公开(公告)号：CN100514688C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200610162993.8

申请日：2006-11-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山本和重 ,  清水达雄 ,  羽根田茂

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01L33/26 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3224 ,  H01S5/3412

Abstract: 一种发光器件包括：有源层，包括具有四面体结构的母体半导体的原子A、替换晶格位置中所述原子A的异质原子D和插入到与所述异质原子D最邻近的间隙位置中的异质原子Z，所述异质原子D的价电子数与所述原子A的价电子数相差+1或-1，并且通过与所述异质原子D的电荷补偿，所述异质原子Z具有满壳层结构的电子组态；以及n电极和p电极，适于向所述有源层提供电流。

公开(公告)号：CN108682698A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201710825735.1

申请日：2017-09-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 盐川美雪 ,  芝崎聪一郎 ,  中川直之 ,  山本和重

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/072

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/072

Abstract: 提供一种提高了转换效率的太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块以及太阳能发电系统。实施方式的太阳能电池具有高电阻的氧化物层、具有线状的导电性部件或网状的导电性部件的第1电极、第2电极、和在所述高电阻的氧化物层与所述第2电极之间的光吸收层，其中，所述第1电极存在于所述高电阻的氧化物层与所述光吸收层之间。

公开(公告)号：CN106531827A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610796230.2

申请日：2016-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平贺广贵 ,  中川直之 ,  芝崎聪一郎 ,  齐藤仁美 ,  盐川美雪 ,  山崎六月 ,  山本和重

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/032

CPC classification number: H01L31/0323 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0687 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/544 ,  H01L31/04 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0322

Abstract: 实施方式涉及光电转换元件、太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电系统。根据实施方式的光电转换元件，可提供转换效率高的光电转换元件。实施方式的光电转换元件具备：基板、形成在基板上的透明的第1电极、第2电极、和被第1电极和所述第2电极夹着的同质结型的光吸收层，光吸收层含有位于所述第2电极侧的p型区和位于所述第1电极侧的n型区，在n型区中含有n型掺杂剂，所述光电转换元件具有n型区侧的光吸收层与所述第1电极的界面。

公开(公告)号：CN105449013A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510598677.4

申请日：2015-09-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平贺广贵 ,  芝崎聪一郎 ,  中川直之 ,  山崎六月 ,  山本和重 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/541

Abstract: 实施方式的目的在于：提供高转换效率的光电转换元件以及太阳能电池。实施方式涉及一种光电转换元件，其至少具有基板、在基板上的下部电极、在下部电极上的光吸收层、在光吸收层上的n层、在n层上的透明电极、以及在透明电极上的氧化物层，其中，当将透明电极的折射率设定为n6、所述氧化物层的折射率设定为n7时，n6和n7满足100/110≤n7/n6≤110/100。

公开(公告)号：CN103117323B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201210595830.4

申请日：2012-11-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 芝崎聪一郎 ,  山崎六月 ,  平贺广贵 ,  中川直之 ,  山本和重 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/547

Abstract: 提供一种包含第1电极、第2电极和光吸收层的光电转换元件和太阳能电池。所述第1电极包含第1化合物且具有透光性，所述第1化合物包含(Zn1-xMgx)1-yMyO和Zn1-βMβO1-αSα(M是选自B、Al、Ga以及In组成的组中的至少一种元素，0.03≤x≤0.4，0.005≤y≤0.2，0.4≤α≤0.9，0.005≤β≤0.2)中的至少任一种。所述光吸收层设置在所述第1电极和所述第2电极之间。所述光吸收层含有具有黄铜矿型结构或黄锡矿型结构的化合物半导体。所述光吸收层包含p型部和设置在所述p型部与所述第1电极之间、与所述p型部同质接合的n型部。

公开(公告)号：CN104465864A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410440711.0

申请日：2014-09-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平贺广贵 ,  中川直之 ,  芝崎聪一郎 ,  山崎六月 ,  山本和重 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/20 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供光电转换元件的制造方法。这是在第一电极上形成包含黄铜矿型化合物、黄锡矿型化合物和锌黄锡矿型化合物的化合物半导体中的至少任一种的光电转换层的光电转换元件的制造方法，其中，形成光电转换层的工序包括：光电转换层前驱体形成工序，在第一电极上形成包含黄铜矿型化合物、黄锡矿型化合物和锌黄锡矿型化合物的化合物半导体中的至少任一种的光电转换层前驱体；和浸渍工序，在光电转换层前驱体形成工序后，在0℃以上且60℃以下，将形成于第一电极上的光电转换层前驱体浸渍于具有IIa族以及IIb族的至少1种元素的液体中，光电转换层前驱体的第一电极侧的化合物半导体是非晶质，或者，其平均晶体粒径比与第一电极相反一侧的化合物半导体的平均晶体粒径大。

公开(公告)号：CN103946992A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201280056585.8

申请日：2012-11-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平贺广贵 ,  芝崎聪一郎 ,  中川直之 ,  山崎六月 ,  山本和重 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/032

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0323 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/547

Abstract: 根据实施方式，可提供一种具备具有光透过性的第1电极、第2电极和光吸收层的光电转换元件。光吸收层被设在第1电极与第2电极之间。光吸收层含有化合物半导体，所述化合物半导体含有第11族的第1元素和第16族的第2元素，且具有黄铜矿型结构或黄锡矿型结构。光吸收层含有p型部和n型部。n型部被设在p型部与第1电极之间。n型部与p型部同质接合。n型部含有掺杂剂。掺杂剂是通过Bond Valence Sum计算求出的形式电荷Vb为1.60～2.83的元素。

公开(公告)号：CN103840027A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310573105.1

申请日：2013-11-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平贺广贵 ,  芝崎聪一郎 ,  中川直之 ,  山崎六月 ,  山本和重 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明的目的在于提供高效率的光电转换元件以及太阳能电池，其中通过在黄铜矿系太阳能电池的透明电极与n层之间设置氧化物层，能够得到使透明电极制作时的损伤减低的效果。由此能够使复合中心减少并提高效率。实施方式的光电转换元件，其特征在于，具备：具有黄铜矿构造的p型光吸收层；在p型光吸收层上形成的n型半导体层；在n型半导体层上形成的氧化物层；和在氧化物层上形成的透明电极。

公开(公告)号：CN118077061A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202380013404.1

申请日：2023-03-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西田靖孝 ,  中川直之 ,  芝崎聪一郎 ,  保西祐弥 ,  水野幸民 ,  山崎六月 ,  和田淳 ,  吉尾纱良 ,  山本和重

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0224 ,  H01L25/04 ,  H02S20/30

Abstract: 本文描述的实施方式总体涉及一种n型层、一种太阳能电池、一种多结太阳能电池、一种太阳能电池模块和一种光伏发电系统。根据实施方式的n型层包含非晶氧化镓作为主要成分。该n型层的导电类型为n型。在非晶氧化镓的Ga(II)位点，掺杂有含量相对于所述非晶氧化镓中包含的Ga为大于0[原子％]且小于等于67[原子％]的一种或多种镧系元素。

公开(公告)号：CN108630765B

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN201710794498.7

申请日：2017-09-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 芝崎聪一郎 ,  盐川美雪 ,  中川直之 ,  山本和重 ,  保西祐弥 ,  新井本武士

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/072

Abstract: 提供一种改善了转换效率的太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳能发电系统。实施方式的太阳能电池具备具有透光性的基板、具有多个金属部且具有透光性的第1电极、设置于所述第1电极上且吸收光的光吸收层和设置于所述光吸收层上且具有透光性的第2电极6。