-
公开(公告)号：CN1528921A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN03125451.9
申请日：2003-09-25
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供了一种利用两次不同温度范围内的热处理和多道冷轧调控的复合技术，控制带材轧压的延伸性能，制备高硅脆性硅钢板材的方法。其特征是先将粉末压延法制备得到的高硅含量硅钢薄板生坯在较低温度范围内进行一次烧结热处理，控制薄板中铁颗粒的硅含量，使板材保持可压延性能。在硅钢板材整体达到脆化前，进行多次轧压冷处理，从而可以控制板材的厚度，平整性和致密性。再通过此后高温范围内的二次烧结热处理，可获得组分均一的硅钢板材。最后，通过低压下率的板材应力调整和去应力退火处理，可以获得磁性能优异的高硅含量脆性硅钢板材。该方法突破了高硅硅钢板材无法通过轧压加工处理的局限，具有重大的工业应用价值。
-
公开(公告)号：CN119824380A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510083346.0
申请日：2025-01-20
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提出一种小口径大长径比管内壁镀膜的磁控溅射装置及其镀膜方法，本磁控溅射装置包括真空腔体、电磁铁系统、电源系统、抽真空系统和供气系统，真空腔体的底座安装有多个用于支撑样品管的真空转接头，真空腔体的顶盖上安装有多个用于罩设于样品管上方的阴极靶头，阴极靶头上安装有电极，电极下方吊装有丝状靶材以放置于样品管内部，电极与电源系统电连接，真空腔体连接有抽真空系统和供气系统以对其抽真空和供气，电磁铁系统包括缠绕于真空腔体外部的励磁线圈。本发明提出的镀膜方法，可实现对小口径大长径比管内壁进行批量镀膜。
-
公开(公告)号：CN116589286B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202310654590.9
申请日：2023-06-02
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/645 , C04B35/581 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种采用乙酰丙酮钇作为烧结助剂制备氮化铝陶瓷的方法，乙酰丙酮钇粉末与有机溶剂混合并加热后，加入一定质量比的氮化铝粉末，然后进行混合并球磨，得到混合粉末；所得混合粉末进行等离子活化烧结，得到氮化铝陶瓷块体材料。本发明开发了乙酰丙酮钇作为氮化铝烧结助剂的新用途，将其作为烧结助剂制备氮化铝陶瓷有效解决了氮化铝粉体烧结中因氧杂质含量较高导致热导率降低的问题。
-
公开(公告)号：CN119753606A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411971220.9
申请日：2024-12-30
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于中小口径深内孔细长管内壁的镀膜装置及方法，属于镀膜技术领域。该镀膜设备由控制单元和镀膜单元组成。控制单元包括真空室和进气系统，其中真空室用于安装及放置管并提供真空环境，进气系统则用于向真空室内注入工作气体。镀膜单元由靶材、磁线圈和驱动机构构成，靶材安装在管内部的中心轴线上。磁线圈为镀膜装置提供均匀的磁场环境，驱动机构的输出端与靶材以及磁线圈机械连接，确保靶材和磁线圈之间的同步传动控制。本发明特别适用于40mm及以下口径深内孔细长管内壁的快速、高效镀膜，且膜层质量优良。靶材中的磁芯外置，有利于减小靶材直径，简化拆卸与安装，降低制造难度和成本，进而提高经济效益。
-
公开(公告)号：CN119588381A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411746132.9
申请日：2024-12-02
Applicant: 武汉理工大学
IPC: B01J27/051 , B01J35/39 , C01B3/22 , C07C45/00 , C07C49/825
Abstract: 本发明涉及一种钼掺杂硫化锌镉固溶体光催化剂及其制备方法与应用，所述钼掺杂硫化锌镉固溶体光催化剂由Mo掺杂Zn0.3Cd0.7S基体得到，Mo掺杂量为Zn和Cd总摩尔量的1～6％。本发明提供的钼掺杂硫化锌镉固溶体光催化剂可以形成极高吸附和催化活性的Mo基原子级缺陷簇，从而显著提升芳香二醇的吸附活化，并加速催化其脱氢反应以制取氢气和芳香醇酮，光催化效率极高，能够将芳香二醇在太阳光照射下一步催化反应转化为氢气和高附加值化学品芳香醇酮，反应时间为60～90min时，底物芳香二醇的转化率最高可接近100％，并且产物芳香醇酮的选择性好，最高可达100％，即无任何副反应发生。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119457068A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411460687.7
申请日：2024-10-18
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提出了一种圆形蜂窝芯结构及其制作方法，涉及蜂窝芯技术领域，所述制作方法包括如下操作步骤：S1、提供多个圆形金属管，并对每个金属管的外周壁同一位置均开设凹槽；S2、将多个金属管阵列排布成蜂窝状；S3、使用金属纤维缠绕在凹槽中将多个金属管彼此连接在一起，形成预成型品；S4、对所述预成型品进行烧结，使金属管连接处通过烧结固定在一起得到圆形蜂窝芯结构。本发明通过金属纤维缠绕和烧结的方式，摆脱了刚玉坩埚的限制，可以制作不同尺寸的圆形蜂窝芯，提升了生产的灵活性，减少了材料浪费和资源消耗，降低了制造成本。
-
公开(公告)号：CN115959929B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202211020618.5
申请日：2022-08-24
Applicant: 武汉理工大学 , 武汉拓材科技有限公司
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明涉及一种涂覆于石墨坩埚表面对金属液的润湿性可控的碳化硅涂层，在所述石墨坩埚底部的碳化硅涂层表面分为多个区域，相邻区域具有不同的表面形貌，且相邻区域对熔融金属液体的润湿角之差为10～110°。本发明通过化学气相沉积在石墨坩埚内表面镀上致密的碳化硅涂层，有效地保护了坩埚内表面，避免了熔融金属液体对石墨坩埚的侵蚀，延长了坩埚的使用寿命，同时也能防止石墨坩埚中的碳对金属液体造成污染，此外，石墨坩埚底部不同的区域沉积不同形貌的碳化硅涂层，使得表面的润湿性呈梯度变化，熔融金属液在石墨坩埚内能够自发地进行流动。
-
公开(公告)号：CN116904916B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202310750838.1
申请日：2023-06-21
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供了一种高温液相渗硅制备高硅硅钢片的方法，包括：S1.原料准备：以高硅铁硅合金为硅源，以低硅硅钢片为基片，以Ag为介质；S2.将Ag置于硅源和基片之间形成硅源/Ag/基片扩散偶，将扩散偶于1100～1200℃、惰性气氛下烧结使Ag完全熔化，在硅源与基片之间形成液态Ag介质，渗硅一定时间，得到高硅硅钢片。本发明以低硅硅钢片作为基片，在硅源和基片中间引入熔融Ag作为液相介质，通过高温扩散渗硅的过程，在液相介质中硅源处与基片处建立合适的Si浓度梯度，可以提高基片表面Si含量，还能控制液相介质中的渗硅速率。
-
公开(公告)号：CN114773863B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210385837.7
申请日：2022-04-13
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种填充增强相的硼酯复合材料，其制备方法包括以下步骤：(1)将硼酸、三乙二醇按一定比例混合，加热搅拌得到硼酸‑三乙二醇的混合溶液A；(2)将混合溶液A与增强填料按照一定比例混合，在一定温度下加热并搅拌，得到粘度适宜的混合悬浊液B；(3)将混合悬浊液B转移到模具中，加热固化成型，得到含水的填充增强相的硼酯复合材料；(4)将含水的填充增强相的硼酯复合材料置于真空干燥箱中，加热除水，获得抗冲击性能好的填充增强相的硼酯复合材料。本发明合成的填充增强相的硼酯复合材料具有类玻璃高分子的特性，其高速拉伸下的能量吸收能力比低速下提高约4倍，能量吸收能力是硼酯高分子的约24倍，并且能够实现自修复、再加工和回收。
-
公开(公告)号：CN115959929A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211020618.5
申请日：2022-08-24
Applicant: 武汉理工大学 , 武汉拓材科技有限公司
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明涉及一种涂覆于石墨坩埚表面对金属液的润湿性可控的碳化硅涂层，在所述石墨坩埚底部的碳化硅涂层表面分为多个区域，相邻区域具有不同的表面形貌，且相邻区域对熔融金属液体的润湿角之差为10～110°。本发明通过化学气相沉积在石墨坩埚内表面镀上致密的碳化硅涂层，有效地保护了坩埚内表面，避免了熔融金属液体对石墨坩埚的侵蚀，延长了坩埚的使用寿命，同时也能防止石墨坩埚中的碳对金属液体造成污染，此外，石墨坩埚底部不同的区域沉积不同形貌的碳化硅涂层，使得表面的润湿性呈梯度变化，熔融金属液在石墨坩埚内能够自发地进行流动。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
181
records
(took 0.068 seconds)
