要一步光刻便可实现超高分辨率Micro‑LED显示像元的制备方法，简化了制备工艺流程，可以避免复杂光刻对位及套刻工艺中积累的误差，并且利用离子注入来实现像素隔离，可以降低刻蚀工艺中会产生的边缘效应和尺寸效应，极大程度上实现器件发光单元之间的电学隔离。
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公开(公告)号：CN111834390B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202010535701.0
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括缓冲层、设置于缓冲层上的第一半导体层、以及设置于第一半导体层上的第一接触电极、用以显示红光的R单元、用以显示绿光的G单元和用于显示蓝光的B单元。在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，使得R单元、G单元和B单元发光。本发明可以实现用小功率输入信号驱动发光芯片发光而激发色彩转换层，从而实现全彩化显示。
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公开(公告)号：CN114141916B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202111401694.6
申请日：2021-11-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种纳米尺寸LED芯片阵列及其制备方法，在衬底上依次外延生长N型氮化镓层、量子阱有源层以及P型氮化镓层；在P型氮化镓层上图案化制作金属对该区域P型氮化镓中的掺杂物与氢形成的络合物起一定的作用，使氢从中解吸，以激活该区域；利用离子注入在除金属激活区域以外的区域形成高阻值区域；在高阻值区域上覆盖二氧化硅；分别在金属激活的P型氮化镓区域和N型氮化镓形成P型电极和N型电极。本发明技术方案采用离子注入形成电气隔离可以有效避免传统ICP刻蚀中的侧壁损伤问题和后续金属爬坡易断裂问题，并利用金属激活进一步提高激活区域的光电性能。
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公开(公告)号：CN111834505B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202010536568.0
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种基于波长下转换的三极发光管，包括从下至上依次设置的衬底、缓冲层、三极管、发光芯片和色彩转换层；所述三极管包括从下至上依次设置的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层，还包括从第一半导体层引出的第一接触电极和从第二半导体层内引出的第二接触电极；所述发光芯片包括从下至上依次设置第三半导体层、发光层和第四半导体层，以及从第四半导体层内引出的第三接触电极；所述色彩转换层包括从下至上依次设置光转换层和分布式布拉格反射层。本发明对输入信号功率放大，实现小功率输入信号驱动发光芯片激发色彩转换层而实现色彩转换；同时，有效降低发光器件的驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
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公开(公告)号：CN113299228A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110388578.9
申请日：2021-04-12
Abstract: 本发明涉及一种基于GaN的多功能集成半导体显示器件，所述半导体显示器件包括从上至上依次设置的蓝宝石衬底、半导体缓冲层、第一半导体层和像素单元；所述半导体显示器件每个像素单元均包括LED发光结构、开关驱动元器件、多量子阱光电探测器件、光波导和信号感知传感器。本发明实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置和功能的集成度。
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公开(公告)号：CN111834420A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010535434.7
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种半导体混合型全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括衬底、第一接触电极以及设置于衬底上且沿横向方向分布的用于显示蓝光的B单元、用于显示绿光的G单元和用于显示红光的R单元。在所述第一接触电极和B单元、G单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和B单元、G单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，以驱动B单元与G单元激发出蓝光和绿光；在R单元内的阴极和透明阳极之间施加电压，激发出红光，从而实现全彩化显示。本发明能够采用小功率输入信号来驱动发光芯片发光，实现半导体混合型全彩化显示。
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公开(公告)号：CN111785714A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010760395.0
申请日：2020-07-31
Applicant: 晋江市博感电子科技有限公司 , 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种由LED和OLED相反极性并联组成的显示器件，所述显示器件包括无机发光二极管LED阵列、有机发光二极管OLED阵列以及具备多组电极的基板；LED和OLED通过基板上的一组电极电性连接，所述电极与LED的阴极和OLED的阳极相连；同一基板上的其他电极或其他基板上的电极则连接至LED的阳极和OLED的阴极。通过共享电极，该显示器件兼具高发光效率、高像素密度和长时间工作寿命。
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公开(公告)号：CN117215084A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311393398.5
申请日：2023-10-25
Applicant: 福州大学
IPC: G02B30/28 , G02F1/1343 , G02F1/29
Abstract: 本发明公开了一种基于菲涅尔液晶透镜的2D/3D可切换显示设备，包括：第一基板；第一基板上设置有多个第一电极组，各个第一电极组内包括数量相同的第一环形电极，各个第一环形电极呈同心环排布；第一环形电极的厚度由外侧向内侧逐渐增加，且第一环形电极的两侧分别连接至不同的驱动电压源，驱动电压源用于在第一环形电极的两侧施加不同的电位以使第一环形电极的各个位置产生渐变的第一电位；设置于第一基板对向的第二基板；第二基板上设置有公共面电极；设置于第一基板和第二基板之间的液晶层，液晶层内填充有液晶分子。本发明可以提高理想菲涅尔透镜形貌的效率，增加可利用的光效，进而提示显示设备的显示效果。
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公开(公告)号：CN116960235A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310326456.6
申请日：2023-03-30
Applicant: 闽都创新实验室 , 福州大学 , 晋江市博感电子科技有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及一种具备核壳结构的转移印章，包括软壳、硬核和基板层；所述软壳为耐高温高压力的粘弹性高分子材料层，包覆于具有高机械强度的硬核之外，构成转移头；所述转移头在基板层上构建结构阵列。本发明有效解决弹体性印章使用时刚性不足容易变形的问题。
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