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公开(公告)号:CN105964273B
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201610313264.1
申请日:2016-05-12
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及一种高活性复合光催化剂α‑Fe2O3/Ag6Si2O7的制备方法。利用水热法合成的α‑Fe2O3纳米短管表面分布许多羟基,能够很好地与硅烷偶联剂在其水解时与其形成牢固的化学键,从而使α‑Fe2O3纳米短管表面修饰上氨基。利用α‑Fe2O3纳米短管表面的氨基在水溶液中与水形成氨基正离子,这种正离子能够吸引硅酸根离子,使硅酸根离子均匀分布于α‑Fe2O3纳米短管表面。此方法第一次实现将Ag6Si2O7与α‑Fe2O3进行复合,并且此反应在非常温和的条件下进行,反应时间短,操作简便等优点。相比于单组份半导体,本发明制备的α‑Fe2O3/Ag6Si2O7复合结构具有良好的光催化性能,能够应用于光催化领域。并且此方法制备的复合纳米材料均匀,操作简便,反应条件温和,能够应用于多种复合纳米材料的制备与应用。
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公开(公告)号:CN103107071B
公开(公告)日:2015-09-02
申请号:CN201310022838.6
申请日:2013-01-22
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种离子束精确掺杂单根纳米带的方法。将通过热蒸发过程生长出来的硫化镉纳米带转移到硅的基底上,然后使用离子注入技术将氮离子注入掺杂到选取的单根硫化镉纳米带中。随后将注入过的样品放入管式退火炉中在350度下退火40分钟。本发明中使用的硅基底是通过光刻技术标记过的,这样有利于我们找到选取的单根纳米带,从而达到精确掺杂单根纳米带的目的。掺杂之后的纳米带在未来制作纳米电子器件中将会有重要的应用。
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公开(公告)号:CN104128615A
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN201410374709.8
申请日:2014-08-01
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供一种具有高活性表面增强拉曼效应的基底材料的制备及印刷方法,在银纳米颗粒制备过程中引入碳酸盐,使获得的银纳米颗粒不规则化,有利于SERS热点的产生,运用丝网印刷的方式将合成的银纳米颗粒印刷成SERS基底。此方法无需产物纯化、快速、直观,是一种操作简单、快速、高产率的新型合成方法。本发明的制造的表面增强拉曼效应(SERS)基底对染料罗丹明6G的检测限可达10-10mol/L,价格低廉,实现对传统价格高昂的硅基底的取代和补充,并且具有反应步骤简单,反应时间短,操作简便等优点,可用于工业化批量制备和生产,并可将其应用于传统染料检测和食品中有害添加物的检测,合成方法清洁、环保,适宜推广应用。
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公开(公告)号:CN103933902A
公开(公告)日:2014-07-23
申请号:CN201410197439.8
申请日:2014-05-12
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种二元有序胶体晶体、金属纳米阵列及其制备方法,属于纳米材料领域。一种二元有序胶体晶体的制法为:将粒径不同的聚苯乙烯纳米微球的乳液混合均匀,形成混合乳液加入无水乙醇,混合均匀,形成混合溶液;将混合溶液引流至去离子水表面上,加入SDS,形成密排胶体晶体薄膜后,将薄膜转移至亲水性衬底上,即得二元有序胶体晶体。该方法简单易行,制备的二元有体晶体有序度高。将本发明提供的二元有体晶体经过等离子体刻蚀和真空镀膜,即得金属纳米阵列。其优点是:工艺简单、操作方便,成本低廉。
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公开(公告)号:CN103903664A
公开(公告)日:2014-07-02
申请号:CN201410154451.0
申请日:2014-04-17
Applicant: 武汉大学
IPC: G21F1/00
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照多孔纳米膜,属于先进核能材料应用领域。其具有贯通表面的纵向纳米孔道,所述纵向纳米孔道的直径大于2纳米,所述纵向纳米孔道的间距小于间隙原子和He气体的扩散距离,并且每个纵向纳米孔道上还横向生长有枝杈状纳米孔道。利用多孔纳米膜丰富孔道,可以吸收辐照所产生的间隙原子、空位、嬗变气体等缺陷,还能将气体原子释放到材料外,从而大幅度降低材料体内缺陷浓度,防止间隙原子、空位、嬗变气体的聚集形成原子团簇、空洞、气泡等,大大提高了材料的抗辐照肿胀、硬化、非晶化能力。
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公开(公告)号:CN102828158A
公开(公告)日:2012-12-19
申请号:CN201210309113.0
申请日:2012-08-28
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种二氧化钛薄膜的制备方法。利用离子注入技术,将能量为20-200kV钛离子注入到高纯的石英玻璃或蓝宝石等材料中,然后在氧气氛围中退火。通过调控注入离子剂量和退火温度来制备二氧化钛薄膜。注入的剂量范围为1-4×1017ions/cm2,退火温度为600-1000℃。制备的二氧化钛薄膜有良好的致密性且与衬底附着力强,同时薄膜具有良好的光催化性和抗菌性。该方法制备的二氧化钛薄膜可用作自清洁抗菌薄膜材料。
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公开(公告)号:CN102009967A
公开(公告)日:2011-04-13
申请号:CN201010601776.0
申请日:2010-12-23
Applicant: 武汉大学
IPC: C01B25/37
Abstract: 本发明公开了一种微纳结构磷酸铁的制备方法。将硫酸亚铁溶液、磷酸和氧化剂分别导入反应容器,氧化反应2~5h后,加入硫酸亚铁和磷酸总量10~0.05wt%的水溶性非离子表面活性剂,升温至50~100℃,紊流循环20~60分钟后,再加入5~20wt%氢氧化钠溶液,在线控制反应体系的pH为2.0~4.5;加碱完毕后,继续紊流循环20~60分钟,然后静置陈化120~600min后分离;用纯净水洗涤产物至pH5~7,将产物烘干并对产物表面进行热处理。该方法制备出流动性好、高分散性和比表面积可控的类球形磷酸铁纳米团簇,一次粒子小于100nm,团簇颗粒大小在200nm~2μm间调控,该产品可用于锂离子电池正极材料磷酸铁锂的制备,也可以用于食品添加剂、生物医药等领域。
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公开(公告)号:CN101308197B
公开(公告)日:2010-09-15
申请号:CN200810047217.2
申请日:2008-04-02
Applicant: 武汉大学
IPC: G01R33/04
Abstract: 本发明公开了一种新型的磁通门传感器探头,采用圆环型磁芯,单独的激励线圈绕在磁芯上,然后将磁环置于一方形中心“井“字型镂空的骨架上的圆型凹槽中,分别在骨架的四边缠绕四个匝数相等的线圈作为感应和反馈线圈。感应线圈能够大幅度减小对磁芯上的外磁场外磁场自身闭合磁力线的抵消作用,能够感应到外部磁场一个方向在通过饱和磁芯上的绝大部分磁通量,并且反馈线圈能够产生与磁芯上外部磁场方向相近的反馈磁场,更好的抵消了外部磁场,所以本发明在测量弱磁场时具有噪声低,误差小,精度、线性度和稳定度高的优点。
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公开(公告)号:CN101308197A
公开(公告)日:2008-11-19
申请号:CN200810047217.2
申请日:2008-04-02
Applicant: 武汉大学
IPC: G01R33/04
Abstract: 本发明公开了一种新型的磁通门传感器探头,采用圆环型磁芯,单独的激励线圈绕在磁芯上,然后将磁环置于一方形中心“井”字型镂空的骨架上的圆型凹槽中,分别在骨架的四边缠绕四个匝数相等的线圈作为感应和反馈线圈。感应线圈能够大幅度减小对磁芯上的外磁场外磁场自身闭合磁力线的抵消作用,能够感应到外部磁场一个方向在通过饱和磁芯上的绝大部分磁通量,并且反馈线圈能够产生与磁芯上外部磁场方向相近的反馈磁场,更好的抵消了外部磁场,所以本发明在测量弱磁场时具有噪声低,误差小,精度、线性度和稳定度高的优点。
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