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公开(公告)号：CN108227334B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201711402971.9
申请日：2017-12-22
Applicant: 清华大学
IPC: G02F1/29
Abstract: 本发明公开了一种光学相控阵，由N个相控阵单元组成，每个相控阵单元包括1个用于调节该相控阵单元附加相位的相位调制器，将N个相位调制器在平面上排布为圆环形，每个相位调制器一端的波导发射单元朝向圆环形圆心的外侧，N为自然数；相控阵单元工作范围为n为整数，其中，第n个相控阵单元的相位调制器根据出射角度ω的变化，调节的附加相位为：d为相邻波导发射单元间距，λ为光源波长。采用本发明实现了360°的大范围等幅扫描。本发明还公开了一种光学相控阵，从而实现多点扫描。
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公开(公告)号：CN109507688A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201710832797.5
申请日：2017-09-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种激光发射装置、激光雷达探测装置及方法，所述激光发射装置包括：发射光学系统、相位预控制器和二维达曼光栅分束器；发射光学系统，用于对激光进行准直扩束；相位预控制器，用于对经过准直扩束之后的激光进行相位预调；二维达曼光栅分束器，用于对经过相位预调之后的激光进行分束，以获取二维排布的激光束阵。本发明提供的激光发射装置、激光雷达探测装置及方法，通过将相位预控制器设置于发射光学系统和二维达曼光栅分束器之间，使得二维排布的激光束阵照射在目标对象上的投影产生微小的移动，以实现对目标对象更为全面、精细的扫描。并且，该种激光发射装置以及激光雷达探测装置具有结构简单、紧凑和成本低等优点。
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公开(公告)号：CN109270550A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811059681.3
申请日：2018-09-11
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种扫描光束发射器件、激光雷达装置及探测方法。其中，扫描光束发射器件，包括：输入波导；分束波导阵列，与输入波导相连，将输入波导中的光均匀地等分成多路；一维光调制器阵列，与分束波导阵列相连，对分束波导阵列中的多路光进行相位调制；以及耦合分束光栅阵列，与一维光调制器阵列相连，将分束波导阵列中的光耦合到自由空间中，输出二维分布且强度均匀的光束阵列，且在一维光调制器阵列的调制下，该光束阵列可沿一维方向扫描。该扫描光束发射器件的控制线路简单、集成度高，且有利于增加激光雷达的空间方位分辨率。
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公开(公告)号：CN108563041A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810373454.1
申请日：2018-04-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种产生光子轨道角动量(OAM)信号的光发射器件，本发明实施例提供的被调制的OAM信号的光发射器件包括制作在同一衬底上的OAM信号发射器和EA调制器，由EA调制器调制OAM信号发射器发送强度被调制的OAM信号。因此，本发明实施例提供的光发射器件能产生强度被调制的OAM信号，该方法适用于InP基、GaAs基甚至GaN基等多种外延材料，可用于产生多个波段的高速光子轨道角动量信号，满足不同的应用需求。
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公开(公告)号：CN108227334A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711402971.9
申请日：2017-12-22
Applicant: 清华大学
IPC: G02F1/29
Abstract: 本发明公开了一种光学相控阵，由N个相控阵单元组成，每个相控阵单元包括1个用于调节该相控阵单元附加相位的相位调制器，将N个相位调制器在平面上排布为圆环形，每个相位调制器一端的波导发射单元朝向圆环形圆心的外侧，N为自然数；相控阵单元工作范围为n为整数，其中，第n个相控阵单元的相位调制器根据出射角度ω的变化，调节的附加相位为：d为相邻波导发射单元间距，λ为光源波长。采用本发明实现了360°的大范围等幅扫描。本发明还公开了一种光学相控阵，从而实现多点扫描。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101527379B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910081206.0
申请日：2009-03-30
Applicant: 清华大学
IPC: H01P3/20
Abstract: 一种半导体电吸收调制器封装用微波馈线单元，属于光电子器件中半导体电吸收调制器封装技术领域，其特征在于，在共面波导传输线结构中，在共面波导金属地电极纵轴线两侧，沿纵向开有导通热沉上表面该共面波导金属地电极和下表面金属地电极之间的导通孔，利用导通孔的数量和位置来改变热沉传输的最小谐振峰与传输特性，同时把微波馈线单元沿垂直于该纵轴线方向切割为两部分便于半导体电吸收调制器的封装测试。该半导体电吸收调制器封装用微波馈线单元在60GHz范围内传输特性良好，传输损耗小于0.5dB，没有出现谐振峰现象。
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公开(公告)号：CN102074609B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010506422.8
申请日：2010-10-13
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 一种紫外雪崩光电二极管探测器，包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底的侧面附着AlN缓冲层，AlN缓冲层的外侧附着p型AlxGa1-xN层，蓝宝石衬底的底部为倾斜斜面，在p型AlxGa1-xN层靠近底部的一侧面附着i-Si雪崩区层，在i-Si雪崩区层的外侧面附着n-Si层，而其制作方法将Si材料和AlGaN材料结合起来，可实现既适于紫外探测又具有良好性能的半导体雪崩光电二极管APD，采用p型AlxGa1-xN层作为紫外光的吸收层，采用i-Si作为雪崩区，让p型AlxGa1-xN层中的光生电子在i-Si中发生雪崩，从而实现微弱紫外光的检测。
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公开(公告)号：CN102520531A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110424539.6
申请日：2011-12-16
Applicant: 清华大学
IPC: G02F1/017
Abstract: 本发明涉及光通信中的光电子器件领域，公开了一种n-i-n型电光调制器，从下至上依次包括：衬底、下欧姆接触层、下限制层、下导波层、有源层、上导波层、上限制层和上欧姆接触层，上、下限制层为N型掺杂结构；所述有源层的禁带宽度为Eg1、折射率为n1，上、下导波层的禁带宽度为Eg2、折射率为n2，上、下限制层的禁带宽度为Eg3、折射率为n3，禁带宽度满足Eg1＞Eg3＞Eg2的关系，折射率满足n2＞n1＞n3的关系。本发明能够改善电光调制器的调制特性。
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公开(公告)号：CN101566777B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200910085479.2
申请日：2009-05-22
Applicant: 清华大学
IPC: G02F1/35 , H01S5/026 , H04B10/155
Abstract: 基于边带注入锁定用于产生高频微波的集成光电子器件，属于微波光子学领域的光电子器件制备技术领域，尤其涉及基于边带注入锁定用于产生高频微波的集成光电子器件。该集成光电子器件将两个从激光器集成在同一个衬底上，在衬底上依次外延下波导层、多量子阱有源层、光栅层、上波导层、上包层、欧姆接触层，通过Y分支波导或多模干涉器将两个从激光器耦合在一起，两个从激光器工作在直流状态，所述集成光电子器件的Y分支波导端面采用抗反射镀膜，控制光的反射率在0.01～10％之间，从而实现外置主激光器调制边带的注入，进行注入锁定；再通过Y分支波导或多模干涉器耦合输出，进行拍差，就可以获得高频微波。本发明还可以进一步集成一个主激光器以及一个电吸收调制器，进一步提高集成度。本发明结构新颖，制作工艺简单，将在未来的高速通讯领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102237637A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010169031.1
申请日：2010-05-05
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种用于全光时钟恢复的基于重构等效啁啾(reconstruction equivalent chirp，REC)技术的双波长激光器，属于光通信领域的光电子器件技术领域。该光电子器件将两个采用REC技术的分布反馈(DFB)半导体激光器集成在同一个衬底上，在衬底上依次外延下波导层、多量子阱有源层、光栅层、上波导层、上包层、欧姆接触层。两个分布反馈半导体激光器具有相同周期的光栅结构，其光栅抽样周期不同，从而造成两个分布反馈激光器的激射光波长存在一定差异，进而可用于全光时钟恢复。本发明结构新颖，制作工艺简单，将在未来的高速光纤通讯领域具有良好的应用前景。
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