公开(公告)号：CN105140103A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510456231.8

申请日：2015-07-29

Applicant: 浙江大学

Inventor： 程志渊 ,  陈韬 ,  王安琦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02598 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02636

Abstract: 本发明公开了一种半导体衬底及选择性生长半导体材料的方法，所述半导体衬底包含一个用于半导体材料外延的晶体生长面，以及一个或多个用于限制半导体材料生长的介质层表面。所述半导体材料生长方法为半导体材料选择性生长，通常情况下，所述选择性生长过程中，半导体材料只能生长在所述晶体生长面上，无法直接生长在介质层表面上，所述介质层表面用于限制选择性生长过程中半导体材料在某个方向上的生长。本发明的特殊结构衬底结合选择性生长，可以有效抑制半导体材料生长过程中的位错等缺陷的传播，从而显著提升半导体材料的质量。

公开(公告)号：CN105140267A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510454436.2

申请日：2015-07-29

Applicant: 浙江大学

Inventor： 王安琦 ,  程志渊 ,  陈韬

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/0657 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明公开了一种半导体衬底及选择性生长半导体的方法，所述半导体衬底包含一个用于半导体材料生长的孔和一个促使半导体材料横向生长的腔，孔的底面是晶体生长面，孔的侧壁和腔的内表面均是用于限制半导体材料生长的介质层。通过上述衬底可实现半导体材料的选择性生长，最终形成大面积的半导体薄膜材料。本发明的特殊衬底结构结合选择性生长，可以有效抑制半导体材料生长过程中的位错等缺陷的传播，从而显著提升半导体材料质量。