公开(公告)号：CN116169199A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202310151327.8

申请日：2023-02-22

Applicant: 浙江大学

Inventor： 程志渊 ,  褚衍盟 ,  张哲宇

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0232

Abstract: 本发明提供一种雪崩二极管，通过引入第三电极，对雪崩区和吸收区的电场的调控，可以增强或减弱吸收区或者雪崩区的电场。具体的，可以增强或者降低吸收区或者雪崩区的电场强度，从而增加光子的吸收效率或者电子的雪崩概率，提升雪崩二极管对光子的探测效率、降低暗电流。

公开(公告)号：CN116149545A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211532326.X

申请日：2022-12-01

Applicant: 浙江大学

Inventor： 程志渊 ,  黄平洋

IPC: G06F3/06 ,  G06F9/50

Abstract: 本发明涉及一种存储类内存(Storage Class Memory，SCM)的损耗均衡方法，包括根据数据的损耗力区分数据的数据类型，根据存储单元的损耗度区分存储单元的单元类型，并通过数据的数据类型与存储单元的单元类型调整数据的存储位置。本发明提供的损耗均衡方法适用于存储类内存的存储设备，能极大提高存储设备的寿命，为基于存储类内存的存储系统大规模商业化应用奠定了坚实基础。

公开(公告)号：CN111463154B

公开(公告)日：2023-02-14

申请号：CN202010419231.1

申请日：2020-05-18

Applicant: 浙江大学

Inventor： 孙家宝 ,  程志渊 ,  孙一军 ,  孙颖 ,  刘艳华 ,  王妹芳 ,  刘志 ,  谢石建 ,  陈长鸿

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明公开一种高温臭氧氧化退火装置，该装置包括装置上壳体、装置下壳体、装置氧化退火腔室、支撑和隔热装置、加热圈五部分。本发明提出的高温臭氧氧化退火装置，可应用于半导体集成电路芯片制作工艺，填补了该类型设备的空白，极大地推动臭氧氧化退火技术在高校、科研院所及产业界集成电路芯片研制及制造工艺中的推广应用，加速集成电路芯片的研发进展。

公开(公告)号：CN115356864A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202210731094.4

申请日：2022-06-24

Applicant: 浙江大学

Inventor： 程志渊 ,  崔钰莹 ,  陈露露 ,  张哲宇 ,  张以纯

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/00

Abstract: 本发明公开了提出一种复振幅动态调制单元及调制方法，包括调制模块，且所述调制模块组成闭环结构的复振幅动态调制单元；还包括：用于向调制模块输入激励信号，改变调制模块的光学性质的激励模块。通过激励模块的控制，可以始终保持至少一个调制模块处于没有被激励的静默态，而其他的调制模块处于被激励的激活态。通过调控这种处理静默态的调制模块的数量、位置等，即可获得不同的开口方向、开口大小的C型分裂环谐振器,甚至得到其他不是C型结构的谐振器。更好的克服了现有纯振幅调制的直流噪声和孪生图像问题和现有纯相位调制所带来的严重散斑噪声问题，实现了复振幅调制具有更高精度和更少噪音的效果。

公开(公告)号：CN115167011A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210730135.8

申请日：2022-06-24

Applicant: 浙江大学

Inventor： 程志渊 ,  陈露露 ,  张以纯 ,  张哲宇 ,  崔钰莹

IPC: G02F1/00 ,  G02F1/13

Abstract: 本发明公开了一种用于复振幅调制的相位振幅解耦合调制器，至少包括第一调制层、第二调制层和相位振幅解耦合调制器，相位振幅解耦合调制器包括控制器、第一激励模块和第二激励模块；所述第一激励模块给第一调制像素单元输入独立的激励信号；所述第二激励模块给第二调制像素单元输入独立的激励信号。本发明打破了振幅相位调制级数低、相位振幅调制效果相互牵制、制备工艺复杂等诸多桎梏，可分别实现独立且多阶的振幅调调制和相位调制的复振幅完整信息重构，从而提高分辨率、振幅分布均匀性、精度和信噪比等性能、以完成图像的动态切换和重构图像质量的提升。

公开(公告)号：CN115128849A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210731098.2

申请日：2022-06-24

Applicant: 浙江大学

Inventor： 程志渊 ,  陈露露 ,  张哲宇 ,  崔钰莹 ,  张以纯

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/00

Abstract: 本发明公开了一种光波复振幅调制器件，至少包括第一调制层、第二调制层和位于两者之间的隔热层，经第一调制像素单元调制后的光束经一个唯一的隔热像素单元投射且仅投射到唯一的第二调制像素单元。通过设置一个唯一的隔热像素单元进行精准投射，实现了两个复振幅调制像素的前后两级调制。两级动态复振幅调制是一条各方面性能最佳且结构大大简化的理想技术路径，打破了振幅相位调制级数低、相互干扰、制备工艺复杂等诸多桎梏，可分别实现独立且多阶的振幅调调制和相位调制的复振幅完整信息重构，振幅和相位调制过程时空分离，从而提高分辨率、振幅分布均匀性、精度和信噪比等性能、以完成图像的动态切换和重构图像质量的提升。

公开(公告)号：CN111463154A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010419231.1

申请日：2020-05-18

Applicant: 浙江大学

Inventor： 孙家宝 ,  程志渊 ,  孙一军 ,  孙颖 ,  刘艳华 ,  王妹芳 ,  刘志 ,  谢石建 ,  陈长鸿

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明公开一种高温臭氧氧化退火装置，该装置包括装置上壳体、装置下壳体、装置氧化退火腔室、支撑和隔热装置、加热圈五部分。本发明提出的高温臭氧氧化退火装置，可应用于半导体集成电路芯片制作工艺，填补了该类型设备的空白，极大地推动臭氧氧化退火技术在高校、科研院所及产业界集成电路芯片研制及制造工艺中的推广应用，加速集成电路芯片的研发进展。

公开(公告)号：CN105140267A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510454436.2

申请日：2015-07-29

Applicant: 浙江大学

Inventor： 王安琦 ,  程志渊 ,  陈韬

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/0657 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明公开了一种半导体衬底及选择性生长半导体的方法，所述半导体衬底包含一个用于半导体材料生长的孔和一个促使半导体材料横向生长的腔，孔的底面是晶体生长面，孔的侧壁和腔的内表面均是用于限制半导体材料生长的介质层。通过上述衬底可实现半导体材料的选择性生长，最终形成大面积的半导体薄膜材料。本发明的特殊衬底结构结合选择性生长，可以有效抑制半导体材料生长过程中的位错等缺陷的传播，从而显著提升半导体材料质量。

公开(公告)号：CN104730796A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201510101243.9

申请日：2015-03-09

Applicant: 浙江大学

Inventor： 吕延标 ,  程志渊

IPC: G02F1/155 ,  G02F1/153

CPC classification number: G02F1/155 ,  G02F1/153

Abstract: 本发明公开了一种采用相变材料设计的非易失性显示单元，本发明设计了一种“三明治”结构的非易失性显示单元，这种“三明治”结构为上下两层导电电极与中间相变显示部分组成的结构。相变材料依靠不同电脉冲的热累积，具有可变化的相态结构，对应不同的折射性能与吸收性能，反映出不同的颜色。本发明中的相变显示部分由多个相变材料层通过多种不同的排列方式组合形成，每层相变材料层的材料、厚度可以相同也可以不同。本发明通过导电电极改变相变显示部分的相态，进而改变整个显示单元的颜色。

公开(公告)号：CN119894069A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510086473.6

申请日：2025-01-20

Applicant: 浙江大学

Inventor： 程志渊 ,  董艳平

IPC: H10D64/27 ,  H10D62/10 ,  H01L21/28 ,  H10D30/60

Abstract: 本申请提出了多电容栅极结构，依次包括第一栅极介质层、第一金属层、第二栅极介质层、第二金属层；第二金属层连接电源或电路输出端。本发明在第一金属层上方串联一个电容，在不影响第一金属层直流导通的情况下，使得输入电容降低，从而提升器件的数据传输速率，降低整个器件的寄生电容，提高器件的线性特性；尤其应用于高频金属氧化物半导体场效应晶体管时，由于具有较多的栅极电容结构，对于高电压的抗击穿能力增强，从而提高器件栅极抗浪涌或瞬时击穿特性。