公开(公告)号：CN118888646B

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411358611.3

申请日：2024-09-27

Applicant: 横店集团东磁股份有限公司

Inventor： 吴成坤 ,  徐君 ,  任勇 ,  陈德爽 ,  魏露露 ,  柳云雷

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种利用激光去除TBC太阳能电池硅片绕镀层的方法。本发明采用“三步法”激光处理+碱清洗方式来去除硅片正面及侧面的绕镀层，具有高效、负面影响小的优点，并且去绕镀过程中无需经过酸处理，更加环保以及成本低的特点。

公开(公告)号：CN118825141A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202411298025.4

申请日：2024-09-18

Applicant: 横店集团东磁股份有限公司

Inventor： 吴成坤 ,  任勇 ,  陈德爽

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种无掩膜单次沉积硅层制备TBC太阳能电池的方法。首先，本发明通过优化工艺步骤，在不构建掩膜层的情况下实现了单次沉积本征多晶硅层制备TBC太阳能电池，可进一步简化制备步骤，并有效提升产品的性能和良品率，并同时显著降低生产成本。其次，本发明通过巧妙的差异化激光处理工艺，可制得具有凸形隔离区结构的TBC太阳能电池，不仅可减少p区和n区发生短路的概率，还可降低部分硼扩散层或磷扩散层厚度以减少寄生吸收影响。

公开(公告)号：CN118782688A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202411266731.0

申请日：2024-09-11

Applicant: 横店集团东磁股份有限公司

Inventor： 吴成坤 ,  任勇 ,  陈德爽

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  H01L31/075

Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种TBC太阳能电池的制备方法。本发明采用单层i‑poly‑Si层结合紫外激光氧化形成掩膜进行掺杂扩散得到TBC太阳能电池，全制备过程仅需一次i‑poly‑Si沉积及一次激光开槽，可避免多次i‑poly‑Si沉积引起的热应力分布不均匀导致产品性能和良品率降低等方面问题；同时一次激光开槽可减少对硅片的损伤，提升Voc；此外采用一次i‑poly‑Si沉积还可以大幅减少特气用量，降低生产成本。此外，本发明方法制得的TBC太阳能电池中，硅片背面的i‑poly‑Si层形成n+‑poly‑Si层高度基本一致，有助于后续电极层的制备，可进一步提高产品性能和良品率。

公开(公告)号：CN118763138A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410842785.0

申请日：2024-06-26

Applicant: 横店集团东磁股份有限公司

Inventor： 陈伟康 ,  马岚岚 ,  任勇 ,  陈德爽

IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/20 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C16/515 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括半导体基体，具有第一表面；隧穿层，设置在第一表面上；非晶硅层，设置在隧穿层的背离半导体基体的一侧表面上；微晶硅层，设置在非晶硅层背离隧穿层的一侧表面上。在隧穿层外生长非晶硅层，形成具有隧穿层‑非晶硅层‑微晶层结构的钝化结构。微晶硅层的晶粒结构比非晶硅更有序，可形成更均匀的钝化膜，提高钝化结构的钝化作用，使得太阳能电池中的钝化结构能够满足场钝化的需求。另一方面非晶硅层与微晶层形成一个整体的晶硅结构，由于该结构更加均匀和致密，晶体内部具有较少的裂缝和孔隙，在生长过程中较难困住气体和形成气泡，有效规避钝化结构的起泡风险。

公开(公告)号：CN118099270A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202211489031.9

申请日：2022-11-25

Applicant: 横店集团东磁股份有限公司

Inventor： 方超炎 ,  何悦 ,  陈德爽 ,  任勇 ,  徐君

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明涉及TOPCon太阳能电池及其制备方法和应用。该制备方法包括：采用VHF‑PECVD依次沉积隧穿氧化层和掺杂微晶硅层，再进行退火处理；退火处理步骤中，在真空条件下将T1以5℃/min‑10℃/min升至T2，再以10℃/min‑15℃/min升至T3，并于T3温度下推进，然后降温，得到隧穿氧化层钝化接触结构，T1为150℃‑250℃，T2为300℃‑500℃，T3为600℃‑800℃，150≤T2‑T1≤250，250≤T3‑T2≤400。该制备方法使隧穿氧化层中针孔结构具有合适的密度和孔径，使隧穿氧化层钝化接触结构保持钝化效果同时，具有优异的防漏电性能，提高TOPCon电池的转换效率。

公开(公告)号：CN117832297A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202211191779.0

申请日：2022-09-28

Applicant: 横店集团东磁股份有限公司

Inventor： 郑正明 ,  罗国英 ,  宋飞飞 ,  杜清闪 ,  陈德爽 ,  任勇

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  B41F15/36

Abstract: 本发明提供了一种光伏电池和印刷网版。光伏电池包括光伏基板，第一主栅组，第一副栅组，第二主栅组以及第二副栅组。该第一主栅组包括纵向排布于该光伏基板的多条第一主栅。该第一副栅组包括横向排布于该光伏基板的多条第一副栅，该第一副栅具有第一连接端、第一自由端以及自该第一连接端笔直地延伸至该第一自由端的第一副栅线体。该第二主栅组包括纵向排布于该光伏基板的多条第二主栅，该第二主栅和该第一主栅间隔地排布。以及该第二副栅组包括横向排布于该光伏基板的多条第二副栅，该第二副栅包括连接于该第二主栅的第二连接端、第二自由端以及自该第二连接端弯曲地延伸至该第二自由端的第二副栅线体，该第二副栅间隔地排布于该第一副栅之间。

公开(公告)号：CN115020513B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202210624546.9

申请日：2022-06-02

Applicant: 横店集团东磁股份有限公司

Inventor： 陈伟康 ,  任勇 ,  陈德爽 ,  彭宏杰 ,  何悦 ,  任海亮

IPC: H01L31/0224 ,  C23C16/34 ,  C23C16/505 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种叉指背接触太阳能电池的制作方法及制得的叉指背接触太阳能电池，所述制作方法对硅基体进行双面抛光、一次开槽、正面制绒、双面硼扩、BSG修饰减薄、双面钝化、二次开窗与背面磷扩及丝网印刷制得所述叉指背接触太阳能电池；本发明通过开槽使得电池背面形成凹凸交替排列的结构，使分别在凹凸结构中形成的P、N区产生物理隔绝；同时，通过保留下来的减薄BSG层进行磷扩，可以有效促进磷的扩散并形成背面N区及重掺杂区，同时，保留的减薄BSG层可以起到钝化效果，无需增加额外工艺，所述制作方法相对简便，对设备要求不严苛，可以与领域内现有的大部分生产线相适应。

公开(公告)号：CN114823981A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210515353.X

申请日：2022-05-11

Applicant: 横店集团东磁股份有限公司

Inventor： 郑正明 ,  周永安 ,  何悦 ,  任勇 ,  陈德爽

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明提供了一种提高表面氧化层契合度的方法和应用，所述方法包括以下步骤：将退火后的太阳能电池硅片依次进行进舟、升温、一步抽真空、催化提纯、二步抽真空、回压和降温出舟；其中，所述催化提纯的气氛包括氯化烷烃、氯硅烷和笑气，本发明通过采用含氯介质，在高温，低压的氛围中催化提纯氧化层接合面的杂质，降低表面复合度，增加氧化层契合度，从而提升效率，改善PID等。

公开(公告)号：CN112820783A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202110214534.4

申请日：2021-02-25

Applicant: 横店集团东磁股份有限公司

Inventor： 任海亮 ,  方超炎 ,  何悦 ,  任勇 ,  陈德爽

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种氮氧化硅PERC电池背钝化结构、其制备方法及包括其的PERC电池，所述的氮氧化硅PERC电池背钝化结构包括由PERC电池的背面依次层叠设置的晶硅衬底、氮氧化硅层和氮化硅层。所述的制备方法包括：将放置有电池片的石英舟推入钝化炉内，对电池片进行笑气预处理，随后在电池片背面的晶硅衬底表面依次沉积氮氧化硅层和氮化硅层，得到所述的氮氧化硅PERC电池背钝化结构。本发明采用氮氧化硅层取代了传统的PERC电池背钝化结构中的氧化铝层，氮氧化硅薄膜内也含有大量氢原子，具备优良的钝化作用，同时氮氧化硅薄膜具有减反性能，从而降低了耗材成本，提高了工艺安全稳定性，同时也保证了较高的产线效率。

公开(公告)号：CN119789564A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411720606.2

申请日：2024-11-28

Applicant: 横店集团东磁股份有限公司

Inventor： 夏磊 ,  任勇 ,  陈德爽 ,  吴成坤 ,  朱响彬 ,  锁英容 ,  钱程 ,  张婷

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/30 ,  H10F77/70

Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池及其制备方法。所述制备方法包括：硅片进行双面抛光；通过低压化学气相沉积在硅片的正面依次沉积正面隧穿氧化层和多晶硅层；硅片正面进行高温退火；硅片正面进行第一次湿法刻蚀，去除多晶硅层表面形成的氧化层；硅片正面进行硼扩散，使多晶硅层形成硼掺多晶硅层；硅片背面进行第二次湿法刻蚀，去除硅片背面上的所有层，并腐蚀部分硅片；硅片正面进行制绒，去除正面硼硅玻璃层，并使硼掺多晶硅层中远离正面隧穿氧化层的表面形成绒面；硅片双面均制备钝化层及减反射层；制备正电极和负电极。本发明提供的制备方法能够优化太阳能电池正面的膜层结构，同时提高钝化性能和接触性能，制得的太阳能电池具有优异的转化效率。