公开(公告)号：CN101353779B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200810134033.X

申请日：2008-07-22

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 高木胜寿 ,  岩崎祐纪 ,  得平雅也 ,  南部旭 ,  越智元隆 ,  后藤裕史 ,  川上信之

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/0491 ,  C22C21/00 ,  C22F1/04 ,  B22F9/082 ,  B22F3/115 ,  B22F3/15 ,  B22F3/17 ,  B22F3/18

Abstract: 本发明涉及一种含有Ni、La和Si的Al-Ni-La-Si体系Al-基合金溅射靶，其中当使用扫描电子显微镜以2000倍的放大倍数观察在垂直于所述溅射靶的平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)的截面时，(1)按面积分数计，平均粒径为0.3μm至3μm的Al-Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al-Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成；并且(2)按面积分数计，平均粒径为0.2μm至2μm的Al-Ni-La-Si体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni-La-Si体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al-Ni-La-Si体系金属间化合物主要由Al、Ni、La和Si组成。

公开(公告)号：CN101335294A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810128672.5

申请日：2008-06-23

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  后藤裕史 ,  奥野博行 ,  武富雄一

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 提供一种即使减少Al合金中的合金元素，仍能够降低与透明氧化物导电膜的接触阻抗的低接触阻抗型电极，和用于制造这种电极的有用的方法，以及具有这种电极的显示装置。本发明的低接触阻抗型电极，在与氧化物透明导电膜直接接触的由Al合金膜构成的低接触阻抗型电极中，所述Al合金膜以0.1～1.0原子％的比例含有比Al离子化倾向小的金属元素，且Al合金膜与氧化物透明电极直接接触的Al合金膜表面，形成有以最大的高粗糙度Rz计为5nm以上的凹凸。

公开(公告)号：CN101335203A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810108560.3

申请日：2008-05-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  越智元隆 ,  武富雄一 ,  川上信之

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84 ,  H01L23/532 ,  H01L29/43 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  H01B13/00 ,  H01B5/14

CPC classification number: G02F1/136286 ,  B32B2457/20 ,  C22C21/00 ,  G02F2001/136295

Abstract: 本发明提供一种层叠构造及其制造方法，其不增加氧化物透明导电膜和Al合金膜之间的接触电阻且直接连接氧化物透明导电膜和Al合金、布线电阻小，在显影液等电解质液中不易发生电池作用腐蚀。其中制造层叠构造的方法具备有：在基板上形成所述氧化物透明导电膜的第一工序、在该氧化物透明导电膜上形成含有离子化倾向比铝小的合金成分的Al合金膜的第二工序、在由铝和所述合金成分构成的金属间化合物的析出温度以上，对所述Al合金膜进行加热的第三工序。

公开(公告)号：CN112018168B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202010458017.7

申请日：2020-05-26

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 西山功兵 ,  越智元隆 ,  寺前裕美 ,  川原田乔生

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明的目的在于提供一种制造成本相对低、形成了薄膜晶体管时的载流子迁移率及光应力耐性高的氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅镀靶材。本发明为一种氧化物半导体薄膜，其包含金属元素，其中所述金属元素包含In、Zn、Fe及不可避免的杂质，相对于In、Zn及Fe的合计原子数，In的原子数为58atm％以上且80atm％以下，Zn的原子数为19atm％以上且41atm％以下，Fe的原子数为0.6atm％以上且3atm％以下。

公开(公告)号：CN118291930A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410397593.3

申请日：2020-01-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 寺前裕美 ,  西山功兵 ,  越智元隆 ,  后藤裕史

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶。氧化物半导体薄膜具有第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层，分别包含In、Ga、Zn、Sn及O，第一氧化物半导体层满足0.05≦In/In+Ga+Zn+Sn≦0.25、0.20≦Ga/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.20≦Zn/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.05≦Sn/In+Ga+Zn+Sn≦0.15，第二氧化物半导体层满足0.20≦In/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.05≦Ga/In+Ga+Zn+Sn≦0.25、0.15≦Zn/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.01≦Sn/In+Ga+Zn+Sn≦0.20。

公开(公告)号：CN108780817B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN201780013390.8

申请日：2017-02-02

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  西山功兵 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 一种薄膜晶体管，是在基板上至少具有栅电极、栅绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极、和至少一层保护膜的薄膜晶体管，其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素含有In、Ga、Zn、和Sn，所述氧化物半导体层的各金属元素对于全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+Sn)的比例为，In：20～45原子％，Ga：5～20原子％，Zn：30～60原子％，和Sn：9～25原子％。

公开(公告)号：CN111226307A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201880067635.X

申请日：2018-10-29

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 寺前裕美 ,  后藤裕史 ,  越智元隆 ,  日野绫

IPC: H01L21/363 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供氧化物半导体薄膜，使用该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管，其制造成本比较低，形成薄膜晶体管时的载流子迁移率和光应力耐性高。本发明的氧化物半导体薄膜，含有In、Zn和Fe，相对于In、Zn和Fe的合计原子数，In的原子数为20atm％以上并在89atm％以下，Zn的原子数为10atm％以上并在79atm％以下，Fe的原子数为0.2atm％以上并在2atm％以下。本发明包括具有该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN106489209B

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201580035556.7

申请日：2015-08-06

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  高梨泰幸 ,  三木绫 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

Abstract: 一种薄膜晶体管，其在基板上依次具有栅极电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体薄膜、用于保护氧化物半导体薄膜的蚀刻阻挡层、源‑漏电极、和保护膜，氧化物半导体薄膜由氧化物构成，所述氧化物由作为金属元素的In、Ga及Sn与O构成，所述氧化物半导体薄膜具有非晶结构，且上述蚀刻阻挡层和上述保护膜的两者或一者包含SiNx。该薄膜晶体管具有约40cm2/Vs以上的极高的迁移率。

公开(公告)号：CN105324510B

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201480035394.2

申请日：2014-06-11

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 志田阳子 ,  后藤裕史 ,  越智元隆

IPC: C23C14/14 ,  C22C5/06 ,  C23C14/34 ,  H01B1/02 ,  H01B5/14 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L51/50 ,  H05B33/26 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14

Abstract: 一种显示出低电阻率和高反射率，并且对于UV照射、O2等离子体处理等的清洗处理的耐氧化性优异的反射电极或布线电极所用的Ag合金膜，其中，含有In高于2.0原子％且2.7原子％以下、Bi 0.01～1.0原子％。

公开(公告)号：CN105324835B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201480035855.6

申请日：2014-06-24

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  森田晋也 ,  高梨泰幸 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/247 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的薄膜晶体管在基板上至少具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极以及两层以上的保护膜。所述氧化物半导体层由Sn、从由In、Ga以及Zn构成的组中选择的一种以上的元素、以及O形成。另外，所述两层以上的保护膜至少由与所述氧化物半导体层相接的第一保护膜、以及所述第一保护膜以外的一层以上的第二保护膜构成，所述第一保护膜是SiOx膜且氢浓度为3.5原子％以下。