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公开(公告)号：CN102110574A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010623408.6
申请日：2010-12-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32091 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32577 , H01J37/32605
Abstract: 提供一种可以对等离子体生成所消耗的高频波的电场强度分布进行控制的等离子体处理装置。等离子体蚀刻装置(10)，具有在内部对被处理体进行等离子体处理的处理容器(100)；在处理容器(100)内部互相相对，并在相互之间形成处理空间的上部电极(105)和下部电极(110)；与下部电极(110)连接，向处理容器(100)内输出高频电力的第一高频电源(150)。在上部电极(105)和下部电极(110)的至少任一个，具有由板状金属形成的基材，和在内部埋设有金属的板电极的状态下嵌入上述基材的、一部分从上述基材露出的电介质。
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公开(公告)号：CN101477944B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200810170271.6
申请日：2004-02-03
Applicant: 日本奥特克株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其使用的电极以及电极制造方法，该等离子体处理装置是在被处理基板上实施等离子体处理的等离子体处理装置，包括：收纳所述被处理基板的能够减压的处理容器；设置在所述处理容器内的第一电极；向所述处理容器内供给处理气体的供给系统；和用于生成所述处理气体的等离子体，在所述处理容器内形成高频电场的电场形成系统，其中，所述第一电极具有离散地形成在所述第一电极的主面上并且向着生成所述等离子体的空间一侧突出的多个凸部，在所述第一电极的主面上，在所述凸部之间设置有介电体，在所述第一电极的主面上，所述凸部的密度被设定成从电极中心部向着电极边缘部逐渐增大。
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公开(公告)号：CN101853770A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010155002.X
申请日：2010-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/02 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。该基板处理方法，对激励电力施加部的输出变动和偏置电力施加部的输出变动的时刻进行调整，抑制偏置用高频电力的振幅的增大，事先防止异常放电等问题发生。在使用基板处理装置的基板处理方法中，以在规定的时刻改变激励电力施加部(35)的输出使气体激励用高频电力间歇地变化的方式进行控制，并且利用激励电力施加部(35)的控制使收容室内成为等离子体不存在的状态或余辉的状态时，以使偏置电力施加部(27)断开或使其输出在与激励电力施加部的输出为设定输出情况下的偏置电力施加部的输出相比下降的方式进行控制，其中，基板处理装置具有：载置台(23)、与其相对配置的上部电极(24)、向上部电极(24)施加气体激励用高频电力的激励电力施加部(35)、和向下部电极(23)施加偏置用高频电力的偏置电力施加部(27)。
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公开(公告)号：CN101826434A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010128803.7
申请日：2010-03-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 桧森慎司
CPC classification number: H01J37/32577 , H01J37/3255 , H01J2237/03
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理装置用的电极，控制等离子体生成时所消耗的高频的电场强度分布。该等离子体处理装置用的电极为在利用高频能量生成等离子体、对晶片(W)进行等离子体处理的等离子体蚀刻装置(10)中使用的电极，该电极具有：由金属形成的基材(105a)；设置在基材(105a)的等离子体侧的面的中央部、至少一部分从基材(105a)露出的第一电介质(105b)；和设置在第一电介质(105b)和等离子体之间、由金属形成规定图案的第一电阻体(105d)。
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公开(公告)号：CN100551200C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200610073360.X
申请日：2006-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , C23F4/00
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理的面内均匀性高、并且难以产生充电损坏的电容耦合型的等离子体处理装置。该电容耦合型的等离子体处理装置(100)具有：可保持真空气氛的腔室(1)；在腔室(1)内互相平行地配置的第一和第二电极(2、18)；和在第一和第二电极(2、18)之间形成高频电场、生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构(10)，第二电极(18)中，至少与第一电极(2)相对的部分被分割成由导体构成、处于浮动状态或被接地的第一分割片(18c1)和第二分割片(18c2)，还具有向第一分割片(18c1)和第二分割片(18c2)之间施加电压的可变直流电源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101370349A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810135193.6
申请日：2008-08-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/00 , H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质。在等离子体处理装置中，能够大幅改善充电损伤的发生，实现等离子体处理的稳定性和可靠性的提高。在能够真空排气的处理容器(10)内相对地平行配置上部电极(38)和下部电极(12)，由第一高频电源(32)通过第一匹配器(34)向下部电极(12)施加第一高频。控制部(68)以使得用于生成等离子体的第一高频具有生成等离子体的第一振幅的第一期间、和具有实质上不生成等离子体的第二振幅的第二期间以规定的周期交替重复的方式控制第一高频电源(32)。
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公开(公告)号：CN1783431A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510127676.8
申请日：2005-12-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/20 , C23C16/50 , C23C14/34 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理的面内均匀性高，而且难以产生充电损坏(charge up damage)的电容耦合型的等离子体处理装置。具有：保持在真空气氛中的腔室(1)；在腔室(1)内互相平行地配置的第一和第二电极(2)，(18)；和在第一和第二电极(2)，(18)之间形成高频电场，生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构(10)，在该电容耦合型的等离子体处理装置(100)中，第一电极(2)支撑晶片(W)，并作为施加高频电力的阴极起作用，第二电极(18)作为接地的阳极起作用，第二电极(18)的与第一电极(2)对置的表面由导电体(18c)构成。
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公开(公告)号：CN1745463A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200480003417.8
申请日：2004-02-03
Applicant: 日本奥特克株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在被处理基板(W)上实施等离子体处理的等离子体处理装置，包括收纳被处理基板的能够减压的处理容器(10)。在处理容器内配置有第一电极(12)。为了使处理气体供给到处理容器内而配置有供给系统(62)。为了生成处理气体的等离子体而配置在处理容器内形成高频电场的电场形成系统(32)。在第一电极(12)的主面上，离散地形成有向着等离子体生成空间一侧突出的多个凸部(70)。
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公开(公告)号：CN119153303A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411261834.8
申请日：2020-05-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。一示例性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括在等离子体处理装置的腔室内的等离子体生成过程中的第一期间，向设置于腔室内的基板支撑器的下部电极施加第一直流电压的工序。等离子体处理方法还包括在腔室内的等离子体生成过程中的与第一期间不同的第二期间向下部电极施加第二直流电压的工序。第二直流电压具有与第一直流电压的电平不同的电平。第二直流电压具有与第一直流电压的极性相同的极性。
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公开(公告)号：CN118098921A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410266702.8
申请日：2019-04-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供抑制基片的蚀刻速率降低并且降低照射到腔室主体的内壁的离子的能量的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：腔室；设置在腔室内的载置台，其用于支承基片，包括静电吸盘和下部电极；高频电源，其供给用于激发供给到腔室的气体的高频；一个以上的直流电源，其产生施加到载置台的具有负极性的偏置用的直流电压；切换单元，其能够停止对载置台施加直流电压；和控制切换单元的控制器，控制器控制切换单元，以使得作为偏置用，仅将来自一个以上的直流电源的负极性的直流电压周期性地施加到载置台，在将规定施加直流电压的各个周期的频率设定为不到1MHz的状态下，调节在各个周期内将直流电压施加到载置台的时间所占的比例。
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